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ST1N60-251

器件型号:ST1N60-251
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厂商名称:Suntac
厂商官网:http://suntac-semi.myweb.hinet.net/
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器件描述

power mosfet

ST1N60-251器件文档内容

                                                                                                                                 ST1N60

                                                                                                                       POWER MOSFET

GENERAL DESCRIPTION                                                               FEATURES

This high voltage MOSFET uses an advanced termination                             ‹  Robust High Voltage Termination

scheme to provide enhanced voltage-blocking capability                            ‹  Avalanche Energy Specified

without degrading performance over time. In addition, this                        ‹  Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a

advanced MOSFET is designed to withstand high energy in                              Discrete Fast Recovery Diode

avalanche and commutation modes. The new energy                                   ‹  Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

efficient design also offers a drain-to-source diode with a                       ‹  IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

fast recovery time. Designed for high voltage, high speed

switching applications in power supplies, converters and

PWM motor controls, these devices are particularly well

suited for bridge circuits where diode speed and

commutating safe operating areas are critical and offer

additional and safety margin against unexpected voltage

transients.

PIN CONFIGURATION                                                                 SYMBOL

             TO-251                           TO-252                                                                   D

Front View                                    Front View

             GATE  DRAIN  SOURCE              GATE       DRAIN  SOURCE                                    G

                                                                                                                       S

             1     2      3                   1          2      3

                                                                                                          N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                                              Rating                                                         Symbol       Value         Unit

Drain to Current          Ё       Continuous                                                                 ID           1.0            A

                          Ё Pulsed                                                                           IDM          9.0

Gate-to-Source Voltage Ё Continue                                                                            VGS          ±30            V

                                  Ё Non-repetitive                                                           VGSM         ±40            V

Total Power Dissipation                                                                                      PD                          W

TO-251/252                                                                                                                  50

Operating and Storage Temperature Range                                                                      TJ, TSTG     -55 to 150     к

Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy                   Ё       TJ = 25к                             EAS            20           mJ

(VDD = 100V, VGS = 10V, IAS = 2A, L = 10mH, RG = 25ȍ)

Thermal Resistance Ё Junction to Case                                                                        șJC          1.0           к/W

                                  Ё Junction to Ambient                                                      șJA          62.5

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from                        case  for  10  seconds     TL           260            к

                                                                                                                                        Page 1
                                                                                                      ST1N60

                                                                                             POWER MOSFET

ORDERING INFORMATION

           Part Number                                   Package

.................ST1N60-251...........................................TO-251

.................ST1N60-252...........................................TO-252

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Unless otherwise specified, TJ = 25к.

                                                                                             CST1N60

                                Characteristic                                Symbol    Min  Typ      Max  Units

Drain-Source Breakdown Voltage                                                V(BR)DSS  600                        V

(VGS = 0 V, ID = 250    ӴA)

Drain-Source Leakage Current                                                  IDSS                         mA

(VDS = 600 V, VGS = 0 V)                                                                              0.1

(VDS = 480 V, VGS = 0 V, TJ = 125к)                                                                   0.3

Gate-Source Leakage Current-Forward                                           IGSSF                   100  nA

(Vgsf = 20 V, VDS = 0 V)

Gate-Source Leakage Current-Reverse                                           IGSSR                   100  nA

(Vgsr = 20 V, VDS = 0 V)

Gate Threshold Voltage                                                        VGS(th)   2.0           4.0          V

(VDS = VGS, ID = 250    ӴA)

Static Drain-Source On-Resistance (VGS = 10 V, ID = 0.6A) *                   RDS(on)                 8.0          ȍ

Forward Transconductance (VDS   Њ    50 V, ID = 0.5A) *                       gFS       0.5                mhos

Input Capacitance                               (VDS = 25 V, VGS = 0 V,       Ciss           210           pF

Output Capacitance                                                            Coss           28            pF

Reverse Transfer Capacitance                    f = 1.0 MHz)                  Crss           4.2           pF

Turn-On Delay Time                     (VDD = 300 V, ID = 1.0 A,              td(on)         8             ns

Rise Time                                                                     tr             21            ns

Turn-Off Delay Time                                      VGS = 10 V,          td(off)        18            ns

Fall Time                                                RG = 18ȍ) *          tf             24            ns

Total Gate Charge                      (VDS = 400 V, ID = 1.0 A,              Qg             8.5      14   nC

Gate-Source Charge                                                            Qgs            1.8           nC

Gate-Drain Charge                               VGS = 10 V)*                  Qgd            4             nC

Internal Drain Inductance                                                     LD             4.5           nH

(Measured from the drain lead 0.25” from package to center of die)

Internal Drain Inductance                                                     LS             7.5           nH

(Measured from the source lead 0.25” from package to source bond pad)

SOURCE-DRAIN DIODE CHARACTERISTICS

Forward On-Voltage(1)                           (IS = 1.0 A, VGS = 0 V,       VSD                     1.5          V

Forward Turn-On Time                            dIS/dt = 100A/µs)             ton            **            ns

Reverse Recovery Time                                                         trr            350      500  ns

* Pulse Test: Pulse Width Љ300µs, Duty Cycle Љ2%

** Negligible, Dominated by circuit inductance

                                                                                                           Page 2
                                    ST1N60

                                    POWER MOSFET

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

                                    Page 3
               ST1N60

               POWER MOSFET

TO-251/TO-252

               Page 4
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