datasheet

电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

SST12LP14C-QVCE

器件型号:SST12LP14C-QVCE
器件类别:微波射频   
厂商名称:SST
厂商官网:http://www.ssti.com
下载文档

SST12LP14C-QVCE在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SST12LP14C-QVCE ¥4.97 1 点击查看 点击购买

器件描述

2400 MHz - 2485 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER

2400 MHz - 2485 MHz 射频/微波窄带中功率放大器

参数

SST12LP14C-QVCE最大工作温度 85 Cel
SST12LP14C-QVCE最小工作温度 -40 Cel
SST12LP14C-QVCE最大输入功率 5 dBm
SST12LP14C-QVCE最大工作频率 2485 MHz
SST12LP14C-QVCE最小工作频率 2400 MHz
SST12LP14C-QVCE加工封装描述 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MO-220JVEED-4, VQFN-16
SST12LP14C-QVCE无铅 Yes
SST12LP14C-QVCE欧盟RoHS规范 Yes
SST12LP14C-QVCE中国RoHS规范 Yes
SST12LP14C-QVCE状态 ACTIVE
SST12LP14C-QVCE结构 COMPONENT
SST12LP14C-QVCE端子涂层 NOT SPECIFIED
SST12LP14C-QVCE阻抗特性 50 ohm
SST12LP14C-QVCE微波射频类型 NARROW BAND MEDIUM POWER

文档预览

SST12LP14C-QVCE器件文档内容

   2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

                                       SST12LP14C

                                        SST-GP1214A2.4 GHz High Gain High Power PA  Preliminary Specifications

FEATURES:

High Gain:                                                                         High temperature stability
                                                                                        ~1 dB power variation between 0C to +85C
    Typically 32 dB gain across 2.4~2.5 GHz over
       temperature 0C to +85C                                                      Low shut-down current (< 0.1 A)
                                                                                     Excellent On-chip power detection
High linear output power:
                                                                                        <+/- 0.5dB variation between 0C to +85C
    >26 dBm P1dB                                                                      <+/- 0.3dB variation Ch1 through Ch14
       - Please refer to "Absolute Maximum Stress                                    20 dB dynamic range on-chip power detection
          Ratings" on page 4                                                         Simple input/output matching
                                                                                     Packages available
    Meets 802.11g OFDM ACPR requirement up to                                          16-contact VQFN 3mm x 3mm
       23 dBm                                                                        All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant

    ~4% added EVM up to 20 dBm for 54 Mbps                                        APPLICATIONS:
       802.11g signal
                                                                                     WLAN (IEEE 802.11b/g)
    Meets 802.11b ACPR requirement up to 22.5                                     Home RF
       dBm                                                                           Cordless phones
                                                                                     2.4 GHz ISM wireless equipment
High power-added efficiency/Low operating
    current for both 802.11b/g applications

    ~29%/205 mA @ POUT = 23 dBm for 802.11g
    ~27%/195 mA @ POUT = 22.5 dBm for 802.11b

Single-pin low IREF power-up/-down control

    IREF <2 mA

Low idle current

    ~100 mA ICQ

High-speed power-up/-down

    Turn on/off time (10%- 90%) <100 ns
    Typical power-up/-down delay with driver delay

       included <200 ns

PRODUCT DESCRIPTION                                                                 current make the this device ideal for the final stage power
                                                                                    amplification in battery-powered 802.11b/g WLAN transmit-
The SST12LP14C is a versatile power amplifier based on                              ter applications.
the highly-reliable InGaP/GaAs HBT technology.
                                                                                    This power amplifier has an excellent on-chip and single-
The SST12LP14C can be easily configured for high-power                              ended power detector, which features a wide range
applications with good power-added efficiency (PAE) while                           (>15 dB) with dB-wise linearization and high stability over
operating over the 2.4- 2.5 GHz frequency band. It typically                        temperature (+/-0.5 dB 0C to +85C), and over frequency
provides 32 dB gain with 29% PAE @ POUT = 23 dBm for                                (<+/-0.3 dB across Channels 1 through 14). The on-chip
802.11g and 27% power-added efficiency @ POUT = 22.5                                power detector provides a reliable solution to board-level
dBm for 802.11b.                                                                    power control.

This power amplifier has excellent linearity, typically ~4%                         The SST12LP14C is offered in 16-contact VQFN package.
added EVM at 20 dBm output power. This is essential for                             See Figure 2 for pin assignments and Table 1 for pin
54 Mbps 802.11g operation while meeting 802.11g spec-                               descriptions.
trum mask up to 23 dBm.

The SST12LP14C also features easy board-level usage
along with high-speed power-up/-down control through a
single combined reference voltage pin. Ultra-low reference
current (total IREF ~2 mA) makes the SST12LP14C control-
lable by an on/off switching signal directly from the base-
band chip. These features coupled with low operating

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                              The SST logo and SuperFlash are registered Trademarks of Silicon Storage Technology, Inc.
                                                                                                                                  These specifications are subject to change without notice.
S71353-00-000  02/07

1
                                       2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
                                                                                        SST12LP14C

Preliminary Specifications

FUNCTIONAL BLOCKS

                                    VCC1
                                              NC
                                                        NC
                                                                  NC

                                    16 15 14 13

                            NC 1                                                         12 VCC2

                            RFIN 2                                                       11 RFOUT

                            RFIN 3     Bias Circuit                                             10 RFOUT
                              NC 4                                                               9 Det
                                                                                         8
                                    5  6                                              7
                                                                                                          1353 B1.1
                                                                 NC
                                                        VREF
                                             VREF
                                    VCCb

FIGURE 1: Functional Block Diagram

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                               S71353-00-000  02/07

                                                                                   2
2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier                                                            Preliminary Specifications
SST12LP14C

PIN ASSIGNMENTS

                                        VCC1
                                                NC
                                                        NC
                                                                NC

                                        16 15 14 13

                                  NC 1      Top View                                  12 VCC2
                                RFIN 2                                                11 RFOUT
                                RFIN 3  (contacts facing down)                        10 RFOUT
                                                                                      9 Det
                                  NC 4   RF and DC GND
                                                    0

                                        5 678

                                                               NC                     1353 16-vqfn P1.0
                                                       VREF
                                               VREF
                                        VCCb

FIGURE 2: Pin Assignments for 16-contact VQFN

PIN DESCRIPTIONS

TABLE 1: Pin Description

Symbol  Pin No.       Pin Name          Type1                                         Function
GND         0         Ground                                                          The center pad should be connected to RF ground with
                                           I                                          several low inductance, low resistance vias
NC      1             No Connection        I                                          Unconnected pin
                                        PWR                                           RF input
RFIN    2             No Connection     PWR                                           RF input
                      Power Supply      PWR                                           Unconnected pin
RFIN    3                                 O                                           Supply voltage for bias circuit
                      No Connection       O                                           1st and 2nd stage idle current control
NC      4                                 O                                           1st and 2nd stage idle current control
                      Power Supply      PWR                                           Unconnected pin
VCCb    5             No Connection                                                   On-chip power detector
                      No Connection     PWR                                           RF output
VREF    6             No Connection                                                   RF output
                      Power Supply                                                    Power supply, 2nd stage
VREF    7                                                                             Unconnected pin
                                                                                      Unconnected pin
NC      8                                                                             Unconnected pin
                                                                                      Power supply, 1st stage
Det     9
                                                                                                                                                                                            T1.0 1353
RFOUT   10

RFOUT   11

VCC2    12

NC      13

NC      14

NC      15

VCC1    16

1. I=Input, O=Output

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                   S71353-00-000  02/07

                                                                                   3
                                                 2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
                                                                                                   SST12LP14C

Preliminary Specifications

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

The AC and DC specifications for the power amplifier interface signals. Refer to Table 2 for the DC voltage and current spec-
ifications. Refer to Figures 3 through Figure 12 for the RF performance.

Absolute Maximum Stress Ratings (Applied conditions greater than those listed under "Absolute Maximum
Stress Ratings" may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation
of the device at these conditions or conditions greater than those defined in the operational sections of this data
sheet is not implied. Exposure to absolute maximum stress rating conditions may affect device reliability.)

Input power to pins 2 and 3 (PIN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5 dBm
Average output power (POUT)1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +26 dBm
Supply Voltage at pins 5, 12, and 16 (VCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +4.0V
Reference voltage to pins 6 and 7 (VREF) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +3.3V
DC supply current (ICC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400 mA
Operating Temperature (TA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40C to +85C
Storage Temperature (TSTG) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40C to +120C
Maximum Junction Temperature (TJ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C
Surface Mount Solder Reflow Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260C for 10 seconds

     1. Never measure with CW source. Pulsed single-tone source with <50% duty cycle is recommended. Exceeding the maximum rating
         of average output power could cause permanent damage to the device.

Operating Range

Range       Ambient Temp    VCC
Industrial  -40C to +85C  3.3V

TABLE 2: DC Electrical Characteristics

Symbol                                 Parameter                                     Min.  Typ Max.       Unit  Test Conditions
VCC         Supply Voltage at pins 5, 12, 16                                           3.0  3.3 3.6          V
ICC         Supply Current
                                                                                            205             mA
ICQ             for 802.11g, 23 dBm                                                         195             mA
IOFF            for 802.11b, 22.5 dBm                                                       100             mA
VREG        Idle current for 802.11g to meet EVM<4% @ 20 dBm                                                A
            Shut down current                                                                         0.1    V
            Reference Voltage for, with 30 resistor                                         2.85 2.95

                                                                                                                                  T2.2 1353

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                           S71353-00-000    02/07

                                                                                   4
2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
SST12LP14C

                                                                                                 Preliminary Specifications

TABLE 3: AC Electrical Characteristics for Configuration

Symbol          Parameter                                                             Min.  Typ  Max.            Unit
FL-U            Frequency range                                                       2400                       MHz
POUT            Output power                                                                     2485
                                                                                       22                        dBm
G                   @ PIN = -9 dBm 11b signals                                         20    32                  dBm
GVAR1               @ PIN = -11 dBm 11g signals                                        31                  0.5   dB
GVAR2           Small signal gain                                                                                 dB
ACPR            Gain variation over band (2400~2485 MHz)                               22   0.2                   dB
                Gain ripple over channel (20 MHz)                                      22   22.5                 dBm
Added EVM       Meet 11b spectrum mask                                                       23                  dBm
2f, 3f, 4f, 5f  Meet 11g OFDM 54 Mbps spectrum mask
                @ 20 dBm output with 11g OFDM 54 Mbps signal                                  4                   %
                Harmonics at 22 dBm, without external filters                                               -48  dBc

                                                                                                                      T3.3 1353

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                           S71353-00-000  02/07

                                                                                   5
                                                 2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
                                                                                                   SST12LP14C

Preliminary Specifications

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
TEST CONDITIONS: VCC = 3.3V, TA = 25C, UNLESS OTHERWISE SPECIFIED

                             S11 versus Frequency                                                                                                       S12 versus Frequency

          0                                                                                     0

                                                                                                                                    -10
           -5

                                                                                                                                    -20
          -10

                                                                                                                                    -30
S11 (dB)                                                                              S12 (dB)
          -15                                                                                   -40

                                                                                                                                    -50
          -20

                                                                                                                                    -60
          -25

                                                                                                                                    -70

          -30                                                                                   -80

              0.0  1.0  2.0  3.0  4.0         5.0  6.0  7.0                                        0.0                                        1.0  2.0  3.0  4.0         5.0  6.0       7.0

                             Frequency (GHz)                                                                                                            Frequency (GHz)

                             S21 versus Frequency                                                                                                       S22 versus Frequency

          40                                                                                    0

S21 (dB)  30
                                                                                                                                     -5

          20
                                                                                                                                    -10

          10
                                                                                      S22 (dB)
          0                                                                                     -15

          -10
                                                                                                                                     -20

          -20
                                                                                                                                     -25

          -30

          -40                                                                                   -30

              0.0  1.0  2.0  3.0  4.0         5.0  6.0  7.0                                                                              0.0  1.0  2.0  3.0  4.0         5.0  6.0       7.0

                             Frequency (GHz)                                                                                                            Frequency (GHz)

                                                                                                                                                                              1353 SParm0.0

FIGURE 3: S-Parameters

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                                                                                   S71353-00-000  02/07

                                                                                   6
2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
SST12LP14C

                                                                                                                      Preliminary Specifications

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
TEST CONDITIONS: VCC = 3.3V, TA = 25C, 54 MBPS 802.11G OFDM SIGNAL

EVM (%)          10                            EVM versus Output Power
                  9
                  8            Freq=2.412 GHz
                  7            Freq=2.442 GHz
                  6            Freq=2.484 GHz
                  5
                  4     10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
                  3
                  2                                    Output Power (dBm)
                  1
                  0                                                                                                                                                           1353 F4.0
                     9

FIGURE 4: EVM versus Output Power

Power Gain (dB)  40                      Power Gain versus Output Power
                 38
                 36            Freq=2.412 GHz
                 34            Freq=2.442 GHz
                 32            Freq=2.484 GHz
                 30     10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
                 28
                 26                                    Output Power (dBm)
                 24
                 22                                                                                                                                                           1353 F5.0
                 20

                     9

FIGURE 5: Power Gain versus Output Power

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                S71353-00-000                                                                                      02/07

                                                                                   7
                                   2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
                                                                                    SST12LP14C

Preliminary Specifications

Supply Current (mA)  220               Supply Current versus Output Power
                     210
                     200      Freq=2.412 GHz
                     190      Freq=2.442 GHz
                     180      Freq=2.484 GHz
                     170
                     160      10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
                     150
                     140
                     130
                     120
                     110
                     100

                      90
                      80

                           9

                                   Output Power (dBm)

                                                                                      1353 F6.0

FIGURE 6: Total Current Consumption for 802.11g Operation versus Output Power

                     30                       PAE versus Output Power
                     28
                     26       Freq=2.412 GHz
                     24       Freq=2.442 GHz
                     22       Freq=2.484 GHz
                     20
PAE (%)              18
                     16
                     14       10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
                     12
                     10

                      8
                      6
                      4
                      2
                      0

                         9

                                   Output Power (dBm)

                                                                                      1353 F7.0

FIGURE 7: PAE versus Output Power

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                S71353-00-000  02/07

                                                                                   8
2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
SST12LP14C

                                                                                            Preliminary Specifications

                      10

                      0                                                                     Freq = 2.412 GHZ
                                                                                            Freq = 2.442 GHz
                      -10                                                                   Freq = 2.484 GHz

Amplitude (dB)        -20

                      -30

                      -40

                      -50

                      -60

                      -70        2.4 0                   2 .45                        2.50      2.55
                          2.3 5
                                                                                            1353 F8.0
                                                         Frequency (GHz)

FIGURE 8: 802.11g Spectrum Mask at 23 dBm

                                 Detector Voltage versus Output Power

                      1.60

                      1.50       Freq=2.412 GHz @ 25 C
                                 Freq=2.442 GHz @ 25 C

Detector Voltage (V)  1.40       Freq=2.484 GHz @ 25 C

                                 Freq=2.412 GHz @ 0 C

                      1.30       Freq=2.442 GHz @ 0 C

                                 Freq=2.484 GHz @ 0 C

                      1.20       Freq=2.412 GHz @ 85 C

                      1.10       Freq=2.442 GHz @ 85 C

                                 Freq=2.484 GHz @ 85 C

                      1.00

                      0.90

                      0.80

                      0.70

                      0.60
                             0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

                                        Output Power (dBm)                                  1353 F9.0

FIGURE 9: Detector Characteristics over Temperature and over Frequency

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                        S71353-00-000  02/07

                                                                                   9
                                                   2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
                                                                                                    SST12LP14C

Preliminary Specifications

                                            Detector Voltage versus Output Power

                                      1.60

                                      1.50  Freq=2.412 GHz (Matched)

                                            Freq=2.442 GHz (Matched)

                                      1.40  Freq=2.484 GHz (Matched)

                Detector Voltage (V)        Freq=2.412 GHz (Min)

                                      1.30  Freq=2.442 GHz (Min)
                                            Freq=2.484 GHz (Min)

                                      1.20  Freq=2.412 GHz (Max)
                                            Freq=2.442 GHz (Max)

                                      1.10  Freq=2.484 GHz (Max)

                                      1.00

                                      0.90

                                      0.80

                                      0.70

                                      0.60
                                             0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

                                                                  Output Power (dBm)

                                                                                              1353 F10.0

FIGURE 10: Detector Characteristics over Frequency with 2:1 Output VSWR All Phases

                10

                0                                                                             Freq = 2.412 GHz
                                                                                              Freq = 2.442 GHz
                -10                                                                           Freq = 2.484 GHz

Amplitude (dB)  -20

                -30

                -40

                -50

                -60

                -70

                -80                         2. 40                     2.45             2. 50       2.55
                    2.35
                                                                                              1353 F11.0
                                                                      Frequency (GHz)

FIGURE 11: 802.11b Spectrum Mast at 22.5 dBm

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                        S71353-00-000     02/07

                                                                                   10
2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
SST12LP14C

                                                                                                                      Preliminary Specifications

Supply Current (mA)  220                               Supply Current versus Output Power
                     210
                     200                   Freq=2.412 GHz
                     190                   Freq=2.442 GHz
                     180                   Freq=2.484 GHz
                     170
                     160      10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
                     150
                     140
                     130
                     120
                     110
                     100

                      90
                      80

                           9

                                                            Output Power (dBm)

                                                                                                                                1353 F12.0

FIGURE 12: Total Current Consumption for 802.11b Operation versus Output Power

                                                                                                                      10 F
                                                                                                                                               Vcc

                                                                                           0.1 F

                                              100 pF

                                                   16 15 14 13                                     12 nH / 0603

                                           1                                           12

                  47 pF       50 /110 mil  2                                           11               50 / 140 mil     47 pF
50  RFin                       1.2 pF                                                  10                             2.0 pF
                                                                                        9                                       RFOUT 50
                                                                                8
                                           3
                                                        Bias Circuit

                                           4

                                                   5  6     7                                                    Suggested operation conditions:
                                                                                                                   1. VCC = 3.3V
                                           0.1 F                                                10 pF             2. Center slug to RF ground
                                                                                           Det                     3. VREG=2.85V with R1=30

                                                      100 pF
                                                                      R1 = 30

                                                      VREG                                                                                          1353 Schematic 1.1

FIGURE 13: Typical Schematic for High-Power/High-Efficiency 802.11b/g Applications

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                                                              S71353-00-000       02/07

                                                                                   11
                                                 2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
                                                                                                   SST12LP14C

Preliminary Specifications

PRODUCT ORDERING INFORMATION

SST12LP 14C - QVC E
SSTXXLP XXX - XXX X

                                                                                       Environmental Attribute
                                                                                            E1 = non-Pb contact (lead) finish

                                                                                       Package Modifier
                                                                                            C = 16 contact

                                                                                       Package Type
                                                                                            QV = VQFN

                                                                                       Version

                                                                                       Product Family Identifier

                                                                                       Product Type
                                                                                            P = Power Amplifier

                                                                                       Voltage
                                                                                            L = 3.0-3.6V

                                                                                       Frequency of Operation
                                                                                            2 = 2.4 GHz

                                                                                       Product Line
                                                                                            1 = SST Communications

                                                                                       1. Environmental suffix "E" denotes non-Pb solder.
                                                                                          SST non-Pb solder devices are "RoHS Compliant".

Valid combinations for SST12LP14C
SST12LP14C-QVCE

SST12LP14C Evaluation Kits
SST12LP14C-QVCE-K

   Note: Valid combinations are those products in mass production or will be in mass production. Consult your SST sales
            representative to confirm availability of valid combinations and to determine availability of new combinations.

