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SiT8008BI-11-33E-49.152000E

器件型号:SiT8008BI-11-33E-49.152000E
器件类别:无源元件    频率控制器和定时装置   
厂商名称:SiTime
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器件描述

Standard Clock Oscillators -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 49.152MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm

参数

产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
SiTime
产品种类:
Product Category:
Standard Clock Oscillators
产品类型:
Product Type:
Clock Oscillators
系列:
Series:
SiT8008B
商标:
Brand:
SiTime
子类别:
Subcategory:
Oscillators

SiT8008BI-11-33E-49.152000E器件文档内容

SiT8008B

Low Power Programmable Oscillator

ow Power, Standard Frequency Oscillator

Features                                                             Applications

  Any frequency between 1 MHz and 110 MHz accurate to                      Ideal for DSC, DVC, DVR, IP CAM, Tablets, e-Books,

   6 decimal places                                                          SSD, GPON, EPON, etc.

  100% pin-to-pin drop-in replacement to quartz-based XO                   Ideal for high-speed serial protocols such as: USB,

  Excellent total frequency stability as low as ±20 ppm                     SATA, SAS, Firewire, 100M / 1G / 10G Ethernet, etc.

  Operating temperature from -40°C to 85°C. For 125°C and/

   or -55°C options, refer to SiT1618, SiT8918, SiT8920

  Low power consumption of 3.5 mA typical at 1.8V

  Standby mode for longer battery life

  Fast startup time of 5 ms

  LVCMOS/HCMOS compatible output

  Industry-standard packages: 2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5,

   5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 mm x mm

  Instant samples with Time Machine II and Field

   Programmable Oscillators

  RoHS and REACH compliant, Pb-free, Halogen-free and

   Antimony-free

  For AEC-Q100 oscillators, refer to SiT8924 and SiT8925

Electrical Characteristics

All Min and Max limits are specified over temperature and rated operating voltage with 15 pF output load unless otherwise

stated. Typical values are at 25°C and nominal supply voltage.

Table 1. Electrical Characteristics

          Parameters          Symbol     Min.  Typ.       Max.   Unit                             Condition

                                                          Frequency Range

Output Frequency Range           f       1         –      110    MHz

                                                      Frequency Stability and Aging

Frequency Stability           F_stab     -20       –      +20    ppm         Inclusive of initial tolerance at 25°C, 1st year aging at 25°C, and

                                         -25       –      +25    ppm         variations over operating temperature, rated power supply voltage

                                                                             and load.

                                         -50       –      +50    ppm

                                                      Operating Temperature Range

Operating Temperature Range   T_use      -20       –      +70    °C          Extended Commercial

                                         -40       –      +85    °C          Industrial

                                               Supply Voltage and Current Consumption

Supply Voltage                Vdd        1.62      1.8    1.98   V           Contact SiTime for 1.5V support

                                         2.25      2.5    2.75   V

                                         2.52      2.8    3.08   V

                                         2.7       3.0    3.3    V

                                         2.97      3.3    3.63   V

                                         2.25      –      3.63   V

Current Consumption           Idd        –         3.8    4.5    mA          No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 2.8V to 3.3V

                                         –         3.7    4.2    mA          No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 2.5V

                                         –         3.5    4.1    mA          No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 1.8V

OE Disable Current            I_OD       –         –      4.2    mA          Vdd = 2.5V to 3.3V, OE = GND, Output in high-Z state

                                         –         –      4.0    mA          Vdd = 1.8V, OE = GND, Output in high-Z state

Standby Current               I_std      –         2.1    4.3    A          S̅ T̅ ̅ = GND, Vdd = 2.8V to 3.3V, Output is weakly pulled down

                                         –         1.1    2.5    A          S̅ T̅ ̅ = GND, Vdd = 2.5V, Output is weakly pulled down

                                         –         0.2    1.3    A          S̅ T̅ ̅ = GND, Vdd = 1.8V, Output is weakly pulled down

Rev 1.04                                                   January 30, 2018                                                           www.sitime.com
SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Table 1. Electrical Characteristics           (continued)

              Parameters       Symbol         Min.               Typ.           Max.    Unit                               Condition

                                                                 LVCMOS Output Characteristics

Duty Cycle                             DC     45                 –              55      %       All Vdds. See Duty Cycle definition in Figure 3 and Footnote 6

Rise/Fall Time                        Tr, Tf  –                  1              2       ns      Vdd = 2.5V, 2.8V, 3.0V or 3.3V, 20% - 80%

                                              –                  1.3            2.5     ns      Vdd =1.8V, 20% - 80%

                                              –                  –              2       ns      Vdd = 2.25V - 3.63V, 20% - 80%

Output High Voltage                   VOH     90%                –              –       Vdd     IOH = -4 mA (Vdd = 3.0V or 3.3V)

                                                                                                IOH = -3 mA (Vdd = 2.8V and Vdd = 2.5V)

                                                                                                IOH = -2 mA (Vdd = 1.8V)

Output Low Voltage                     VOL    –                  –              10%     Vdd     IOL = 4 mA (Vdd = 3.0V or 3.3V)

                                                                                                IOL = 3 mA (Vdd = 2.8V and Vdd = 2.5V)

                                                                                                IOL = 2 mA (Vdd = 1.8V)

                                                                         Input Characteristics

Input High Voltage                     VIH    70%                –              –       Vdd     Pin 1, OE or S̅ T̅ ̅

