电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

STD18GK14

器件型号:STD18GK14
文件大小:18877.07KB,共4页
厂商名称:Sirectifier Global Corp.
厂商官网:http://www.sirectsemi.com/
下载文档

器件描述

thyristor-diode modules, diode-thyristor modules

STD18GK14器件文档内容

                                          STD/SDT18

                  Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

                                                                    Dimensions in mm (1mm=0.0394")

                                    Type             VRSM     VRRM
                                                              VDRM
                                                     VDSM
                                                                V
                                                     V        800
                                                              1200
                                    STD/SDT18GK08 900         1400
                                                              1600
                                    STD/SDT18GK12 1300        1800

                                    STD/SDT18GK14 1500

                                    STD/SDT18GK16 1700

                                    STD/SDT18GK18 1900

Symbol                              Test Conditions                 Maximum Ratings     Unit
                                                                                          A
I , I TRMS FRMS TVJ=TVJM                                                       40
I , I TAVM FAVM TC=85oC; 180o sine                                             18         A
                                                                              400
            TVJ=45oC                t=10ms (50Hz), sine                       420        A2s
                                    t=8.3ms (60Hz), sine                      350
ITSM, IFSM  VR=0                    t=10ms(50Hz), sine                        370       A/us
            TVJ=TVJM                t=8.3ms(60Hz), sine                       800
                                                                              730       V/us
            VR=0                    t=10ms (50Hz), sine                       600         W
                                    t=8.3ms (60Hz), sine                      570         W
            TVJ=45oC                t=10ms(50Hz), sine                        150         V
                                    t=8.3ms(60Hz), sine                                   oC
i2dt        VR=0                                                              500        V~
            TVJ=TVJM
                                                                             1000     Nm/lb.in.
            VR=0                                                                           g
                                                                               10
(di/dt)cr   TVJ=TVJM                repetitive, IT=45A                          5
            f=50Hz, tp=200us        non repetitive, IT=ITAVM                  0.5
            VD=2/3VDRM                                                         10
            IG=0.45A                                                      -40...+125
            diG/dt=0.45A/us                                                   125
                                                                          -40...+125
(dv/dt)cr   TVJ=TVJM;               VDR=2/3VDRM                              3000
                                                                             3600
            RGK= ; method 1 (linear voltage rise)                      2.5-4.0/22-35
                                                                       2.5-4.0/22-35
PGM         TVJ=TVJM                tp=30us                                    90
            IT=ITAVM                tp=300us

PGAV

VRGM

TVJ
TVJM
Tstg

VISOL       50/60Hz, RMS            t=1min
            IISOL<_1mA              t=1s

Md          Mounting torque (M5)
            Terminal connection torque (M5)

Weight Typical including screws
                      STD/SDT18

        Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

Symbol          Test Conditions                                               Characteristic Values  Unit

IRRM, IDRM TVJ=TVJM; VR=VRRM; VD=VDRM                                         3                      mA
VT, VF IT, IF=80A; TVJ=25oC
   VTO For power-loss calculations only (TVJ=125oC)                           2.05                   V

                                                                              0.85                   V

rT                                                                           18                     m
VGT VD=6V;
                                  TVJ=25oC                                    1.5                    V
                                  TVJ=-40oC                                   1.6
                                  TVJ=25oC
IGT     VD=6V;                    TVJ=-40oC                                   100                    mA
                                                                              200

VGD TVJ=TVJM;                     VD=2/3VDRM                                  0.2                    V

IGD                                                                           10                     mA

IL      TVJ=25oC; tp=10us; VD=6V                                              450                    mA
        IG=0.45A; diG/dt=0.45A/us

IH      TVJ=25oC; VD=6V; RGK=                                                 200                    mA

tgd     TVJ=25oC; VD=1/2VDRM                                                  2                      us
        IG=0.45A; diG/dt=0.45A/us

tq      TVJ=TVJM; IT=20A; tp=200us; -di/dt=10A/us    typ.                     150                    us
        VR=100V; dv/dt=20V/us; VD=2/3VDRM

QS TVJ=TVJM; IT, IF=25A; -di/dt=0.64A/us                                      50                     uC

IRM                                                                           6                      A

           per thyristor/diode; DC current                                    1.3                    K/W
RthJC per module                                                              0.65

           per thyristor/diode; DC current                                    1.5                    K/W
RthJK per module                                                              0.75

dS Creeping distance on surface                                               12.7                   mm

dA Strike distance through air                                                9.6                    mm

a Maximum allowable acceleration                                              50                     m/s2

FEATURES                                     APPLICATIONS                     ADVANTAGES

* International standard package             * DC motor control               * Space and weight savings
* Copper base plate                          * Softstart AC motor controller  * Simple mounting with two screws
* Planar passivated chips                    * Light, heat and temperature    * Improved temperature and power

* Isolation voltage 3600 V~                    control                          cycling
                                                                              * Reduced protection circuits
              STD/SDT18

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

Fig. 1 Surge overload current           Fig. 2 i2dt versus time (1-10 ms)            Fig. 2a Maximum forward current
        ITSM: Crest value, t: duration                                                         at case temperature

                                                                                         10  1: IGT, TVJ = 125 C
                                                                                         V   2: IGT, TVJ = 25 C
                                                                                     VG      3: IGT, TVJ = -40 C

                                                                                                                       3

                                                                                     1                            2           56

                                                                                             1

                                                                                                                          4

                                                                                             IGD, TVJ = 125 C             4: PGAV = 0.5 W
                                                                                                                          5: PGM = 5 W
                                                                                     0.1                                  6: PGM = 10 W

                                                                                     100     101                  102          103 mA 104
                                                                                                                             IG

Fig. 3 Power dissipation versus on-state current and ambient temperature             Fig. 4 Gate trigger characteristics
          (per thyristor)
                                                                                     1000

                                                                                                                             TVJ = 25 C

                                                                                          s  typ.                 Limit
                                                                                     tgd

                                                                                        100

                                                                                     10

                                                                   3 x STD/SDT18     1                                        mA 1000

Fig. 5 Three phase rectifier bridge: Power dissipation versus direct output current  10                           100
        and ambient temperature
                                                                                                                          IG

                                                                                     Fig. 6 Gate trigger delay time
              STD/SDT18

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

                                                                                                     Fig. 7 Three phase AC-controller:
                                                                                                              Power dissipation versus RMS
                                                                                                              output current and ambient
                                                                                                              temperature

                                              3 x STD/SDT18

STD/SDT18   Fig. 8 Transient thermal impedance
STD/SDT18          junction to case (per thyristor)

            RthJC for various conduction angles d:

                d          RthJC (K/W)
               DC
               180oC       1.3
               120oC       1.35
                60oC       1.39
                30oC       1.42
                           1.45

            Constants for ZthJC calculation:

            i         Rthi (K/W)        ti (s)

            1         0.018             0.0033

            2         0.041             0.0216

            3         1.241             0.191

            Fig. 9 Transient thermal impedance
                      junction to heatsink (per thyristor)

            RthJK for various conduction angles d:

               d           RthJK (K/W)

               DC          1.5
               180oC       1.55
               120oC       1.59
                           1.62
                60oC       1.65
                30oC

            Constants for ZthJK calculation:

            i         Rthi (K/W)        ti (s)

            1         0.018             0.0033

            2         0.041             0.0216

            3         1.241             0.191

            4         0.2               0.46
This datasheet has been downloaded from:
            datasheet.eeworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved