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SiT8008BI-82-33S-25.000000Y

器件型号:SiT8008BI-82-33S-25.000000Y
器件类别:无源元件    频率控制器和定时装置    振荡器    标准时钟振荡器   
厂商名称:SiTime
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器件描述

标准时钟振荡器 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 25MHz, ST, T&R

参数
制造商SiTime
产品种类标准时钟振荡器
封装 / 箱体7 mm x 5 mm
频率25 MHz
频率稳定性25 PPM
负载电容15 pF
工作电源电压3.3 V
电源电压-最小2.97 V
电源电压-最大3.63 V
输出格式LVCMOS
端接类型SMD/SMT
最小工作温度- 40 C
最大工作温度+ 85 C
长度7 mm
宽度5 mm
高度0.9 mm
系列SiT8008B
电流额定值4.5 mA
占空比 - 最大55 %

SiT8008BI-82-33S-25.000000Y器件文档内容

SiT8008B

Low Power Programmable Oscillator

ow Power, Standard Frequency Oscillator

Features                                                             Applications

  Any frequency between 1 MHz and 110 MHz accurate to                      Ideal for DSC, DVC, DVR, IP CAM, Tablets, e-Books,

   6 decimal places                                                          SSD, GPON, EPON, etc.

  100% pin-to-pin drop-in replacement to quartz-based XO                   Ideal for high-speed serial protocols such as: USB,

  Excellent total frequency stability as low as ±20 ppm                     SATA, SAS, Firewire, 100M / 1G / 10G Ethernet, etc.

  Operating temperature from -40°C to 85°C. For 125°C and/

   or -55°C options, refer to SiT1618, SiT8918, SiT8920

  Low power consumption of 3.5 mA typical at 1.8V

  Standby mode for longer battery life

  Fast startup time of 5 ms

  LVCMOS/HCMOS compatible output

  Industry-standard packages: 2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5,

   5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 mm x mm

  Instant samples with Time Machine II and Field

   Programmable Oscillators

  RoHS and REACH compliant, Pb-free, Halogen-free and

   Antimony-free

  For AEC-Q100 oscillators, refer to SiT8924 and SiT8925

Electrical Characteristics

All Min and Max limits are specified over temperature and rated operating voltage with 15 pF output load unless otherwise

stated. Typical values are at 25°C and nominal supply voltage.

Table 1. Electrical Characteristics

          Parameters          Symbol     Min.  Typ.       Max.   Unit                             Condition

                                                          Frequency Range

Output Frequency Range           f       1         –      110    MHz

                                                      Frequency Stability and Aging

Frequency Stability           F_stab     -20       –      +20    ppm         Inclusive of initial tolerance at 25°C, 1st year aging at 25°C, and

                                         -25       –      +25    ppm         variations over operating temperature, rated power supply voltage

                                                                             and load.

                                         -50       –      +50    ppm

                                                      Operating Temperature Range

Operating Temperature Range   T_use      -20       –      +70    °C          Extended Commercial

                                         -40       –      +85    °C          Industrial

                                               Supply Voltage and Current Consumption

Supply Voltage                Vdd        1.62      1.8    1.98   V           Contact SiTime for 1.5V support

                                         2.25      2.5    2.75   V

                                         2.52      2.8    3.08   V

                                         2.7       3.0    3.3    V

                                         2.97      3.3    3.63   V

                                         2.25      –      3.63   V

Current Consumption           Idd        –         3.8    4.5    mA          No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 2.8V to 3.3V

                                         –         3.7    4.2    mA          No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 2.5V

                                         –         3.5    4.1    mA          No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 1.8V

OE Disable Current            I_OD       –         –      4.2    mA          Vdd = 2.5V to 3.3V, OE = GND, Output in high-Z state

                                         –         –      4.0    mA          Vdd = 1.8V, OE = GND, Output in high-Z state

Standby Current               I_std      –         2.1    4.3    A          S̅ T̅ ̅ = GND, Vdd = 2.8V to 3.3V, Output is weakly pulled down

                                         –         1.1    2.5    A          S̅ T̅ ̅ = GND, Vdd = 2.5V, Output is weakly pulled down

                                         –         0.2    1.3    A          S̅ T̅ ̅ = GND, Vdd = 1.8V, Output is weakly pulled down

Rev 1.04                                                   January 30, 2018                                                           www.sitime.com
SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Table 1. Electrical Characteristics           (continued)

              Parameters       Symbol         Min.               Typ.           Max.    Unit                               Condition

                                                                 LVCMOS Output Characteristics

Duty Cycle                             DC     45                 –              55      %       All Vdds. See Duty Cycle definition in Figure 3 and Footnote 6

Rise/Fall Time                        Tr, Tf  –                  1              2       ns      Vdd = 2.5V, 2.8V, 3.0V or 3.3V, 20% - 80%

                                              –                  1.3            2.5     ns      Vdd =1.8V, 20% - 80%

                                              –                  –              2       ns      Vdd = 2.25V - 3.63V, 20% - 80%

Output High Voltage                   VOH     90%                –              –       Vdd     IOH = -4 mA (Vdd = 3.0V or 3.3V)

                                                                                                IOH = -3 mA (Vdd = 2.8V and Vdd = 2.5V)

                                                                                                IOH = -2 mA (Vdd = 1.8V)

Output Low Voltage                     VOL    –                  –              10%     Vdd     IOL = 4 mA (Vdd = 3.0V or 3.3V)

                                                                                                IOL = 3 mA (Vdd = 2.8V and Vdd = 2.5V)

                                                                                                IOL = 2 mA (Vdd = 1.8V)

                                                                         Input Characteristics

Input High Voltage                     VIH    70%                –              –       Vdd     Pin 1, OE or S̅ T̅ ̅

Input Low Voltage                      VIL    –                  –              30%     Vdd     Pin 1, OE or S̅ T̅ ̅

Input Pull-up Impedance                Z_in   50                 87             150     k     Pin 1, OE logic high or logic low, or S̅ T̅ ̅ logic high

                                              2                  –              –       M     Pin 1, S̅ T̅ ̅ logic low

                                                                 Startup and Resume Timing

Startup Time                   T_start        –                  –              5       ms      Measured from the time Vdd reaches its rated minimum value

Enable/Disable Time                   T_oe    –                  –              130     ns      f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles

Resume Time                    T_resume       –                  –              5       ms      Measured from the time S̅ T̅ ̅ pin crosses 50% threshold

                                                                                Jitter

RMS Period Jitter                     T_jitt  –                  1.8            3       ps      f = 75 MHz, Vdd = 2.5V, 2.8V, 3.0V or 3.3V

                                              –                  1.8            3       ps      f = 75 MHz, Vdd = 1.8V

Peak-to-peak Period Jitter            T_pk    –                  12             25      ps      f = 75 MHz, Vdd = 2.5V, 2.8V, 3.0V or 3.3V

                                              –                  14             30      ps      f = 75 MHz, Vdd = 1.8V

RMS Phase Jitter (random)             T_phj   –                  0.5            0.9     ps      f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz to 7.5 MHz

                                              –                  1.3            2       ps      f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz to 20 MHz

Table     2.  Pin Description

Pin           Symbol                                                     Functionality                                                Top View

                              Output Enable   H[1]: specified frequency output

                                              L: output is high impedance. Only output driver is disabled.                 OE/ST/NC

                                              H[1]: specified frequency output

1             OE/S̅ T̅ ̅ /NC  Standby         L: output is low (weak pull down). Device goes to sleep mode. Supply

                                              current reduces to I_std.

                              No Connect      Any voltage between 0 and Vdd or Open[1]: Specified frequency

                                              output. Pin 1 has no function.