Input Low Voltage                      VIL    –                  –              30%     Vdd     Pin 1, OE or S̅ T̅ ̅

Input Pull-up Impedance                Z_in   50                 87             150     k     Pin 1, OE logic high or logic low, or S̅ T̅ ̅ logic high

                                              2                  –              –       M     Pin 1, S̅ T̅ ̅ logic low

                                                                 Startup and Resume Timing

Startup Time                   T_start        –                  –              5       ms      Measured from the time Vdd reaches its rated minimum value

Enable/Disable Time                   T_oe    –                  –              130     ns      f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles

Resume Time                    T_resume       –                  –              5       ms      Measured from the time S̅ T̅ ̅ pin crosses 50% threshold

                                                                                Jitter

RMS Period Jitter                     T_jitt  –                  1.8            3       ps      f = 75 MHz, Vdd = 2.5V, 2.8V, 3.0V or 3.3V

                                              –                  1.8            3       ps      f = 75 MHz, Vdd = 1.8V

Peak-to-peak Period Jitter            T_pk    –                  12             25      ps      f = 75 MHz, Vdd = 2.5V, 2.8V, 3.0V or 3.3V

                                              –                  14             30      ps      f = 75 MHz, Vdd = 1.8V

RMS Phase Jitter (random)             T_phj   –                  0.5            0.9     ps      f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz to 7.5 MHz

                                              –                  1.3            2       ps      f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz to 20 MHz

Table     2.  Pin Description

Pin           Symbol                                                     Functionality                                                Top View

                              Output Enable   H[1]: specified frequency output

                                              L: output is high impedance. Only output driver is disabled.                 OE/ST/NC

                                              H[1]: specified frequency output

1             OE/S̅ T̅ ̅ /NC  Standby         L: output is low (weak pull down). Device goes to sleep mode. Supply

                                              current reduces to I_std.

                              No Connect      Any voltage between 0 and Vdd or Open[1]: Specified frequency

                                              output. Pin 1 has no function.

2               GND           Power           Electrical ground

3               OUT           Output          Oscillator output                                                            Figure 1. Pin Assignments

4               VDD           Power           Power supply voltage[2]

Notes:

1. In OE or S̅ T̅ ̅ mode, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 1 is not externally driven. If pin  1  needs to be left floating, use the NC option.

2. A capacitor of value 0.1 µF or higher between Vdd and GND is required.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Table 3. Absolute Maximum Limits

Attempted operation outside the absolute maximum ratings may cause permanent damage to the part.                                   Actual  performance

of the IC is only guaranteed within the operational specifications, not at absolute maximum ratings.

                         Parameter                           Min.                    Max.           Unit

Storage Temperature                                          -65                     150            °C

Vdd                                                          -0.5                    4              V

Electrostatic Discharge                                      –                       2000           V

Soldering Temperature                                        –                       260            °C

(follow standard Pb free soldering guidelines)

Junction Temperature[3]                                      –                       150            °C

Note:

3. Exceeding this temperature for extended period  of  time  may damage the device.

Table 4. Thermal Consideration[4]

          Package              JA, 4 Layer Board            JA, 2 Layer Board            JC, Bottom

                                    (°C/W)                   (°C/W)                         (°C/W)

          7050                      142                      273                            30

          5032                      97                       199                            24

          3225                      109                      212                            27

          2520                      117                      222                            26

          2016                      152                      252                            36

Note:

4. Refer to JESD51 for JA and JC definitions, and reference layout used to determine the JA and JC values in the above table.

Table 5. Maximum Operating Junction Temperature[5]

          Max Operating Temperature (ambient)                Maximum Operating Junction Temperature

                         70°C                                                        80°C

                         85°C                                                        95°C

Note:

5. Datasheet specifications are not guaranteed if junction temperature exceeds the maximum operating junction temperature.

Table 6. Environmental Compliance

                      Parameter                                      Condition/Test Method

Mechanical Shock                                       MIL-STD-883F, Method 2002

Mechanical Vibration                                   MIL-STD-883F, Method 2007

Temperature Cycle                                      JESD22, Method A104

Solderability                                          MIL-STD-883F, Method 2003

Moisture Sensitivity Level                             MSL1 @ 260°C

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Test Circuit and Waveform[6]

                                    Vdd           Vout

                                                                      Test Point

                                                                                                   tr                                    tf

                                      4           3                                            80% Vdd

          Power        0.1 uF                                      15pF

          Supply                                                                                   50%

                                      1           2                (including probe            20% Vdd

                                                                   and fixture

                                                                   capacitance)                                High Pulse             Low Pulse

                                                                                                                     (TH)                (TL)

                  Vdd                                                                                                         Period

       OE/ST Function         1 kΩ

                       Figure 2. Test Circuit                                                                  Figure 3. Waveform

Note:

6. Duty Cycle is computed as Duty Cycle = TH/Period.

Timing Diagrams

                             90% Vdd     Vdd                                                                             Vdd

                                                                                                        50%    Vdd

                                         T_start        No Glitch  [7]                                                   T_resume

          Pin 4 Voltage                                                                            ST Voltage

                                                     during start up

                 CLK Output                                                                        CLK Output              HZ

                                         HZ

                       T_start: Time to start from power-off                                                   T_resume: Time to resume        from ST

          Figure 4. Startup Timing (OE/ S̅ T̅ ̅ Mode)                                      Figure  5. Standby  Resume Timing ( S̅ T̅ ̅         Mode Only)

                                      Vdd                                                                      Vdd

                       50% Vdd                                                                     OE Voltage

                                         T_oe                                                                              50% Vdd

                  OE Voltage

                                                                                                                              T_oe

                  CLK Output                                                                       CLK Output

                                         HZ                                                                                                    HZ

                       T_oe: Time to re-enable the clock output                                         T_oe:  Time  to  put the output  in  High Z  mode

       Figure 6. OE Enable Timing (OE Mode Only)                                               Figure 7. OE Disable Timing (OE Mode Only)

Note:

7.     SiT8008 has “no runt” pulses and “no glitch” output during startup  or    resume.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Performance Plots[8]

                                1.8    2.5    2.8            3.0         3.3                                                                        DUT1          DUT2               DUT3         DUT4             DUT5

                                                                                                                                                    DUT6          DUT7               DUT8         DUT9             DUT10

               6.0                                                                                                              20

               5.5                                                                                                              15

                                                                                                               Frequency (ppm)  10

               5.0

     Idd (mA)                                                                                                                   5

               4.5                                                                                                              0

                                                                                                                                -5

               4.0

                                                                                                                                -10

               3.5                                                                                                              -15

               3.0                                                                                                              -20

                    0  10   20  30     40     50         60       70          80     90  100  110                                    -40  -30  -20  -10        0         10      20  30    40     50           60  70         80

                                       Frequency (MHz)                                                                                                         Temperature (°C)

                            Figure     8. Idd vs Frequency                                                                                Figure    9. Frequency vs Temperature

                                1.8 V  2.5 V      2.8 V           3.0 V       3.3 V                                                                 1.8 V         2.5 V      2.8 V         3.0 V        3.3 V

                                                                                                                                55

                                                                                                                                54

     (ps)                                                                                                                       53

     jitter                                                                                                                     52

                                                                                                               (                51

     period                                                                                                    ty cyc           50

                                                                                                                                49

     RMS                                                                                                                        48

                                                                                                                                47

                                                                                                                                46

                                                                                                                                45

                                                                                                                                     0    10   20          30     40         50      60    70     80           90        100      110

                                       Frequency (MHz)                                                                                                            Frequency (MHz)

               Figure 10. RMS Period Jitter vs Frequency                                                                                  Figure 11. Duty Cycle vs Frequency

                                       Temperature (°C)                                                                                                           Temperature (°C)

               Figure  12.  20%-80% Rise Time vs                              Temperature                                       Figure         13.  20%-80% Fall Time                             vs    Temperature

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Performance Plots[8]

                                                                                                             1.8 V  2.5 V  2.8 V  3.0 V  3.3 V

                                                                                                 0.9

                                                                                                 0.8

                                                                                       IPJ (ps)  0.7

                                                                                                 0.6

                                                                                                 0.5

                                                                                                 0.4

          10  30      50  70           90                              110                            10     30     50            70     90                     110

                      Frequency (MHz)                                                                               Frequency (MHz)

        Figure 14. RMS Integrated Phase Jitter Random                                  Figure 15.            RMS Integrated Phase Jitter Random

              (12 kHz to 20 MHz) vs Frequency[9]                                                      (900   kHz to 20 MHz) vs Frequency[9]

Notes:

8. All plots are measured with 15 pF load at room temperature, unless       otherwise  stated.

9. Phase noise plots are measured with Agilent E5052B signal source         analyzer.  Integration range is  up to 5 MHz for carrier frequencies below 40 MHz.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Programmable Drive Strength                                                                                                The    SiT8008     can  support      up   to  60  pF   or   higher    in

                                                                                                                           maximum    capacitive   loads       with  drive   strength   settings.

The                           SiT8008       includes  a        programmable       drive        strength                    Refer  to  the  Rise/Fall     Time   Tables   (Table   7     to  11)  to

feature to provide a simple, flexible tool to optimize the                                                                 determine  the     proper     drive  strength     for  the       desired

clock rise/fall time for specific applications. Benefits from                                                              combination of output load vs. rise/fall time.

the programmable drive strength feature are:                                                                               SiT8008 Drive Strength Selection

                        Improves system radiated electromagnetic interference                                             Tables 7 through 11 define the rise/fall time for a given

                         (EMI) by slowing down the clock rise/fall time.                                                   capacitive load and supply voltage.

                        Improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by

                         decreasing (speeding up) the clock rise/fall time.                                                1.     Select the table that matches the SiT8008 nominal

                         Ability to drive large capacitive loads while maintaining                                                supply voltage (1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.0V, 3.3V).

                                                                                                                          2.     Select      the  capacitive   load     column   that  matches

                         full swing with sharp edge rates.                                                                        the application requirement (5 pF to 60 pF)

For                      more        detailed    information        about     rise/fall   time  control                    3.     Under       the  capacitive   load     column,      select     the

and                      drive       strength    selection,         see  the  SiTime          Application                         desired rise/fall times.

Notes section.

EMI Reduction by Slowing Rise/Fall Time                                                                                    4.     The left-most column represents the part number

                                                                                                                                  code for the corresponding drive strength.

