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STK1820F

器件型号:STK1820F
厂商名称:AUK [AUK corp]
厂商官网:http://www.auk.co.kr/english/index.html
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STK1820F器件文档内容

`                                                                                  STK1820F

                 Semiconductor                                                           Advanced Power MOSFET

DC-DC CONVERTER APPLICATION                                                     Package Code
                                                                                    TO-220F-3L
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS

Features

High Voltage: BVDSS=200V(Min.)

Low Crss : Crss=22pF(Typ.)
Low gate charge : Qg=30nC(Typ.)
Low RDS(on) :RDS(on)=0.17(Max.)

Ordering Information

Type NO.                        Marking

STK1820F                        STK1820

Outline Dimensions                                                                         unit : mm

                                            3.05~3.35

                                9.80~10.20                                      2.60~3.00

          15.40~15.80
                  12.20~12.60
                         9.10~9.30
                                                                     3.46 Typ.

                    1.07 Min.
                    0.90 Max.

                    2.54 Typ.               2.54 Typ.                           0.60 Max.

                                123                                                      PIN Connections
                                                                                         1. Gate
                    4.70 Max.                                                            2. Drain
                          2.70 Max.                                                      3. Source

                                                                    0.60 Max.                                         1

                                KSD-T0O011-000
                                                                          STK1820F

Absolute maximum ratings                          Symbol       Rating        (Tc=25C)

                Characteristic                    VDSS           200      Unit
                                                                 30
Drain-source voltage                             VGSS            18        V
Gate-source voltage                                              8.6       V
                                                                  72        A
Drain current (DC)                            ID  (Tc=25)         30        A
                                                                  18        A
                                                  (Tc=100)       396        W
                                                                  18        A
Drain current (Pulsed) *                          IDP                      mJ
                                                  PD             13.9       A
Drain Power dissipation                           IAS            150       mJ
                                                  EAS         -55~150
Avalanche current (Single)                        IAR                       C

Single pulsed avalanche energy                                            Unit

Avalanche current (Repetitive)                                            /W

Repetitive avalanche energy                       EAR

Junction temperature                               TJ
Storage temperature range                         Tstg

* Limited by maximum junction temperature

            Characteristic                        Symbol      Typ.  Max

Thermal             Junction-case                  Rth(J-C)    -    4.16
resistance          Junction-ambient               Rth(J-a)    -    62.5

                                              KSD-T0O011-000                        2
                                                                                  STK1820F

Electrical Characteristics                                                                 (Tc=25C)

           Characteristic         Symbol   Test Condition                   Min.  Typ.  Max. Unit

Drain-source breakdown voltage    BVDSS    ID=250A, VGS=0                   200     -     -  V
                                  VGS(th)  ID=250A, VDS= VGS                2.0     -
Gate-threshold voltage                     VDS=200V, VGS=0V                          -  4.0   V
                                    IDSS   VDS=0V, VGS=30V                    -     -
Drain-source leakage current        IGSS   VGS=10V, ID=9A                      -  0.14  10    A
                                  RDS(ON)  VDS=40V, ID=9A                      -   8.5
Gate-source leakage                  gfs                                       -  840   100 nA
                                   Ciss    VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz             -  150
Drain-Source on-resistance         Coss                                        -   22   0.17  
                                                                               -   24
Forward transfer admittance                                                    -   29      -  S
                                                                               -   68
Input capacitance                                                              -   29   1260
                                                                               -   30
Output capacitance                                                             -   4.8  225   pF
                                                                               -  11.5
Reverse transfer capacitance      Crss                                         -        33

Turn-on delay time                td(on)                                                36
                                    tr
Rise time                                  VDD=100V, ID=18A                             43
                                  td(off)  RG=25                                                     ns
                                    tf
Turn-off delay time                Qg                                                   102
                                   Qgs
Fall time                          Qgd                                                  43

Total gate charge                                                                       45

Gate-source charge                         VDD=100V, VGS=10V                            7.2   nC

Gate-drain charge                          ID=18A                                       17.3

                                                                        

Source-Drain Diode Ratings and Characteristics                                               (Tc=25C)

           Characteristic         Symbol   Test Condition                   Min   Typ   Max Unit

Continuous source current         IS       Integral reverse diode             -     -   18
                                                                              -     -                 A
Source current (Pulsed)           ISP      in the MOSFET                      -     -
                                                                              -   253   72
                                                                              -   2.63
Forward voltage                   VSD      VGS=0V, IS=18A                               1.4   V

Reverse recovery time             trr      Is=18A, VGS=0V                               -     ns
Reverse recovery charge
                                  Qrr      dis/dt=100A/us                               -     uC

Note ;
  Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
  L=2.0mH, IAS=18A, VDD=50V, RG=25
  Pulse Test : Pulse Width 300us, Duty cycle 2%
  Essentially independent of operating temperature

                                       KSD-T0O011-000                                                    3
Electrical Characteristic Curves                            STK1820F

    Fig. 1 ID - VDS                       Fig. 2 ID - VGS

                         :

                     -                    Fig. 4 IS - VSD

Fig. 3 RDS(on) - ID

                 

Fig. 5 Capacitance - VDS                  Fig. 6 VGS - QG

                                                                                                                        

                          KSD-T0O011-000                                                                                  4
                                                                                                                    STK1820F

Fig. 7 VDSS - TJ                                                                               Fig. 8 RDS(on) - TJ

                                                                                                                                                              C

                                                                            C                    Fig. 10 Safe Operating Area

        Fig. 9 ID - TC                                                                         *
`

                                                                               KSD-T0O011-000                                                                    5
                                                     STK1820F

Fig. 11 Gate Charge Test Circuit & Waveform

Fig. 12 Resistive Switching Test Circuit & Waveform

Fig. 13 EAS Test Circuit & Waveform

                                     KSD-T0O011-000            6
                                                             STK1820F

Fig. 14 Diode Reverse Recovery Time Test Circuit & Waveform

KSD-T0O011-000                                                         7
                STK1820F

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KSD-T0O011-000                                                                          8
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