2               GND           Power           Electrical ground

3               OUT           Output          Oscillator output                                                            Figure 1. Pin Assignments

4               VDD           Power           Power supply voltage[2]

Notes:

1. In OE or S̅ T̅ ̅ mode, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 1 is not externally driven. If pin  1  needs to be left floating, use the NC option.

2. A capacitor of value 0.1 µF or higher between Vdd and GND is required.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Table 3. Absolute Maximum Limits

Attempted operation outside the absolute maximum ratings may cause permanent damage to the part.                                   Actual  performance

of the IC is only guaranteed within the operational specifications, not at absolute maximum ratings.

                         Parameter                           Min.                    Max.           Unit

Storage Temperature                                          -65                     150            °C

Vdd                                                          -0.5                    4              V

Electrostatic Discharge                                      –                       2000           V

Soldering Temperature                                        –                       260            °C

(follow standard Pb free soldering guidelines)

Junction Temperature[3]                                      –                       150            °C

Note:

3. Exceeding this temperature for extended period  of  time  may damage the device.

Table 4. Thermal Consideration[4]

          Package              JA, 4 Layer Board            JA, 2 Layer Board            JC, Bottom

                                    (°C/W)                   (°C/W)                         (°C/W)

          7050                      142                      273                            30

          5032                      97                       199                            24

          3225                      109                      212                            27

          2520                      117                      222                            26

          2016                      152                      252                            36

Note:

4. Refer to JESD51 for JA and JC definitions, and reference layout used to determine the JA and JC values in the above table.

Table 5. Maximum Operating Junction Temperature[5]

          Max Operating Temperature (ambient)                Maximum Operating Junction Temperature

                         70°C                                                        80°C

                         85°C                                                        95°C

Note:

5. Datasheet specifications are not guaranteed if junction temperature exceeds the maximum operating junction temperature.

Table 6. Environmental Compliance

                      Parameter                                      Condition/Test Method

Mechanical Shock                                       MIL-STD-883F, Method 2002

Mechanical Vibration                                   MIL-STD-883F, Method 2007

Temperature Cycle                                      JESD22, Method A104

Solderability                                          MIL-STD-883F, Method 2003

Moisture Sensitivity Level                             MSL1 @ 260°C

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Test Circuit and Waveform[6]

                                    Vdd           Vout

                                                                      Test Point

                                                                                                   tr                                    tf

                                      4           3                                            80% Vdd

          Power        0.1 uF                                      15pF

          Supply                                                                                   50%

                                      1           2                (including probe            20% Vdd

                                                                   and fixture

                                                                   capacitance)                                High Pulse             Low Pulse

                                                                                                                     (TH)                (TL)

                  Vdd                                                                                                         Period

       OE/ST Function         1 kΩ

                       Figure 2. Test Circuit                                                                  Figure 3. Waveform

Note:

6. Duty Cycle is computed as Duty Cycle = TH/Period.

Timing Diagrams

                             90% Vdd     Vdd                                                                             Vdd

                                                                                                        50%    Vdd

                                         T_start        No Glitch  [7]                                                   T_resume

          Pin 4 Voltage                                                                            ST Voltage

                                                     during start up

                 CLK Output                                                                        CLK Output              HZ

                                         HZ

                       T_start: Time to start from power-off                                                   T_resume: Time to resume        from ST

          Figure 4. Startup Timing (OE/ S̅ T̅ ̅ Mode)                                      Figure  5. Standby  Resume Timing ( S̅ T̅ ̅         Mode Only)

                                      Vdd                                                                      Vdd

                       50% Vdd                                                                     OE Voltage

                                         T_oe                                                                              50% Vdd

                  OE Voltage

                                                                                                                              T_oe

                  CLK Output                                                                       CLK Output

                                         HZ                                                                                                    HZ

                       T_oe: Time to re-enable the clock output                                         T_oe:  Time  to  put the output  in  High Z  mode

       Figure 6. OE Enable Timing (OE Mode Only)                                               Figure 7. OE Disable Timing (OE Mode Only)

Note:

7.     SiT8008 has “no runt” pulses and “no glitch” output during startup  or    resume.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Performance Plots[8]

                                1.8    2.5    2.8            3.0         3.3                                                                        DUT1          DUT2               DUT3         DUT4             DUT5

                                                                                                                                                    DUT6          DUT7               DUT8         DUT9             DUT10

               6.0                                                                                                              20

               5.5                                                                                                              15

                                                                                                               Frequency (ppm)  10

               5.0

     Idd (mA)                                                                                                                   5

               4.5                                                                                                              0

                                                                                                                                -5

               4.0

                                                                                                                                -10

               3.5                                                                                                              -15

               3.0                                                                                                              -20

                    0  10   20  30     40     50         60       70          80     90  100  110                                    -40  -30  -20  -10        0         10      20  30    40     50           60  70         80

                                       Frequency (MHz)                                                                                                         Temperature (°C)

                            Figure     8. Idd vs Frequency                                                                                Figure    9. Frequency vs Temperature

                                1.8 V  2.5 V      2.8 V           3.0 V       3.3 V                                                                 1.8 V         2.5 V      2.8 V         3.0 V        3.3 V

                                                                                                                                55

                                                                                                                                54

     (ps)                                                                                                                       53

     jitter                                                                                                                     52

                                                                                                               (                51

     period                                                                                                    ty cyc           50

                                                                                                                                49

     RMS                                                                                                                        48

                                                                                                                                47

                                                                                                                                46

                                                                                                                                45

                                                                                                                                     0    10   20          30     40         50      60    70     80           90        100      110

                                       Frequency (MHz)                                                                                                            Frequency (MHz)

               Figure 10. RMS Period Jitter vs Frequency                                                                                  Figure 11. Duty Cycle vs Frequency

                                       Temperature (°C)                                                                                                           Temperature (°C)

               Figure  12.  20%-80% Rise Time vs                              Temperature                                       Figure         13.  20%-80% Fall Time                             vs    Temperature

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Performance Plots[8]

                                                                                                             1.8 V  2.5 V  2.8 V  3.0 V  3.3 V

                                                                                                 0.9

                                                                                                 0.8

                                                                                       IPJ (ps)  0.7

                                                                                                 0.6

                                                                                                 0.5

                                                                                                 0.4

          10  30      50  70           90                              110                            10     30     50            70     90                     110

                      Frequency (MHz)                                                                               Frequency (MHz)

        Figure 14. RMS Integrated Phase Jitter Random                                  Figure 15.            RMS Integrated Phase Jitter Random

              (12 kHz to 20 MHz) vs Frequency[9]                                                      (900   kHz to 20 MHz) vs Frequency[9]

Notes:

8. All plots are measured with 15 pF load at room temperature, unless       otherwise  stated.

9. Phase noise plots are measured with Agilent E5052B signal source         analyzer.  Integration range is  up to 5 MHz for carrier frequencies below 40 MHz.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Programmable Drive Strength                                                                                                The    SiT8008     can  support      up   to  60  pF   or   higher    in

                                                                                                                           maximum    capacitive   loads       with  drive   strength   settings.

The                           SiT8008       includes  a        programmable       drive        strength                    Refer  to  the  Rise/Fall     Time   Tables   (Table   7     to  11)  to

feature to provide a simple, flexible tool to optimize the                                                                 determine  the     proper     drive  strength     for  the       desired

clock rise/fall time for specific applications. Benefits from                                                              combination of output load vs. rise/fall time.

the programmable drive strength feature are:                                                                               SiT8008 Drive Strength Selection

                        Improves system radiated electromagnetic interference                                             Tables 7 through 11 define the rise/fall time for a given

                         (EMI) by slowing down the clock rise/fall time.                                                   capacitive load and supply voltage.

                        Improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by

                         decreasing (speeding up) the clock rise/fall time.                                                1.     Select the table that matches the SiT8008 nominal

                         Ability to drive large capacitive loads while maintaining                                                supply voltage (1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.0V, 3.3V).