Figure                           16  shows       the  harmonic       power    reduction         as  the                    5.     Add the drive strength code to the part number for

rise/fall                        times      are  increased     (slowed        down).      The   rise/fall                         ordering purposes.

times are expressed as a ratio of the clock period. For the

ratio of 0.05, the signal is very close to a square wave. For                                                              Calculating Maximum Frequency

the ratio of 0.45, the rise/fall times are very close to near-

triangular waveform. These results, for example, show that                                                                 Any given rise/fall time in Table 7 through 11 dictates the

the 11th clock harmonic can be reduced by 35 dB if the                                                                     maximum frequency under which the oscillator can operate

rise/fall edge is increased from 5% of the period to 45% of                                                                with guaranteed full output swing over the entire operating

the period.                                                                                                                temperature range. This max frequency can be calculated

                                                                                                trise=0.05                 as the following:

                                                                                                trise=0.1

                         10                                                                     trise=0.15

                                                                                                trise=0.2                                             1

                         0                                                                      trise=0.25                 Max Frequency =

                                                                                                trise=0.3                                     5 x Trf_20/80

Harmonic amplitude (dB)  -10                                                                    trise=0.35

                                                                                                trise=0.4

                         -20                                                                    trise=0.45

                         -30                                                                                               where Trf_20/80 is the typical value for 20%-80% rise/fall time.

                         -40

                         -50                                                                                               Example 1

                         -60                                                                                               Calculate fMAX for the following condition:

                         -70

                         -80                                                                                                     Vdd = 1.8V (Table 7)

                              1             3               5              7              9                 11

                                                      Harmonic number                                                            Capacitive Load: 30 pF

                         Figure      16.    Harmonic EMI reduction as                  a  Function                               Desired Tr/f time = 3 ns

                                               of Slower Rise/Fall Time                                                           (rise/fall time part number code =         E)

                                                                                                                                 fMAX = 66.666660

Jitter Reduction with Faster Rise/Fall Time

Power supply noise can be a source of jitter for the down-                                                                 Part number for the above example:

stream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up

the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also                                                              SiT8008IE12-18E-66.666660

require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity

to                       this    type  of   jitter.   Refer    to   the  Rise/Fall        Time  Tables

(Table 7 to Table 11) to determine the proper drive strength.

                                                                                                                           Drive strength code is inserted here. Default setting is “-”

High Output Load Capability

The rise/fall time of the input clock varies as a function of

the                      actual      capacitive       load     the  clock     drives.     At  any  given

drive                            strength,  the  rise/fall     time      becomes       slower   as  the

output load increases. As an example, for a 3.3V SiT8008

device with default drive strength setting, the typical rise/fall

time is 1 ns for 15 pF output load. The typical rise/fall time

slows down to 2.6 ns when the output load increases to 45 pF.

One can choose to speed up the rise/fall time to 1.83 ns by

then increasing the drive strength setting on the SiT8008.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Rise/Fall Time (20% to 80%) vs                   CLOAD  Tables

Table 7. Vdd = 1.8V Rise/Fall Times                                         Table 8. Vdd = 2.5V Rise/Fall Times

for Specific CLOAD                                                          for Specific CLOAD

                        Rise/Fall Time Typ (ns)                                                         Rise/Fall Time Typ (ns)

Drive Strength \ CLOAD  5 pF  15 pF  30 pF       45 pF  60 pF                   Drive Strength \CLOAD   5 pF       15 pF     30 pF  45 pF  60 pF

          L             6.16  11.61  22.00       31.27  39.91                   L                       4.13       8.25      12.82  21.45  27.79

          A             3.19  6.35   11.00       16.01  21.52                   A                       2.11       4.27      7.64   11.20  14.49

          R             2.11  4.31   7.65        10.77  14.47                   R                       1.45       2.81      5.16   7.65   9.88

          B             1.65  3.23   5.79        8.18   11.08                   B                       1.09       2.20      3.88   5.86   7.57

          T             0.93  1.91   3.32        4.66   6.48                    T                       0.62       1.28      2.27   3.51   4.45

          E             0.78  1.66   2.94        4.09   5.74                    E or "‐": default       0.54       1.00      2.01   3.10   4.01

          U             0.70  1.48   2.64        3.68   5.09                    U                       0.43       0.96      1.81   2.79   3.65

F or "‐": default       0.65  1.30   2.40        3.35   4.56                    F                       0.34       0.88      1.64   2.54   3.32

Table 9. Vdd = 2.8V Rise/Fall Times                                         Table 10. Vdd = 3.0V Rise/Fall Times

for Specific CLOAD                                                          for Specific CLOAD

                        Rise/Fall Time Typ (ns)                                                         Rise/Fall  Time Typ  (ns)

Drive Strength \ CLOAD  5 pF  15 pF  30 pF       45 pF  60 pF                   Drive Strength \ CLOAD  5 pF       15 pF     30 pF  45 pF  60 pF

          L             3.77  7.54   12.28       19.57  25.27                   L                       3.60       7.21      11.97  18.74  24.30

          A             1.94  3.90   7.03        10.24  13.34                   A                       1.84       3.71      6.72   9.86   12.68

          R             1.29  2.57   4.72        7.01   9.06                    R                       1.22       2.46      4.54   6.76   8.62

          B             0.97  2.00   3.54        5.43   6.93                    B                       0.89       1.92      3.39   5.20   6.64

          T             0.55  1.12   2.08        3.22   4.08                    T or "‐": default       0.51       1.00      1.97   3.07   3.90

E or "‐": default       0.44  1.00   1.83        2.82   3.67                    E                       0.38       0.92      1.72   2.71   3.51

          U             0.34  0.88   1.64        2.52   3.30                    U                       0.30       0.83      1.55   2.40   3.13

          F             0.29  0.81   1.48        2.29   2.99                    F                       0.27       0.76      1.39   2.16   2.85

Table 11. Vdd = 3.3V Rise/Fall Times

for Specific CLOAD

                        Rise/Fall Time Typ (ns)

Drive Strength \ CLOAD  5 pF  15 pF  30 pF       45 pF  60 pF

          L             3.39  6.88   11.63       17.56  23.59

          A             1.74  3.50   6.38        8.98   12.19

          R             1.16  2.33   4.29        6.04   8.34

          B             0.81  1.82   3.22        4.52   6.33

T or "‐": default       0.46  1.00   1.86        2.60   3.84

          E             0.33  0.87   1.64        2.30   3.35

          U             0.28  0.79   1.46        2.05   2.93

          F             0.25  0.72   1.31        1.83   2.61

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Pin 1 Configuration Options (OE, S̅ T̅ ̅ , or NC)

Pin 1 of the SiT8008 can be factory-programmed to support

three     modes:       Output    Enable       (OE),    Standby           (S̅ T̅ ̅ )  or

No Connect (NC). These modes can also be programmed

with the Time Machine using field programmable devices.

Output Enable (OE) Mode

In the OE mode, applying logic Low to the OE pin only

disables the output driver and puts it in Hi-Z mode. The

core of the device continues to operate normally. Power

consumption is reduced due to the inactivity of the output.

When      the      OE  pin   is  pulled   High,  the   output        is  typically                            Figure 18. Startup Waveform vs. Vdd

enabled in <1 µs.                                                                                                 (Zoomed-in View of Figure 17)

Standby (S̅ T̅ ̅ ) Mode                                                                           Instant Samples with Time Machine and

In  the   S̅ T̅ ̅  mode,  a    device  enters    into  the  standby      mode                     Field Programmable Oscillators

when Pin 1 pulled Low. All internal circuits of the device are                                    SiTime supports a field programmable version of the SiT8008

turned off. The current is reduced to a standby current,                                          low  power      oscillator  for  fast  prototyping     and      real  time

typically in the range of a few µA. When S̅ T̅ ̅ is pulled High,                                  customization of features. The field programmable devices

the device goes through the “resume” process, which can                                           (FP  devices)    are  available  for       all  five  standard  SiT8008

take up to 5 ms.                                                                                  package     sizes    and    can  be    configured      to  one’s      exact

No Connect (NC) Mode                                                                              specification using the Time Machine II, an USB powered

In the NC mode, the device always operates in its normal                                          MEMS oscillator programmer.

mode and outputs the specified frequency regardless of the                                        Customizable Features of the SiT8008 FP Devices Include

logic level on pin 1.

Table 12 below summarizes the key relevant parameters                                                    Frequency between 1 MHz to 110 MHz

in the operation of the device in OE, S̅ T̅ ̅ , or NC mode.                                              Three frequency stability options,

Table 12. OE vs. S̅ T̅ ̅ vs. NC                                                                           ±20 ppm, ±25 ppm, ±50 ppm

                                                                                                         Two operating temperatures, -20 to 70°C or

                                                 OE         S̅ T̅ ̅      NC                               -40 to 85°C

Active current 20 MHz (max, 1.8V)             4.1 mA   4.1 mA            4.1 mA                          Six supply voltage options, 1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.0V,

OE disable current (max. 1.8V)                4 mA          N/A          N/A                              3.3V and 2.25 to 3.63V continuous

Standby current (typical 1.8V)                 N/A     0.6 µA            N/A                             Output drive strength

OE enable time at 77.76 MHz (max)             138 ns        N/A          N/A                              OE, S̅ T̅ ̅  or NC mode

Resume time from standby                                                                               

(max, all frequency)                           N/A          5 ms         N/A

                                                                                                  For more information regarding SiTime’s field programmable

Output driver in OE disable/standby           High Z        weak         N/A                      solutions,  see      Time   Machine    II  and  Field  Programmable

mode                                                   pull-down                                  Oscillators.

Output on Startup and Resume                                                                      SiT8008     is  typically   factory-programmed             per  customer

The SiT8008 comes with gated output. Its clock output is                                          ordering codes for volume delivery.

accurate to the rated frequency stability within the first pulse

from initial device startup or resume from the standby mode.

In addition, the SiT8008 features “no runt” pulses and “no

glitch”   output       during    startup  or  resume   as   shown        in          the

waveform captures in Figure 17 and Figure 18.

                   Figure 17. Startup Waveform vs. Vdd

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Dimensions and Patterns

                     Package Size – Dimensions (Unit: mm)[10]                                                  Recommended  Land Pattern (Unit:  mm)   [11]

2.0 x 1.6 x 0.75 mm

2.5  x    2.0 x 0.75  mm

              2.5     ± 0.05                                                                                                1.9

                                                                    1.00

          #4                  #3                        #3                     #4

                                  2.0 ± 0.05  1.1

          YXXXX                                                                    0.5                         1. 5

          #1                  #2                          #2                   #1                                                                1.0

                                                          0.75

                                  0.75        ±       0.05                                                                        1.1

3.2  x    2.5 x 0.75 mm

              3.2 ± 0.05                                            2.1                                                     2.2

          #4                  #3                      #3                  #4

                                  2.5 ± 0.05  0.9                                                              1.9

          YXXXX                                                                    0.7

          #1                  #2                      #2                  #1                                                                     1. 2

                                                                          0.9

                                                                                                                                  1.4

                                  0.75             ±  0.05

5.0  x    3.2 x 0.75 mm

                                                                                                                            2.54

              5.0 ± 0.05                                            2.39

              #4          #3                                    #3        #4

                                  0.05             0.8

                                  ±                                                                            2. 2

              YXXXX               3.2                                                   1.1

              #1          #2                                    #2        #1                                                                     1.6

                                                                          1.15                                                    1.5

                                              0.75 ± 0.05

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Dimensions and Patterns

                     Package Size – Dimensions (Unit: mm)[10]                                       Recommended Land Pattern (Unit:          mm)[11]

7.0 x 5.0 x 0.90 mm

                     7.0 ± 0.05                           5.08                                            5.08

                                 5.0 ± 0.05  2.6                                                    3.81

          YXXXX

                                                                     1.1

                                                                                                                                             2.0

                                                                1.4

                                                                                                                2.2

                                             0.90 ± 0.10

Notes:

10.     Top marking:  Y denotes manufacturing     origin and  XXXX  denotes     manufacturing  lot  number. The value of “Y” will depend on  the as sembly  location  of

        the device.

11.     A capacitor of value 0.1 µF or higher between Vdd and GND is required.

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SiT8008B Low Power Programmable Oscillator

Ordering Information

The Part No. Guide is for reference only. To customize and build an exact part     number,  use    the SiTime

Part Number Generator.

                              SiT8008BC-12-18E- 66.666660D

                                                                   Packing Method

             Revision Letter

             Temperature Range

                           al, -20ºC to

                                                                   Supply Voltage

             Package Size

                                                                   Frequency Stability

Table 13. Ordering Codes for Supported Tape & Reel Packing Method

Device Size  16 mm T&R (3ku)    16 mm T&R (1ku)  12 mm T&R (3ku)  12 mm T&R (1ku)  8 mm T&R (3ku)  8  mm T&R (1ku)

(mm x mm)

2.0 x 1.6    –                           –       –                 –                    D             E

2.5 x 2.0    –                           –       –                 –                    D             E

3.2 x 2.5    –                           –       –                 –                    D             E

5.0 x 3.2    –                           –       T                 Y                    –             –

7.0 x 5.0    T                           Y       –                 –                    –             –

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Table 14. Additional    Information

Document                       Description                                                                  Download Link

Time Machine II                MEMS oscillator programmer                                                   http://www.sitime.com/support/time-machine-oscillator-programmer

Field Programmable             Devices that can be programmable in the field by                             http://www.sitime.com/products/field-programmable-oscillators

Oscillators                    Time Machine II

Manufacturing Notes            Tape & Reel dimension, reflow profile and other                              http://www.sitime.com/manufacturing-notes

                               manufacturing related info

Qualification Reports          RoHS report, reliability reports, composition reports                        http://www.sitime.com/support/quality-and-reliability

Performance Reports            Additional performance data such as phase noise,                             http://www.sitime.com/support/performance-measurement-report

                               current consumption and jitter for selected frequencies

Termination Techniques         Termination design recommendations                                           http://www.sitime.com/support/application-notes

Layout Techniques              Layout recommendations                                                       http://www.sitime.com/support/application-notes

Table 15.    Revision History

Revision         Release Date                                                                               Change Summary

1.0                06/10/2014  First Production Release

1.01               05/07/2015  Revised the Electrical Characteristics, Timing Diagrams and Performance                      Plots

                               Revised 2016 package diagram

1.02               06/18/2015  Added 16 mm T&R information to Table 13

                               Revised 12 mm T&R information to Table 13

1.03               08/30/2016  Revised part number example in the ordering information

1.04               01/30/2018  Updated logo and company address, other page layout changes

                               Revised 2520 package land pattern

SiTime Corporation, 5451 Patrick Henry Drive, Santa Clara, CA 95054, USA | Phone: +1-408-328-4400 | Fax: +1-408-328-4439

© SiTime Corporation 2014-2018. The information contained herein is subject to change at any time without notice. SiTime assumes no responsibility or liability f or any loss, damage

or defect of a Product which is caused in whole or in part by (i) use of any circuitry other than circuitry embodied in a SiTime product, (ii) misuse or abuse including static discharge, neglect

or accident, (iii) unauthorized modification or repairs which have been soldered or altered during assembly and are not capable of being tested by SiTime under its normal test conditions, or

(iv) improper installation, storage, handling, warehousing or transportation, or (v) being subjected to unusual physical, thermal, or electrical stress.

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Silicon   MEMS  Outperforms Quartz

                Supplemental                       Information

The Supplemental Information section is not part of the datasheet and is for informational purposes only.

