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T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5

器件型号:T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5
器件类别:开发板_开发套件_开发工具   
厂商名称:Qorvo
厂商官网:https://www.qorvo.com/
标准:
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器件描述

RF Development Tools DC-2GHz P3dB 260W Eval Board

参数

产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Qorvo
产品种类:
Product Category:
RF Development Tools
RoHS:YES
产品:
Product:
Evaluation Boards
类型:
Type:
RF Transistors
封装:
Packaging:
Bulk
商标:
Brand:
Qorvo
产品类型:
Product Type:
RF Development Tools
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
1
子类别:
Subcategory:
Development Tools
零件号别名:
Part # Aliases:
1111398

T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5器件文档内容

                                                                                         T1G2028536-FL

                                                285W,         36V        DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Applications

•    Military radar

•    Civilian radar

•    Professional and military radio communications

•    Test instrumentation

•    Wideband or narrowband amplifiers

•    GPS Communications

•    Avionics

Product Features                                                         Functional Block Diagram

•    Frequency: DC to 2.0 GHz

•    Output Power (P3dB): 260 W at 1.2 GHz

•    Linear Gain: 18 dB at 1.2 GHz

•    Operating Voltage: 36 V

•    Low thermal resistance package

General Description                                                      Pin Configuration

The TriQuint T1G2028536-FL is a 285 W (P3dB) discrete                    Pin No.         Label

GaN on SiC HEMT which operates from DC to 2 GHz.                         1               VD / RF OUT

The    device    is  constructed      with  TriQuint’s  proven           2               VG / RF IN

TQGaN25HV        process,      which  features  advanced      field      Flange          Source

plate techniques to optimize power and efficiency at high

drain  bias  operating  conditions.   This      optimization  can

potentially lower system costs in terms of fewer amplifier

line-ups and lower thermal management costs.

Lead-free and ROHS compliant

Evaluation boards are available upon request.

                                                                         Ordering Information

                                                                         Part            ECCN    Description

                                                                         T1G2028536-FL   EAR99   Packaged part

                                                                                                 Flanged

                                                                         T1G2028536-FL-  EAR99   1.2 – 1.4 GHz

                                                                         EVB1                    Evaluation Board

Datasheet:   Rev A   11-21-13                                 -1     of  14 -            Disclaimer: Subject to change without notice

© 2013 TriQuint                                                                                      www.triquint.com
                                                                                    T1G2028536-FL

                                                   285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Absolute Maximum Ratings                                     Recommended Operating Conditions

Parameter                                    Value           Parameter                            Value

Breakdown Voltage (BVDG)             145 V (Min.)            Drain Voltage (VD)                   36 V (Typ.)

Drain Gate Voltage (VDG)                     48 V            Drain Quiescent Current (IDQ)        576 mA (Typ.)

Gate Voltage Range (VG)              -7 to 0 V               Peak Drain Current     ( ID)         1.33 A (Typ.)

Drain Current    (ID)                        24 A            Gate Voltage (VG)                    -3.0 V (Typ.)

Gate Current (IG)                    -57 to 67 mA            Channel Temperature (TCH)            250 °C (Max)

Power Dissipation (PD)                       260 W           Power Dissipation, CW (PD)           226 W

RF Input Power, CW,                          47 dBm          Power Dissipation, Pulse (PD)        288 W

T = 25°C (PIN)                                               Electrical specifications are measured at specified test conditions.

Channel Temperature (TCH)                    275 °C          Specifications are not guaranteed over all recommended

Mounting Temperature                                         operating conditions.

(30 Seconds)                                 320 °C

Storage Temperature                  -40 to 150 °C

Operation of this device outside the parameter ranges

given above may cause permanent damage. These are

stress ratings only, and functional operation of the device

at these conditions is not implied.

RF Characterization – Load Pull Performance at 1.0                                  GHz (1)

Test conditions unless otherwise noted: TA = 25 °C, VD = 36 V, IDQ = 576 mA

Symbol      Parameter                                                        Min    Typical  Max                     Units

GLIN        Linear Gain                                                             20.8                             dB

P3dB        Output Power at 3 dB Gain Compression                                   316.0                            W

DE3dB       Drain Efficiency at 3 dB Gain Compression                               66.7                             %

PAE3dB      Power-Added Efficiency at 3 dB Gain                                     65.6                             %

G3dB        CGoaminparte3ssdioBnCompression                                         17.8                             dB

Notes:

1. VDS = 36 V, IDQ = 576 mA; Pulse: 300µs, 10%

RF Characterization – Load Pull Performance at 2.0                                  GHz (1)

Test conditions unless otherwise noted: TA = 25 °C, VD = 36 V, IDQ = 576 mA

Symbol      Parameter                                                        Min    Typical  Max                     Units

GLIN        Linear Gain                                                             19.4                             dB

P3dB        Output Power at 3 dB Gain Compression                                   268.9                            W

DE3dB       Drain Efficiency at 3 dB Gain Compression                               56.3                             %

PAE3dB      Power-Added Efficiency at 3 dB Gain                                     55.1                             %

G3dB        CGoaminparte3ssdioBnCompression                                         16.4                             dB

Notes:

1. VDS = 36 V, IDQ = 576 mA; Pulse: 300µs, 10%

Datasheet:  Rev A  11-21-13                                  - 2 of 14 -            Disclaimer: Subject to change without notice

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                                                                                        T1G2028536-FL

                                                285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

RF Characterization – Performance at 1.2 GHz (1, 2)

Test conditions unless otherwise noted: TA = 25 °C, VD = 36 V, IDQ = 576 mA

Symbol      Parameter                                                        Min        Typical        Max  Units

GLIN        Linear Gain                                                      17.0       18.7                dB

P3dB        Output Power at 3 dB Gain Compression                            230.0      264.5               W

DE3dB       Drain Efficiency at 3 dB Gain Compression                        49.0       54.0                %

G3dB        Gain at 3 dB Compression                                         14.0       15.7                dB

Notes:

1. Performance at 1.2 GHz in the 1.2 to 1.4 GHz Evaluation Board

2. VDS = 36 V, IDQ = 576 mA; Pulse: 300µs, 10%

RF Characterization – Narrow Band Performance                                       at  1.2  GHz (1)

Test conditions unless otherwise noted: TA = 25 °C, VD = 36 V, IDQ = 576 mA

Symbol      Parameter                                                                         Typical

VSWR        Impedance Mismatch Ruggedness                                                        10:1

Notes:

1. VDS = 36 V, IDQ = 576 mA, CW at P1dB

Datasheet:  Rev A  11-21-13                            - 3 of 14 -                      Disclaimer: Subject to change without notice

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                                                                                T1G2028536-FL

                                             285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Thermal and Reliability Information

Parameter                                             Test Conditions             Value  Units

Thermal Resistance (θJC)                              Vd = 36V, DC at 85°C Case   0.73   °C/W

Channel Temperature (TCH)                                          CW             250    °C

Thermal Resistance (θJC)                              Vd = 36 V, DC at 85°C Case  0.36   °C/W

Channel Temperature (TCH)                             100 usec, 10% duty cycle    167    °C

Thermal Resistance (θJC)                              Vd = 32 V, DC at 85°C Case  0.39   °C/W

Channel Temperature (TCH)                             100 usec, 20% duty cycle    175    °C

Thermal Resistance (θJC)                              Vd = 32 V, DC at 85°C Case  0.43   °C/W

Channel Temperature (TCH)                             300 usec, 10% duty cycle    184    °C

Thermal Resistance (θJC)                              Vd = 32 V, DC at 85°C Case  0.46   °C/W

Channel Temperature (TCH)                             300 usec, 20% duty cycle    192    °C

Notes:

Thermal resistance measured  to  bottom  of  package

Datasheet:  Rev A  11-21-13                           - 4 of 14 -      Disclaimer: Subject to change without notice

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                                                                                                    T1G2028536-FL

                                                                   285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Median Lifetime

Maximum Channel Temperature

TBASE  =  85°C,  PD  =                             288 W

                                                   320.0     Max.  Channel   Temperature vs.        Pulse Width

                 Maximum Channel Temperature (oC)  300.0

                                                   280.0

                                                   260.0

                                                   240.0

                                                   220.0

                                                   200.0

                                                   180.0                                            5% Duty Cycle

                                                                                                    10% Duty Cycle

                                                   160.0                                            20% Duty Cycle

                                                                                                    50% Duty Cycle

                                                   140.0

                                                   1.00E-06        1.00E-05  1.00E-04     1.00E-03  1.00E-02  1.00E-01

                                                                             Pulse Width (sec)

Datasheet:  Rev A                                  11-21-13                  - 5 of 14 -            Disclaimer: Subject to change without notice

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                                                                                              T1G2028536-FL

                                              285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Load Pull Smith Charts (1, 2)

RF performance that the device typically exhibits when placed in the specified impedance environment. The impedances are not

the impedances of the device, they are the impedances presented to the device via an RF circuit or load-pull system. The

impedances listed follow an optimized trajectory to maintain high power and high efficiency.

Notes:

1. Test Conditions: VDS = 36 V, IDQ = 576 mA

2. Test Signal: Pulse Width = 100 µsec, Duty  Cycle  =  20%

Datasheet:  Rev A  11-21-13                             -    6  of  14  -                     Disclaimer: Subject to change without notice

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                                                                                                                                          T1G2028536-FL

                                                                  285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Typical Performance

Performance is based on compromised impedance point and measured at DUT reference plane.

               T1G2028536-FL Gain DrEff. and PAE vs. Pout                                                    T1G2028536-FL Gain DrEff. and PAE vs. Pout

                 600 MHz, 300 usec 10%, Vds = 36V, Idq = 576 mA                                                      800 MHz, 300 usec 10%, Vds = 36 V, Idq = 576 mA

           26                                                         80                                 26                                                               80

           25    ZS =  1.91 + j0.06  Ω                                70                                 25                                                               70

                 ZL =  1.39 + j0.54  Ω

           24                                                         60   DrEff.                        24                                                               60   DrEff.

[dB]       23                                                         50                           [dB]  23    ZS =  0.84 - j0.48  Ω                                      50

           22                                                         40   &                             22    ZL =  1.48 + j1.01  Ω                                      40   &

Gain       21                                                         30   PAE                     Gain  21                                                               30   PAE

           20                                            Gain         20   [%]                           20                                               Gain            20   [%]

                                                         DrEff.                                                                                           DrEff.

           19                                            PAE          10                                 19                                               PAE             10

           18                                                         0                                  18                                                               0
           40    42     44           46  48          50  52       54  56                                 40    42    44               46  48          50  52          54  56

                                         Pout [dBm]                                                                                       Pout [dBm]

               T1G2028536-FL Gain DrEff. and PAE vs. Pout                                                    T1G2028536-FL Gain DrEff. and PAE vs. Pout

                 1000 MHz, 300 usec 10%, Vds = 36V, Idq = 576 mA                                               1500 MHz, 300 usec 10%, Vds = 36V, Idq = 576 mA

           22                                                         80                                 22                                                               80

           21                                                         70                                 21                                                               70

           20                                                         60   DrEff. & PAE [%]              20                                                               60   DrEff. & PAE [%]

[dB]       19    ZS =  1.58 - j2.24  Ω                                50                           [dB]  19    ZS =  9.73 - j2.20     Ω                                   50

                 ZL =  1.40 + j0.26  Ω                                                                         ZL =  1.47 - j0.15     Ω

Gain       18                                                         40                           Gain  18                                                               40

           17                                                         30                                 17                                                               30

           16                                            Gain         20                                 16                                               Gain            20

                                                         DrEff.                                                                                           DrEff.

           15                                            PAE          10                                 15                                               PAE             10

           1440  42     44           46  48          50  52       54  560                                1440  42    44               46  48          50  52          54  560

                                         Pout [dBm]                                                                                       Pout [dBm]

               T1G2028536-FL Gain DrEff. and PAE vs. Pout

                 2000 MHz, 300 usec 10%, Vds = 36V, Idq = 576 mA

           22                                                         80

           21    ZS =  1.42 + j1.35  Ω                                70

                 ZL =  1.48 - j1.02  Ω

           20                                                         60   DrEff. & PAE [%]

Gain [dB]  19                                                         50

           18                                                         40

           17                                                         30

           16                                            Gain         20

                                                         DrEff.

           15                                            PAE          10

           1440  42     44           46  48          50  52       54  560

                                         Pout [dBm]

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                                                                             T1G2028536-FL

                                                  285W, 36V DC – 2           GHz, GaN RF Power Transistor

Performance Over Temperature (1, 2)

Performance measured in TriQuint’s 1.2 GHz to 1.4 GHz Evaluation Board at 3  dB compression.

Notes:

1. Test Conditions: VDS = 36 V, IDQ = 576 mA

2. Test Signal: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle  =  10%

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                                                 285W,   36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Evaluation Board Performance (1, 2)

Performance at 3 dB Compression

Notes:

1. Test Conditions: VDS = 36 V, IDQ = 576 mA

2. Test Signal: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 10 %

Application Circuit

Bias-up Procedure                                        Bias-down Procedure

Set gate voltage (VG) to -5.0V                           Turn off RF signal

Set drain voltage (VD) to 36 V                           Turn off VD and wait 1 second to allow drain capacitor

Slowly increase VG until quiescent  ID  is  576  mA.     dissipation

Apply RF signal                                          Turn off VG

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                                             285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Evaluation Board Layout

Top RF layer is 0.020” thick Rogers RO4350, ɛr = 3.48. The pad pattern shown has been developed and tested for optimized

assembly at TriQuint Semiconductor. The PCB land pattern has been developed to accommodate lead and package tolerances.

Bill of Materials

Reference Design             Value      Qty  Manufacturer      Part Number

C1, C2, C7, C8, C9, C10      27 pF      6    ATC               600S270FW250XT

C3, C5                       3.9 pF     2    ATC               600S3R9AW250XT

C4, C6                       4.7 pF     2    ATC               600S4R7AW250XT

C11, C12, C13, C14           2400 pF    4    Murata            C08BL242X-5UN-X0T

C15, C16, C17, C18           100 pF     4    ATC               600S101FW250XT

C19, C20, C21, C22           0.01 uF    4    Kemet             C1206C103KRAC7800

C23, C24, C25, C26           1 uF       4    Allied            18121C105KAT2A

            C27              330 uF     1    Cornell Dubilier  AFK337M2AR44T-F

R1, R2, R3                   12.1 ohms  3    Vishay Dale       CRCW120612R1FKTA

R4, R5                       1000 ohms  2    Vishay Dale       CRCW12061K00FKTA

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                                                                   T1G2028536-FL

                                          285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Pin Layout

Note:

   The T1G2028536-FL will be marked with the “T1G2028536-FL” designator and a lot code marked below the part designator.

   The “YY” represents the last two digits of the calendar year the part was manufactured, the “WW” is the work week of the

   assembly lot start, the “MXXX” is the production lot number, and the “ZZZ” is an auto-generated serial number.

Pin Description

Pin                Symbol       Description

1                  VD / RF OUT  Drain voltage / RF Output matched to 50 ohms; see EVB Layout on page 10 as an

                                example.

2                  VG / RF IN   Gate voltage / RF Input matched to 50 ohms; see EVB Layout on page 10 as an

                                example.

3                  Flange       Source connected to ground; see EVB Layout on page 10 as an example.

Notes:

   Thermal resistance measured to bottom of package

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                                                  T1G2028536-FL

                                    285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Mechanical Information

All dimensions are in millimeters.

Note:

This package is lead-free/RoHS-compliant. The plating material on the leads is NiAu. It is compatible with both lead-free

(maximum 260 °C reflow temperature) and tin-lead (maximum 245°C reflow temperature) soldering processes.

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                                              285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Product Compliance Information

ESD Sensitivity Ratings                                          Solderability

                                                                 Compatible with the latest version of J-STD-020, Lead

            Caution! ESD-Sensitive Device                        free solder, 260° C

                                                                 RoHs Compliance

ESD Rating:  TBD                                                 This     part  is  compliant  with  EU  2002/95/EC   RoHS

Value:       TBD                                                 directive (Restrictions on the Use of Certain Hazardous

Test:        Human Body Model (HBM)                              Substances in Electrical and Electronic Equipment).

Standard:    JEDEC Standard JESD22-A114                          This product also has the following attributes:

                                                                       •  Lead Free

MSL Rating                                                             •  Halogen Free (Chlorine, Bromine)

                                                                       •  Antimony Free

Level 3 at +260 °C convection reflow                                   •  TBBP-A (C15H12Br402) Free

The part is rated Moisture Sensitivity Level  3  at  260°C  per        •  PFOS Free

JEDEC standard IPC/JEDEC J-STD-020.                                    •  SVHC Free

ECCN

US Department of Commerce EAR99

Recommended Soldering Temperature Profile

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                                                     285W, 36V DC – 2 GHz, GaN RF Power Transistor

Contact Information

For the latest specifications, additional product information, worldwide sales and distribution locations, and information

about TriQuint:

          Web:     www.triquint.com                  Tel:          +1.972.994.8465

          Email:   info-sales@triquint.com           Fax:          +1.972.994.8504

For technical questions and application information:               Email:   info-products@triquint.com

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herein.   TriQuint assumes no responsibility or liability whatsoever for the use of the information contained herein.                          The

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such  information   is  entirely  with  the   user.  All    information  contained       herein  is  subject  to  change  without  notice.

Customers should obtain and verify the latest relevant information before placing orders for TriQuint products.                                The

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injury or death.

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T1G2028536-FL  T1G2028536-FL/FS Eval  T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5

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