                                                                                                                          2.     Select      the  capacitive   load     column   that  matches

                         full swing with sharp edge rates.                                                                        the application requirement (5 pF to 60 pF)

For                      more        detailed    information        about     rise/fall   time  control                    3.     Under       the  capacitive   load     column,      select     the

and                      drive       strength    selection,         see  the  SiTime          Application                         desired rise/fall times.

Notes section.

EMI Reduction by Slowing Rise/Fall Time                                                                                    4.     The left-most column represents the part number

                                                                                                                                  code for the corresponding drive strength.

Figure                           16  shows       the  harmonic       power    reduction         as  the                    5.     Add the drive strength code to the part number for

rise/fall                        times      are  increased     (slowed        down).      The   rise/fall                         ordering purposes.

times are expressed as a ratio of the clock period. For the

ratio of 0.05, the signal is very close to a square wave. For                                                              Calculating Maximum Frequency

the ratio of 0.45, the rise/fall times are very close to near-

triangular waveform. These results, for example, show that                                                                 Any given rise/fall time in Table 7 through 11 dictates the

the 11th clock harmonic can be reduced by 35 dB if the                                                                     maximum frequency under which the oscillator can operate

rise/fall edge is increased from 5% of the period to 45% of                                                                with guaranteed full output swing over the entire operating

the period.                                                                                                                temperature range. This max frequency can be calculated

                                                                                                trise=0.05                 as the following:

                                                                                                trise=0.1

                         10                                                                     trise=0.15

                                                                                                trise=0.2                                             1

                         0                                                                      trise=0.25                 Max Frequency =

                                                                                                trise=0.3                                     5 x Trf_20/80

Harmonic amplitude (dB)  -10                                                                    trise=0.35

                                                                                                trise=0.4

                         -20                                                                    trise=0.45

                         -30                                                                                               where Trf_20/80 is the typical value for 20%-80% rise/fall time.

                         -40

                         -50                                                                                               Example 1

                         -60                                                                                               Calculate fMAX for the following condition:

                         -70

                         -80                                                                                                     Vdd = 1.8V (Table 7)

                              1             3               5              7              9                 11

                                                      Harmonic number                                                            Capacitive Load: 30 pF

                         Figure      16.    Harmonic EMI reduction as                  a  Function                               Desired Tr/f time = 3 ns

                                               of Slower Rise/Fall Time                                                           (rise/fall time part number code =         E)

                                                                                                                                 fMAX = 66.666660

Jitter Reduction with Faster Rise/Fall Time

Power supply noise can be a source of jitter for the down-                                                                 Part number for the above example:

stream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up

the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also                                                              SiT8008IE12-18E-66.666660

require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity

to                       this    type  of   jitter.   Refer    to   the  Rise/Fall        Time  Tables

(Table 7 to Table 11) to determine the proper drive strength.

                                                                                                                           Drive strength code is inserted here. Default setting is “-”

High Output Load Capability

The rise/fall time of the input clock varies as a function of

the                      actual      capacitive       load     the  clock     drives.     At  any  given

drive                            strength,  the  rise/fall     time      becomes       slower   as  the

output load increases. As an example, for a 3.3V SiT8008

device with default drive strength setting, the typical rise/fall

time is 1 ns for 15 pF output load. The typical rise/fall time

slows down to 2.6 ns when the output load increases to 45 pF.

One can choose to speed up the rise/fall time to 1.83 ns by

then increasing the drive strength setting on the SiT8008.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Rise/Fall Time (20% to 80%) vs                   CLOAD  Tables

Table 7. Vdd = 1.8V Rise/Fall Times                                         Table 8. Vdd = 2.5V Rise/Fall Times

for Specific CLOAD                                                          for Specific CLOAD

                        Rise/Fall Time Typ (ns)                                                         Rise/Fall Time Typ (ns)

Drive Strength \ CLOAD  5 pF  15 pF  30 pF       45 pF  60 pF                   Drive Strength \CLOAD   5 pF       15 pF     30 pF  45 pF  60 pF

          L             6.16  11.61  22.00       31.27  39.91                   L                       4.13       8.25      12.82  21.45  27.79

          A             3.19  6.35   11.00       16.01  21.52                   A                       2.11       4.27      7.64   11.20  14.49

          R             2.11  4.31   7.65        10.77  14.47                   R                       1.45       2.81      5.16   7.65   9.88

          B             1.65  3.23   5.79        8.18   11.08                   B                       1.09       2.20      3.88   5.86   7.57

          T             0.93  1.91   3.32        4.66   6.48                    T                       0.62       1.28      2.27   3.51   4.45

          E             0.78  1.66   2.94        4.09   5.74                    E or "‐": default       0.54       1.00      2.01   3.10   4.01

          U             0.70  1.48   2.64        3.68   5.09                    U                       0.43       0.96      1.81   2.79   3.65

F or "‐": default       0.65  1.30   2.40        3.35   4.56                    F                       0.34       0.88      1.64   2.54   3.32

Table 9. Vdd = 2.8V Rise/Fall Times                                         Table 10. Vdd = 3.0V Rise/Fall Times

for Specific CLOAD                                                          for Specific CLOAD

                        Rise/Fall Time Typ (ns)                                                         Rise/Fall  Time Typ  (ns)

Drive Strength \ CLOAD  5 pF  15 pF  30 pF       45 pF  60 pF                   Drive Strength \ CLOAD  5 pF       15 pF     30 pF  45 pF  60 pF

          L             3.77  7.54   12.28       19.57  25.27                   L                       3.60       7.21      11.97  18.74  24.30

          A             1.94  3.90   7.03        10.24  13.34                   A                       1.84       3.71      6.72   9.86   12.68

          R             1.29  2.57   4.72        7.01   9.06                    R                       1.22       2.46      4.54   6.76   8.62

          B             0.97  2.00   3.54        5.43   6.93                    B                       0.89       1.92      3.39   5.20   6.64

          T             0.55  1.12   2.08        3.22   4.08                    T or "‐": default       0.51       1.00      1.97   3.07   3.90

E or "‐": default       0.44  1.00   1.83        2.82   3.67                    E                       0.38       0.92      1.72   2.71   3.51

          U             0.34  0.88   1.64        2.52   3.30                    U                       0.30       0.83      1.55   2.40   3.13

          F             0.29  0.81   1.48        2.29   2.99                    F                       0.27       0.76      1.39   2.16   2.85

Table 11. Vdd = 3.3V Rise/Fall Times

for Specific CLOAD

                        Rise/Fall Time Typ (ns)

Drive Strength \ CLOAD  5 pF  15 pF  30 pF       45 pF  60 pF

          L             3.39  6.88   11.63       17.56  23.59

          A             1.74  3.50   6.38        8.98   12.19

          R             1.16  2.33   4.29        6.04   8.34

          B             0.81  1.82   3.22        4.52   6.33

T or "‐": default       0.46  1.00   1.86        2.60   3.84

          E             0.33  0.87   1.64        2.30   3.35

          U             0.28  0.79   1.46        2.05   2.93

          F             0.25  0.72   1.31        1.83   2.61

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Pin 1 Configuration Options (OE, S̅ T̅ ̅ , or NC)

Pin 1 of the SiT8008 can be factory-programmed to support

three     modes:       Output    Enable       (OE),    Standby           (S̅ T̅ ̅ )  or

No Connect (NC). These modes can also be programmed

with the Time Machine using field programmable devices.

Output Enable (OE) Mode

In the OE mode, applying logic Low to the OE pin only

disables the output driver and puts it in Hi-Z mode. The

core of the device continues to operate normally. Power

consumption is reduced due to the inactivity of the output.

When      the      OE  pin   is  pulled   High,  the   output        is  typically                            Figure 18. Startup Waveform vs. Vdd

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