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                                         S71353-00-000  02/07

                                                                                   12
2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier                                                       Preliminary Specifications
SST12LP14C

PACKAGING DIAGRAMS

        TOP VIEW                          SIDE VIEW                                    BOTTOM VIEW

Pin #1                                                   0.2                                        See notes
                                                                                                     2 and 3
                                3.00                      0.075                            1.7          Pin #1
                              0.075                  0.05 Max                                 1.7
          3.00                            1.00                                                           0.5 BSC
         0.075                           0.80                                         0.30
                                                                                       0.18            0.45
                                                                                                       0.35

                                                                                                                                                                                                   1mm

                                                                                                                                                                                         16-vqfn-3x3-QVC-2.0

        Note: 1. Complies with JEDEC JEP95 MO-220J, variant VEED-4 except external paddle nominal dimensions.
                2. From the bottom view, the pin #1 indicator may be either a 45-degree chamfer or a half-circle notch.
                3. The external paddle is electrically connected to the die back-side and possibly to certain VSS leads.
                    This paddle can be soldered to the PC board; it is suggested to connect this paddle to the VSS of the unit.
                    Connection of this paddle to any other voltage potential can result in shorts and/or electrical malfunction of the device.
                4. Untoleranced dimensions are nominal target dimensions.
                5. All linear dimensions are in millimeters (max/min).

FIGURE 14: 16-contact Very-thin Quad Flat No-lead (VQFN)
                  SST Package Code: QVC

TABLE 4: Revision History                 Description                                                  Date
  Revision                                                                                          Feb 2007
      00 Initial release of data sheet

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                              S71353-00-000                                                                                             02/07

                                                                                   13
                                             2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
                                                                                              SST12LP14C

Preliminary Specifications

CONTACT INFORMATION

Marketing

     SST Communications Corp.
     5340 Alla Road, Ste. 210
     Los Angeles, CA 90066
     Tel: 310-577-3600
     Fax: 310-577-3605

Sales and Marketing Offices                                                            ASIA PACIFIC NORTH

    NORTH AMERICA                                                                      SST Macao
                                                                                       H. H. Chang
    Silicon Storage Technology, Inc.                                                   Senior Director, Sales
    Les Crowder                                                                        Room N, 6th Floor,
    Technical Sales Support - North America                                            Macao Finance Center, No. 202A-246,
    Tel: 949-495-6437                                                                  Rua de Pequim, Macau
    Fax: 949-495-6364                                                                  Tel: (853) 706-022
    E-mail: lcrowder@sst.com                                                           Fax: (853) 706-023
                                                                                       E-mail: hchang@sst.com

EUROPE                                                                                 ASIA PACIFIC SOUTH

Silicon Storage Technology Ltd.                                                        SST Communications Co.
Ralph Thomson                                                                          Sunny Tzeng
Director, Field Applications Engineering                                               Country Manager
Mark House                                                                             16F-6, No. 75, Sec.1,
9-11 Queens Road                                                                       Sintai 5th Rd
Hersham KT12 5LU UK                                                                    Sijhih City, Taipei County 22101, Taiwan, R.O.C.
Tel: +44 (0) 1869 321 431                                                              Tel: +886-2-8698-1168
Cell: +44 (0) 7787 508 919                                                             Fax: +886-2-8698-1169
E-mail: rthomson@sst.com                                                               E-mail: stzeng@sst.com

JAPAN                                                                                  KOREA

SST Japan                                                                              SST Korea
Kiyomi Akaba                                                                           Charlie Shin
Country Manager                                                                        Country Manager
9F Toshin-Tameike Bldg, 1-1-14 Akasaka,                                                Rm# 1101 DonGu Root Bldg, 16-2 Sunae-Dong,
Minato-ku, Tokyo, Japan 107-0052                                                       Bundang-Gu, Sungnam, Kyunggi-Do
Tel: (81) 3-5575-5515                                                                  Korea, 463-020
Fax: (81) 3-5575-5516                                                                  Tel: (82) 31-715-9138
Email: kakaba@sst.com                                                                  Fax: (82) 31-715-9137
                                                                                       Email: cshin@sst.com

Silicon Storage Technology, Inc. 1171 Sonora Court Sunnyvale, CA 94086 Telephone 408-735-9110 Fax 408-735-9036
                                                         www.SuperFlash.com or www.sst.com

2007 Silicon Storage Technology, Inc.                                                 S71353-00-000                                     02/07

                                                                                   14
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

小广播

SST12LP14C-QVCE器件购买:

数量 单价(人民币) mouser购买
1 ¥4.97 购买
10 ¥4.12 购买
25 ¥3.40 购买
100 ¥3.01 购买

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved