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TGA2501

器件型号:TGA2501
器件类别:微波射频
文件大小:222.43KB,共0页
厂商名称:TRIQUINT [TriQuint Semiconductor]
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER

6000 MHz - 18000 MHz 射频/

参数

TGA2501最大输入功率 26 dBm
TGA2501最大工作频率 18000 MHz
TGA2501最小工作频率 6000 MHz
TGA2501加工封装描述 0.170 × 0.115 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, DIE
TGA2501状态 ACTIVE
TGA2501结构 COMPONENT
TGA2501微波射频类型 WIDE 波段 高 POWER

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TGA2501器件文档内容

                                                                               Advance Product Information

                                                                                                             April 5, 2006

6 - 18 GHz 2.8 Watt, 24 dB Power Amplifier                                     TGA2501

Preliminary Measured Performance                                               Key Features and Performance

          Bias Conditions: VD = 8V ID = 1.2A                                    34.5 dBm Midband Pout
                                                                               24 dB Nominal Gain
            30                                              20                  10 dB Typical Input Return Loss
                                                                               5 dB Typical Output Return Loss
                S21              S11  S22                                       Bias Conditions: 8V @ 1.2A
                                                                               0.25 m Ku pHEMT 2MI
                                                                               Chip dimensions: 4.3 x 2.9 x 0.1 mm

                                                                                                             (170 x 115 x 4 mils)

                                                                               Primary Applications

                                                                               X-Ku Point-to-Point
                                                                               ECCM

            28                                              15

            26                                              10

S21 (dB)    24                                              5    S11,S22 (dB)

            22                                              0

            20                                              -5

            18                                              -10

            16                                              -15

            14                                              -20

                5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

                Frequency (GHz)

            36                                              60

            35                                              55

            34                                              50

Psat (dBm)  33                                              45   PAE@Psat (%)

            32                        Psat                  40

            31                        PAE                   35

            30                                              30

            29                                              25

            28                                              20

            27                                              15

            26                                              10

                6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
                                      Frequency (GHz)

Note: This device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to

change without notice.
                                                                                                                                                                                      1

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                                            April 5, 2006

              Fixtured Performance        TGA2501

S21 (dB)  32
          31
          30
          29
          28
          27
          26
          25
          24
          23
          22
          21
          20
          19
          18
          17
          16
          15

              5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

              Frequency (GHz)

          32

          31

          30

          29

          28

          27

S21 (dB)  26

          25

          24

          23

          22

          21

          20

          19                        -40C

          18                        0C

          17                        +85C
          16

          15

              5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

              Frequency (GHz)

                                                                                                                                                                              2
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                                      Fixtured Performance        TGA2501

                0                                            S11
               -2                                            S22
               -4
S11,S22 (dB)   -6
               -8
              -10             789     10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
              -12
              -14             8 GHz         Frequency (GHz)
              -16             11 GHz
              -18             13 GHz                         2600
              -20             15 GHz
                                                             2400
                    56
                                                             2200
                   40
              Pout (dBm)                                     2000                         Id (mA)
                   35

                   30

                   25

                          20                                 1800

                          15                                 1600

                          10                                 1400

                          5                                  1200

                          0                 0246                                    1000
                           -10 -8 -6 -4 -2              8 10 12 14 16
                                             Pin (dBm)

                                                                                                                                                                                              3
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                  Fixtured Performance  TGA2501

            36.0

            35.5                        P2dB
                                        Psat

            35.0

Pout (dBm)  34.5

            34.0

            33.5

            33.0

            32.5

            32.0

                    6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

                                                  Frequency (GHz)

             40
                                                                                                                    P2dB
                                                                                                                    Psat

             35

            30

PAE (%)     25

            20

            15

            10
                 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

                                                     Frequency (GHz)

                                                                                                                                                                                    4
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                     Fixtured Performance  TGA2501

TOI (dBm)   45

IMD3 (dBm)  44       7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

            43                              Frequency (GHz)
                       8 GHz
            42         11 GHz
                       13 GHz
            41         15 GHz

            40       14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

            39                              Pout / Tone (dBm)

            38

            37

            36

            35
                 6

             -6
             -8
            -10
            -12
            -14
            -16
            -18
            -20
            -22
            -24
            -26
            -28
            -30
            -32
            -34
            -36
            -38
            -40

                 13

                                                                                                                                                                                5
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                                                                            TGA2501

                                TABLE I
                        MAXIMUM RATINGS

Symbol                       Parameter 5/          Value      Notes
   V+     Positive Supply Voltage                    9V         4/
    V-    Negative Supply Voltage Range
    I+    Positive Supply Current (Quiescent)   -5 V to 0 V     4/
  | IG |  Gate Supply Current                       2.0 A       6/
   PIN    Input Continuous Wave Power              52 mA        4/
   PD     Power Dissipation                                    3/ 4/
   TCH    Operating Channel Temperature           26 dBm       1/ 2/
   TM     Mounting Temperature                     14.4 W
          (30 Seconds)                             150 0C
  TSTG    Storage Temperature                      320 0C

                                               -65 to 150 0C

1/ These ratings apply to each individual FET.

2/ Junction operating temperature will directly affect the device median time to
      failure (TM). For maximum life, it is recommended that junction temperatures be
      maintained at the lowest possible levels.

3/ When operated at this bias condition with a base plate temperature of 70 0C, the
      median life is reduced from 1.6E+6 to 5.4E+4 hours.

4/ Combinations of supply voltage, supply current, input power, and output power
      shall not exceed PD.

5/ These ratings represent the maximum operable values for this device.

6/ This current can be doubled by applying gate bias to both gate pads.

                                   TABLE II
                        THERMAL INFORMATION

         PARAMETER             TEST CONDITION  TCH (qC)   RTjc MTTF
                                                         (qC/W) (HRS)
Rjc Thermal Resistance  VD = 8 V
(Channel to Backside)   ID = 1.2 A             144.56 7.77 1.6E+6
                        PDIS = 9.6 W

Note: Assumes eutectic attach using 1.5mil 80/20 AuSn mounted to a 20mil CuMo carrier at 70C
       baseplate temperature. Worst case condition with no RF applied, 100% of DC power is

       dissipated.

                                                                                                                                                                    6
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                                                                            TGA2501

                                   TABLE III
                              DC PROBE TEST
                            (TA = 25 C, nominal)

        NOTES SYMBOL                           LIMITS       UNITS

                            MIN                        MAX    mA
                                                              mS
         1/     IDSS(Q1)    120                        564     V
         1/     GM (Q1)                                        V
        1/, 2/              264                        636     V
        1/, 2/   |VP|
        1/, 2/  |VBVGS|     0.5                        1.5
                |VBVGD|
                            13                         30

                            13                         30

        1/ Q1 is a 1200 m FET
        2/ VP, VBVGD, and VBVGS are negative.

                                TABLE IV
                RF CHARACTERIZATION TABLE

                        (TA = 25qC, nominal)
                      (Vd = 8V, Id = 1.2A r5%)

SYMBOL  PARAMETER           TEST CONDITION TYPICAL UNITS

Gain    Small Signal Gain   F = 6-18 GHz                    24     dB

IRL     Input Return Loss   F = 6-18 GHz                    10     dB

ORL     Output Return Loss  F = 6-18 GHz                    5      dB

PWR     Output Power @      F = 6-18 GHz                    34.5   dBm
        Pin=+15dBm

Note: Table IV Lists the RF Characteristics of typical devices as determined by
fixtured measurements.

                                                                                                                                                                    7
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                                                                                          April 5, 2006

                                                                                 TGA2501
                                  Mechanical Drawing

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                        8
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                                                                                   TGA2501
                        Chip Assembly & Bonding Diagram

1uF or larger capacitors (not shown) should be on the gate and drain line.

  GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
  be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                            9
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                                                                                   TGA2501
              Alternative Chip Assembly & Bonding Diagram

1uF or larger capacitors (not shown) should be on the gate and drain line.

  GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
  be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                            10
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                             Assembly Process Notes

       Reflow process assembly notes:
                  Use AuSn (80/20) solder with limited exposure to temperatures at or above 300C.
                      (30 seconds maximum)
                  An alloy station or conveyor furnace with reducing atmosphere should be used.
                  No fluxes should be utilized.
                  Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
                  Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

       Component placement and adhesive attachment assembly notes:
                  Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
                  Air bridges must be avoided during placement.
                  The force impact is critical during auto placement.
                  Organic attachment can be used in low-power applications.
                  Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
                  Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.
                  Coefficient of thermal expansion matching is critical.

       Interconnect process assembly notes:
                  Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
                  Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
                  Aluminum wire should not be used.
                  Discrete FET devices with small pad sizes should be bonded with 0.0007-inch wire.
                  Maximum stage temperature is 200C.

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                        11
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