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Silicon MEMS Outperforms Quartz

Best Reliability                                                                                                            Best Electro Magnetic Susceptibility (EMS)

Silicon            is   inherently         more  reliable                than      quartz.                 Unlike           SiTime’s oscillators in plastic packages are up to 54 times

quartz suppliers, SiTime has in-house MEMS and analog                                                                       more   immune      to  external  electromagnetic    fields  than

CMOS               expertise,      which      allows                  SiTime       to  develop             the              quartz oscillators as shown in Figure 3.

most               reliable   products.       Figure                  1  shows     a                    comparison          Why is SiTime Best in Class:

with quartz technology.

Why is SiTime Best in Class:                                                                                                      Internal differential architecture for best common

                                                                                                                                   mode noise rejection

                  SiTime’s MEMS resonators are vacuum sealed

                   using  an       advanced      EpiSeal™                     process,                     which                  Electrostatically driven MEMS resonator is more

                   eliminates      foreign    particles                  and  improves                     long                    immune to EMS

                   term aging and reliability

                  World-class MEMS and CMOS design expertise

                                   Reliability (Million Hours)

               SiTime                                                                                      1,140

                   IDT    38

                                                                                                                                   KYCA        EPSN        TXC        CW  SLAB          SiTime

               EPSN       28

                                                                                                                                Figure 3. Electro Magnetic Susceptibility (EMS)[3]

                        Figure 1. Reliability Comparison[1]                                                                 Best Power Supply Noise Rejection

                                                                                                                            SiTime’s MEMS oscillators are more resilient against noise

Best Aging                                                                                                                  on the power supply. A comparison is shown in Figure 4.

Unlike             quartz,         MEMS       oscillators                have      excellent               long             Why is SiTime Best in Class:

term aging performance which is why every new SiTime                                                                              On-chip     regulators       and   internal  differential

product specifies 10-year aging. A comparison is shown                                                                             architecture for common mode noise rejection

in Figure 2.

Why is SiTime Best in Class:                                                                                                      MEMS resonator is paired with advanced analog

                   SiTime’s    MEMS           resonators                 are  vacuum                       sealed                  CMOS IC



                   using  an       advanced      EpiSeal™                     process,                     which                                   SiTime       EPSN      KYCA

                   eliminates      foreign    particles                  and  improves                     long

                   term aging and reliability

                  Inherently      better     immunity                   of   electrostatically

                   driven MEMS resonator

                                   MEMS vs. Quartz Aging

                              ESpiTiSiemael MOEsMcSillaOtsocrillator  QQuuaartrztzOOscsilclaitlolartor

               10

               8                                                                                        8

Aging ( PPM)  6

               4                           3                                  3.5                                                  Figure  4.  Power  Supply    Noise     Rejection[4]

               2              1.5

               0

                                   1-Year                                     10-Year

                              Figure 2. Aging Comparison[2]

Rev 1.04                                                                                                   Page     15  of  17                                                  www.sitime.com
Silicon MEMS Outperforms Quartz

Best Vibration Robustness                                                                                         Best Shock Robustness

High-vibration environments are all around us. All electronics,                                                   SiTime’s oscillators can withstand at least 50,000 g shock.

from handheld devices to enterprise servers and storage                                                           They all maintain their electrical performance in operation

systems                                  are  subject    to  vibration.   Figure    5  shows        a             during shock events. A comparison with quartz devices is

comparison of vibration robustness.                                                                               shown in Figure 6.

Why is SiTime Best in Class:                                                                                      Why is SiTime Best in Class:

                                 The moving mass of SiTime’s MEMS resonators                                           The moving mass of SiTime’s MEMS resonators

                                  is up to 3000 times smaller than quartz                                                is up to 3000 times smaller than quartz

                                 Center-anchored        MEMS     resonator     is  the   most                          Center-anchored  MEMS  resonator         is  the  most

                                  robust design                                                                          robust design

                                              TXCC  EPS      CW   KYCCAA  SLAB  ESpiTiSimeael MEMS

   Vibration Sensitivity (ppb/g)  100.0

                                  10.0

                                  1.0

                                  0.1

                                  0.0

                                         10                  100                    1000

                                                    Vibration Frequency (Hz)                                             KYCA  EPSN       TXC   CW  SLAB              SiTime

                                             Figure 5. Vibration Robustness[5]                                                 Figure 6. Shock Robustness[6]

Figure labels:

  TXC = TXC

  Epson = EPSN

  Connor Winfield = CW

  Kyocera = KYCA

  SiLabs = SLAB

  SiTime = EpiSeal MEMS

Rev 1.04                                                                                            Page  16  of  17                                              www.sitime.com
Silicon MEMS Outperforms Quartz

Notes:

1.  Data source: Reliability documents of named companies.

2.  Data source: SiTime and quartz oscillator devices datasheets.

3.  Test conditions for Electro Magnetic Susceptibility (EMS):

       According to IEC EN61000-4.3 (Electromagnetic compatibility standard)

       Field strength: 3V/m

       Radiated signal modulation: AM 1 kHz at 80% depth

       Carrier frequency scan: 80 MHz – 1 GHz in 1% steps

       Antenna polarization: Vertical

       DUT position: Center aligned to antenna

    Devices used in this test:

        Label                           Manufacturer               Part Number                                       Technology

        EpiSeal MEMS                    SiTime                     SiT9120AC-1D2-33E156.250000                       MEMS + PLL

        EPSN                            Epson                      EG-2102CA156.2500M-PHPAL3                         Quartz, SAW

        TXC                             TXC                        BB-156.250MBE-T                                   Quartz, 3rd Overtone

        CW                              Conner Winfield            P123-156.25M                                      Quartz, 3rd Overtone

        KYCA                            AVX Kyocera                KC7050T156.250P30E00                              Quartz, SAW

        SLAB                            SiLab                      590AB-BDG                                         Quartz, 3rd Overtone  +  PLL

4.  50 mV pk-pk Sinusoidal voltage.

    Devices used in this test:

        Label                           Manufacturer               Part Number                                       Technology

        EpiSeal MEMS                    SiTime                     SiT8208AI-33-33E-25.000000                        MEMS + PLL

        NDK                             NDK                        NZ2523SB-25.6M                                    Quartz

        KYCA                            AVX Kyocera                KC2016B25M0C1GE00                                 Quartz

        EPSN                            Epson                      SG-310SCF-25M0-MB3                                Quartz

5.  Devices used in this test:

        same as EMS test stated in Note 3.

6.  Test conditions for shock test:

       MIL-STD-883F Method 2002

       Condition A: half sine wave shock pulse, 500-g, 1ms

       Continuous frequency measurement in 100 μs gate time for 10 seconds

    Devices used in this test:

        same as EMS test stated in Note 3.

7.  Additional data, including setup and detailed results, is available upon request to qualified customer.  Please  contact productsupport@sitime.com.

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SiTime:

SiT8008BI-82-25E-40.00000X   SIT8008BI-12-25E-80.000000G   SIT8008BI-12-33E-62.500000G   SIT8008BI-73-33E-

31.250000G  SIT8008BI-12-25E-25.000000G   SiT8008BC-81-33E-4.718592X       SiT8008BI-13-18E-24.000000G

SiT8008BI-23-33E-16.000000G  SiT8008BC-11-33S-13.91222G    SiT8008BC-11-33S-14.64000G    SiT8008BC-33-18E-

33.333330X  SiT8008BI-73-33E-80.000000G   SIT8008BI-31-33E-6.000000G   SIT8008BI-31-33E-80.000000X

SiT8008BI-32-18E-98.304000X  SIT8008BI-33-33S-90.000000X   SIT8008BI-73-25E-33.333330G   SiT8008BI-73-33E-

20.000000G  SIT8008BI-31-33E-050.211000X     SIT8008BI-31-33E-059.407060X  SIT8008BI-31-33E-100.000000X

SIT8008BI-31-33E-12.000000G  SIT8008BI-31-33E-27.299640X   SIT8008BI-31-33E-59.497670X   SIT8008BI-12-18S-

12.00000G   SIT8008BI-12-18S-2.048000G    SiT8008BI-13-33E-16.000000G  SiT8008BI-13-33E-3.6864000G

SiT8008BI-21-18S-70.00000G   SiT8008BI-22-33E-24.000000G   SiT8008BC-33-33E-4.718592X   SiT8008BC-71-18E-

10.000000G  SIT8008BI-11-18E-33.333333G   SIT8008BI-11-25E-66.000000G      SIT8008BI-12-18E-20.7500G

SIT8008BI-12-18E24.54545G    SiT8008BI-33-18E-100.000000Y  SiT8008BC-23-25E-32.000000G   SiT8008BI-12-33E-

65.000000E  SiT8008BIL11-33S-24.806000E   SiT8008BC-12-33S-8.000000E       SiT8008BC-82-33E24.998125X

SiT8008BC-12-33S-8.000000G   SiT8008BC-82-33E24.998125Y    SiT8008BI-21-33E-45.000000G   SiT8008BI-21-33E-

45.000000E  SIT8008BC-83-33E-2.457600Y    SIT8008BI-12-33E-65.000000G      SiT8008BI-11-33E-47.388500E

SiT8008BI-33-33E-16.000000Y  SiT8008BI-33-33E-16.000000X   SiT8008BIR23-XXS-100.000000E  SiT8008BIR23-

XXS-100.000000G  SiT8008BI-31-XXS-10.00000X  SiT8008BI-33-18E-100.000000X  SIT8008BC-83-33E-2.457600X

SiT8008BC-23-25E-32.000000E  SIT8008BIL11-33S-24.806000G   SiT8008BI-11-33E-47.388500G   SiT8008BI-31-XXS-

10.00000Y   SiT8008BI-83-33E-25.000000Y   SiT8008BI-12-XXE-1.843200E   SiT8008BI-12-18E-11.289600E

SiT8008BI-12-XXE-8.000000E   SIT8008BI-83-33E-66.666000Y   SiT8008BI-32-33E-8.000000Y   SiT8008BI-12-18E-

1.843200E   SiT8008BI-82-33E-100.000000Y  SiT8008BI-12-18E-8.000000E   SiT8008BI-12-33E-11.289600E

SiT8008BI-82-33E-16.000000Y  SiT8008BI-12-25E-11.289600E   SiT8008BC-82-33E-3.686400Y    SiT8008BC-82-33E-

12.288000Y  SiT8008BI-32-33E-12.288000Y   SiT8008BI-22-33E-2.048000E   SiT8008BI-13-XXS-25.000000G

SiT8008BC-12-33S-18.100000G  SiT8008BC-23-33E-90.000000G   SiT8008BC-12-33E-24.000000G   SiT8008BI-11-

18E-28.636363E   SiT8008BI-21-33E-2.097000G  SiT8920AM-23-33E-48.000000D

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