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SST12LP07A-QXBE

器件型号:SST12LP07A-QXBE
器件类别:热门应用    无线_射频_通信   
厂商名称:Microchip
厂商官网:https://www.microchip.com
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器件描述

RF Amplifier 2.4-2.5GHz 3.3V 220mA ICC 802.11 b/g

参数

产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
RF Amplifier
制造商:
Manufacturer:
Microchip
RoHS:YES
类型:
Type:
Gain Amplifier
Operating Frequency:2484 MHz
Gain:28 dB
P1dB - Compression Point:28 dBm
测试频率:
Test Frequency:
2.4 GHz
工作电源电压:
Operating Supply Voltage:
3.3 V
工作电源电流:
Operating Supply Current:
220 mA (Typ)
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 40 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 85 C
安装风格:
Mounting Style:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Package / Case:
XQFN EP
封装:
Packaging:
Reel
封装:
Packaging:
MouseReel
封装:
Packaging:
Cut Tape
商标:
Brand:
Microchip Technology
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
3000
电源电压-最大:
Supply Voltage - Max:
3.6 V
电源电压-最小:
Supply Voltage - Min:
3 V

SST12LP07A-QXBE器件文档内容

PCROONPFRIIDEETANTRIYALAND              2.4 GHz    High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                                         SST12LP07A

                                                                                                                            Data Sheet

                 The SST12LP07A is a versatile power amplifier based on the highly-reliable InGaP/

                 GaAs HBT technology. It is easily configured for high-power applications with excel-

                 lent (30.8%) power-added efficiency, operating over the 2.4- 2.5 GHz frequency band

                 and meeting 802.11 b/g spectrum mask at 23.5 dBm. The SST12LP07A has excellent

                 linearity, typically ~2.5% added EVM at 20 dBm output power, which is essential for 54

                 Mbps 802.g/n operation. The Power Amplifier has an excellent on-chip, single-ended

                 power                  detector,  providing  a  reliable  solution  to  board-level  power  control.  The

                 SST12LP07A is offered in a 12-contact XQFN package.

Features

•  High Gain:                                                              •         High temperature stability

   – Typically 28 dB gain across 2.4~2.5 GHz over tempera-                           – ~1 dB gain/power variation between 0°C to +85°C

   ture 0°C to +85°C

                                                                           •         Excellent On-chip power detection

•  High linear output power:

   – >28 dBm P1dB                                                          •         20 dB dynamic range on-chip power detection

   - Please refer to “Absolute Maximum Stress Ratings” on                  •         Simple input/output matching

   page 5

   – Meets 802.11g OFDM ACPR requirement up to 23.5 dBm

   – ~2.5% added EVM up to 20 dBm for                                      •         Packages available

   54 Mbps 802.11g signal                                                            – 12-contact XQFN – 2mm x 2mm

   – Meets 802.11b ACPR requirement up to 24 dBm

•  High power-added efficiency/Low operating cur-                          •         All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant

   rent for both 802.11g/b applications

   – ~30.8%/220 mA @ POUT = 23.5 dBm for both 802.11g                      Applications

   and 802.11b

•  Single-pin low IREF power-up/down control                               • WLAN (IEEE 802.11g/b)

   – IREF <2 mA

•  Low idle current                                                        • Home RF

   – ~70 mA ICQ                                                            • Cordless phones

•  High-speed power-up/down                                                • 2.4 GHz ISM wireless equipment

   – Turn on/off time (10%- 90%) <100 ns

   – Typical power-up/down delay with driver delay included

   <200 ns

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                           www.microchip.com                                          DS75035B    05/12
PCROONPFRIIDEETANTRIYALAND              2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                         SST12LP07A

                                                                                                   Data Sheet

Product  Description

         The SST12LP07A is a versatile power amplifier based on the highly-reliable InGaP/GaAs HBT tech-

         nology.

         The SST12LP07A can be easily configured for high-power applications with good power-added effi-

         ciency while operating over the 2.4- 2.5 GHz frequency band. It typically provides 28 dB gain with

         30.8% power-added efficiency @ POUT = 23.5 dBm for both 802.11g and 802.11b.

         The SST12LP07A has excellent linearity, typically ~2.5% added EVM at 20 dBm output power which is

         essential for 54 Mbps 802.11g operation while meeting 802.11g spectrum mask at 23.5 dBm.

         The SST12LP07A also features easy board-level usage along with high-speed power-up/down control

         through a single combined reference voltage pin. Ultra-low reference current (total IREF ~2 mA) makes

         the SST12LP07A controllable by an on/off switching signal directly from the baseband chip. These fea-

         tures coupled with low operating current make the SST12LP07A ideal for the final stage power amplifi-

         cation in battery-powered 802.11g/b WLAN transmitter applications.

         The SST12LP07A has an excellent on-chip, single-ended power detector, which features wide-range

         (>15 dB) with dB-wise linearization. The excellent on-chip power detector provides a reliable solution

         to board-level power control.

         The SST12LP07A is offered in 12-contact XQFN package. See Figure 2 for pin assignments and Table

         1 for pin descriptions.

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                 DS75035B                  05/12

                                        2
PCROONPFRIIDEETANTRIYAVNNCCCC1LAND      2.4  GHz  High-Power,            High-Gain       Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                               SST12LP07A

                                                                                                        Data Sheet

Functional Blocks

                                                                   12    11      10

                                                  NC      1                           9  NC

                                                  RFIN    2                           8  RFOUT/VCC2

                                                  NC      3        Bias Circuit       7  NC

                                                                   4     5       6

                                                                   VCCb  VREF    DET

                                                                                             1391 B1.2

Figure 1:                               Functional Block  Diagram

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                       DS75035B   05/12

                                                             3
PCROONPFRIIDEETANTRIYA VNNCCCC1LAND     2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                                               SST12LP07A

                                                                                                                                                Data Sheet

Pin Assignments

                                                                                   12    11         10

                                                                  NC      1                                   9      NC

                                                                                         Top View

                                                                  RFIN    2              (Contacts            8      RFOUT/VCC2

                                                                                   facing down)

                                                                  NC      3                                   7      NC

                                                                                   4     5          6

                                                                                   VCCb  VREF       DET

                                                                                                                                     1391 P1.1

     Figure 2:                          Pin Assignments for 12-contact                   XQFN

Pin  Descriptions

     Table 1:                           Pin  Description

     Symbol                                  Pin No.              Pin Name               Type1      Function

     GND                                                      0   Ground                            Low-inductance GND pad

     NC                                                       1   No Connection                     Unconnected pin

     RFIN                                                     2                          I          RF input, DC decoupled

     NC                                                       3   No Connection                     Unconnected pin

     VCCb                                                     4   Power Supply           PWR        Supply voltage for bias circuit

     VREF                                                     5                          PWR        1st and 2nd stage idle current control

     Det                                                      6                          O          On-chip power detector

     NC                                                       7   No Connection                     Unconnected pin

     VCC2/RFOUT                                               8   Power Supply           PWR/O      Power Supply, 2nd stage / RF output

     NC                                                       9   No Connection                     Unconnected pin

     NC                                                       10  No Connection                     Unconnected pin

     VCC1                                                     11  Power Supply           PWR        Power supply, 1st stage

     NC                                                       12  No Connection                     Unconnected pin

                                                                                                                                                T1.0  75035

                                        1. I=Input, O=Output

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                                               DS75035B         05/12

                                                                                4
PCROONPFRIIDEETANTRIYALAND              2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                                                 SST12LP07A

                                                                                                                                           Data Sheet

Electrical Specifications

The AC and DC specifications for the power amplifier interface signals. Refer to Table 3 for the DC voltage and

current specifications. Refer to Figures 3 through 10 for the RF performance.

Absolute Maximum Stress Ratings (Applied conditions greater than those listed under “Absolute

Maximum Stress Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and

functional operation of the device at these conditions or conditions greater than those defined in the

operational sections of this data sheet is not implied. Exposure to absolute maximum stress rating con-

ditions may affect device reliability.)

Input power to pin 2 (PIN). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5 dBm

Average output power (POUT)1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +26 dBm

Supply Voltage at pins 4, 8, and 11 (VCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +4.6V

Reference voltage to pin 5 (VREF) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +3.3V

DC supply current (ICC)2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mA

Operating Temperature (TA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40ºC to +85ºC

Storage Temperature (TSTG) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .                     -40ºC to +120ºC

Maximum Junction Temperature (TJ)                                        ...........................................                           +150ºC

Surface Mount Solder Reflow Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C for 10 seconds

                                        1. Never measure with CW source. Pulsed single-tone source with <50% duty cycle is recommended. Exceeding the max-

                                        imum rating of average output power could cause permanent damage to the device.

                                        2. Measured with 100% duty cycle 54 Mbps 802.11g OFDM Signal

Table 2:                                Operating Range

Range                                                                              Ambient Temp                                      VCC

Industrial                                                                         -40°C to +85°C                                    3.3V

                                                                                                                                               T2.1 75035

Table 3:                                DC Electrical Characteristics at 25°C

Symbol                                                  Parameter                                     Min.  Typ          Max.  Unit  Test  Conditions

VCC                                     Supply Voltage at pins 4, 8, 11                               3.0   3.3          4.2   V

ICC                                     Supply Current

                                        for 802.11g, 23.5 dBm                                               220                mA

                                        for 802.11b, 23.5 dBm                                               220                mA

ICQ                                     Idle current for 802.11g to meet EVM ~2.5% @ 20 dBm                 70                 mA

VREG                                    Reference Voltage for, with 130 resistor                     2.75  2.85         2.95  V

                                                                                                                                               T3.1 75035

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                                               DS75035B               05/12

                                                                         5
PCROONPFRIIDEETANTRIYALAND              2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                        SST12LP07A

                                                                                                            Data Sheet

Table 4:                                AC Electrical Characteristics for Configuration at 25°C

Symbol                                  Parameter                                      Min.      Typ  Max.           Unit

FL-U                                    Frequency range                                2412           2484           MHz

G                                       Small signal gain                              27        28                  dB

GVAR1                                   Gain variation over band (2412–2484 MHz)                      ±0.5           dB

GVAR2                                   Gain ripple over channel (20 MHz)                        0.2                 dB

ACPR                                    Meet 11b spectrum mask                         23                            dBm

                                        Meet 11g OFDM 54 Mbps spectrum mask            23                            dBm

Added EVM                               @ 20 dBm output with 11g OFDM 54 Mbps signal             2.5                 %

2f, 3f, 4f, 5f                          Harmonics at 22 dBm, without external filters                 -40            dBc

                                                                                                                     T4.2 75035

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                     DS75035B        05/12

                                                                6
                                        S11(dB)IYALAND
                                           2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                                          SST12LP07A

                                                                                                                                               Data Sheet

Typical Performance Characteristics

Test Conditions: VCC = 3.3V, TA = 25°C, unless otherwise specified

                                                  S11 versus Frequency                                        S12  versus Frequency

                                        0                                                           0

                                        -5                                                          -10

                                                                                                    -20

                                        -10                                                         -30

S21 PCROONPFRII(dB)DEETANTR             -15                                               S12 (dB)  -40

                                        -20                                                         -50

                                                                                                    -60

                                        -25                                                         -70

                                        -30                                                         -80

                                        0.0  1.0  2.0  3.0  4.0         5.0     6.0  7.0            0.0  1.0  2.0  3.0  4.0         5.0        6.0  7.0

                                                       Frequency (GHz)                                             Frequency (GHz)

                                                  S21 versus Frequency                                        S22  versus Frequency

                                        40                                                          0

                                        30                                                          -5

                                        20

                                        10                                                          -10

                                        0                                                 S22 (dB)  -15

                                        -10                                                         -20

                                        -20

                                        -30                                                         -25

                                        -40                                                         -30

                                        0.0  1.0  2.0  3.0  4.0         5.0     6.0  7.0            0.0  1.0  2.0  3.0  4.0         5.0        6.0  7.0

                                                       Frequency (GHz)                                             Frequency (GHz)

                                                                                                                                         1391  S-Parms.1.0

Figure 3:                                    S-Parameters

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                                              DS75035B                05/12

                                                                             7
                                        EVMTR (%) IYALAND
                                        2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                             SST12LP07A

                                                                                                                   Data Sheet

Typical Performance Characteristics

Test Conditions: VCC = 3.3V, TA = 25°C, 54 Mbps 802.11g OFDM Signal

                                                                       EVM versus Output Power

                                            10

                                            9          Freq=2.412 GHz

                                            8          Freq=2.442 GHz

                                            7          Freq=2.484 GHz

                                            6

                                            5

Power PCROO GainN (dB)PFRIIDEETAN           4

                                            3

                                            2

                                            1

                                            0

                                                9  10  11  12  13      14  15    16  17        18  19  20  21  22         23

                                                                           Output Power (dBm)                  1391 F1.0

Figure                                  4:  EVM    versus Output Power

                                                               Power Gain versus Output Power

                                        40

                                        38             Freq=2.412 GHz

                                        36             Freq=2.442 GHz

                                        34             Freq=2.484 GHz

                                        32

                                        30

                                        28

                                        26

                                        24

                                        22

                                        20

                                            9      10  11  12  13      14  15    16  17    18      19  20  21  22  23

                                                                       Output Power (dBm)                      1391 F2.0

Figure                                  5:  Power      Gain versus Output Power

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                         DS75035B       05/12

                                                                       8
                                             SupplyTR CurrentIYA (mA) LAND
                                             2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                                      SST12LP07A

                                                                                                                            Data Sheet

                                                                       Supply Current versus Output Power

                                                 220

                                                 210           Freq=2.412 GHz

                                                 200           Freq=2.442 GHz

                                                 190

                                                 180           Freq=2.484 GHz

                                                 170

                                                 160

                                                 150

                                                 140

                                                 130

                                                 120

                                                 110
PAE PCROON (%)PFRIIDEETAN
                                                 100

                                                 90

                                                 80

                                                        9  10  11  12      13      14  15  16    17     18  19  20  21  22  23

                                                                                    Output Power (dBm)

                                                                                                                        1391 F3.0

                           Figure            6:  Total     Current Consumption for 802.11g operation versus Output      Power

                                                                           PAE versus Output     Power

                                                 30

                                                 28            Freq=2.412  GHz

                                                 26

                                                 24            Freq=2.442  GHz

                                                 22            Freq=2.484  GHz

                                                 20

                                                 18

                                                 16

                                                 14

                                                 12

                                                 10

                                                 8

                                                 6

                                                 4

                                                 2

                                                 0

                                                     9     10  11  12      13   14     15  16    17  18     19  20  21  22  23

                                                                                   Output Power  (dBm)

                                                                                                                        1391 F4.0

                           Figure            7:  PAE       versus Output   Power

©  2012  Silicon  Storage  Technology, Inc.                                                                             DS75035B   05/12

                                                                                9
                                        DetectorTRVoltageIYA (V) LAND
                                        2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                                  SST12LP07A

                                                                                                                                  Data Sheet

                                                             Detector Voltage versus Output Power

                                             1.7

                                             1.6         Freq=2.412 GHz

                                             1.5         Freq=2.442 GHz

                                             1.4         Freq=2.484 GHz

                                             1.3

                                             1.2

                                             1.1

                                             1.0

                                             0.9
Amplitude PCROONP (dB)FRIIDEETAN
                                             0.8

                                             0.7

                                                  9  10  11  12     13   14  15  16     17       18   19  20    21  22            23

                                                                             Output Power (dBm)

                                                                                                                    1391 F5.0

Figure                                  8:   Detector    Characteristics versus Output Power

                                        10

                                                                                                                Freq = 2.412 GHZ

                                        0

                                                                                                                Freq = 2.442 GHz

                                        -10                                                                     Freq = 2.484 GHz

                                        -20

                                        -30

                                        -40

                                        -50

                                        -60

                                        -70

                                             2.3 5           2.4 0               2 .45                    2.50                    2.55

                                                                             Frequency (GHz)

                                                                                                                                  1391 F6.0

Figure 9:                                    802.11g     Spectrum Mask   at  23.5 dBm, Total Current  220 mA

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                              DS75035B                 05/12

                                                                         10
PCROONPFRIIDEET AAmNplitude(dTRB)IYALAND2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                         SST12LP07A

                                                                                                       Data Sheet

Typical Performance Characteristics

Test Conditions: VCC = 3.3V, TA = 25°C, 1 Mbps 802.11b CCK Signal

                                        10

                                        0                                                              Freq = 2.412 GHZ

                                                                                                       Freq = 2.442 GHz

                                        -10                                                            Freq = 2.484 GHz

                                        -20

                                        -30

                                        -40

                                        -50                                                                                    1300 AmpVSFreqCCK.0.0

                                        -60

                                        -70

                                        -80

                                             2.35  2. 40              2.45                     2. 50                     2.55

                                                                      Frequency (GHz)

Figure 10:802.11b                                  Spectrum Mask  at  23.5 dBm, Total Current  220 mA

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                 DS75035B                05/12

                                                                  11
PCROONPFRIIDEETANTRIYALAND                    2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A  Microchip  Technology  Company                                                                                                                SST12LP07A

                                                                                                                                                                Data Sheet

                                                                                                                                                         Vcc

                                                                                                                                           1  F

                                                                                   R2 = 50  Ω

                                                                                                            0.1  F

                                                                                   0.1  F

                                                                   12        11             10              6.8 nH

                                                            1                                            9

                                              50 Ω/262 mil                                                          50Ω / 145 mil                100 pF

                                        RFin                2                                            8                                               RFOUT

                                              2.0 pF                                                                               2.2 pF

                                                            3      Bias      Circuit                     7

                                                                   4            5           6                       Suggested operation conditions:

                                                                                                                                   1. VCC = 3.3V

                                                                       100   pF                                                    2. VREG=2.85V

                                                            10 pF

                                                                                                                    Can be replaced by a ~1.5 nH chip

                                                                   R1 = 130  Ω                   22  pF             inductor for compactness.

                                                                             VREF           Det                                                               1391 Schematic 1.2

                          Figure              11:Typical    Schematic for High-Power/High-Efficiency 802.11b/g Applications

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                                                                        DS75035B            05/12

                                                                                 12
PCROONPFRIIDEETANTRIYALAND              2.4 GHz High-Power,         High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                    SST12LP07A

                                                                                               Data Sheet

Product Ordering Information

SST                                     12  LP    07A  -  QXBE

                                        XX  XX    XXX  -  XXXX

                                                                    Environmental Attribute

                                                                    E1 = non-Pb contact (lead)     finish

                                                                    Package Modifier

                                                                    B = 12 contact

                                                                    Package Type

                                                                    QX = XQFN

                                                                    Version

                                                                    Product Family Identifier

                                                                    Product Type

                                                                    P = Power Amplifier

                                                                    Voltage

                                                                    L = 3.0-3.6V

                                                                    Frequency of Operation

                                                                    2 = 2.4 GHz

                                                                    Product Line

                                                                    1 = RF Products

                                                                    1. Environmental suffix “E” denotes non-Pb sol-

                                                                    der. SST non-Pb solder devices are “RoHS

                                                                    Compliant”.

Valid combinations for SST12LP07A

SST12LP07A-QXBE

SST12LP07A Evaluation Kits

SST12LP07A-QXBE-K

Note:Valid combinations are those products in mass production or will be in mass production. Consult your SST

                                        sales representative to confirm availability of valid combinations and to determine availability of new combi-

                                        nations.

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                   DS75035B                                                       05/12

                                                                13
PCROONPFRIIDEETANTRIYALAND                          2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                                                                                   SST12LP07A

                                                                                                                                                                             Data Sheet

Packaging Diagrams

                                                    TOP VIEW                                  SIDE VIEW                         BOTTOM                                 VIEW

                                                    2.00                                                                                                                         See notes

                                                    ±0.05                                                                                                                        2 and 3

                                        Pin  1                                                                 0.075                                                             Pin       1

                                        (laser

engraved                                                                           2.00

see note 2)                                                                        ±0.05                                                                         0.92

                                                                                                                                                                                 0.4 BSC

                                                                                                                         0.265

                                                                                                                         0.165

                                                                                                               0.05 Max

                                                                                                         0.50                                              0.25        0.34

                                                                                                         0.40                                              0.15        0.24

                                                                                                                                                                                 1mm

                                                                                                                                                                       12-xqfn-2x2-QXB-2.0

                                        Note:   1.  Complies with JEDEC JEP95 MO-220J, variant VEED-4 except external paddle nominal dimensions and                    pull-back of terminals

                                                    from body edge.

                                                2.  The topside pin  1 indicator is laser engraved; its approximate shape and location is as shown.

                                                3.  From the bottom view, the pin  1 indicator may be either a curved indent or a 45-degree chamfer.

                                                3.  The external paddle is electrically connected to the die back-side and possibly to certain VSS leads.

                                                    This paddle must be soldered to the PC board; it is required to connect this paddle to the VSS of the unit.        Connection of this

                                                    paddle to any other voltage potential will result in shorts and electrical malfunction of the device.

                                                4.  Untoleranced dimensions are nominal target dimensions.

                                                5.  All linear dimensions are in millimeters (max/min).

Figure 12:12-Contact Extremely-thin Quad Flat No-lead (XQFN)

                                                    SST Package Code: QXB

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                                                                                 DS75035B                05/12

                                                                                          14
PCROONPFRIIDEETANTRIYALAND                  2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier

A Microchip Technology Company                                                                           SST12LP07A

                                                                                                                  Data Sheet

       Table 5:Revision History

       Revision                                                               Description                                   Date

                                        00  •  Initial release of data sheet                                      Aug 2008

                                        01  •  Revised “Features” and “Product Description” on page 2             Nov 2008

                                            •  Updated Table 3 and Table 4 on page 6

                                            •  Modified Figure 11

                                        02  •  Updated Contact Information                                        Mar 2009

                                        A   •  Updated “Absolute Maximum Stress Ratings” on page 5 from 4.0V to   Mar 2012

                                               4.6V

                                            •  Updated max Supply Voltage in Table 3 on page 5 from 3.6V to 4.2V

                                            •  Applied new document format

                                            •  Released document under letter revision system

                                            •  Updated Spec number from S71391 to DS75039

                                        B   •  Updated Figure 12 to reflect new Pin1 indicator.                   May 2012

ISBN:978-1-62076-315-5

© 2012 Silicon Storage Technology, Inc–a Microchip Technology Company. All rights reserved.

SST, Silicon Storage Technology, the SST logo, SuperFlash, MTP, and FlashFlex are registered trademarks of Silicon Storage Tech-

nology, Inc. MPF, SQI, Serial Quad I/O, and Z-Scale are trademarks of Silicon Storage Technology, Inc. All other trademarks and

registered trademarks mentioned herein are the property of their respective owners.

Specifications are subject to change without notice. Refer to www.microchip.com for the most recent documentation. For the most current

package drawings, please see the Packaging Specification located at http://www.microchip.com/packaging.

Memory sizes denote raw storage capacity; actual usable capacity may be less.

SST makes no warranty for the use of its products other than those expressly contained in the Standard Terms and Conditions of

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For sales office(s) location and information, please see www.microchip.com.

                                                     Silicon Storage Technology, Inc.

                                                     A Microchip Technology Company

                                                     www.microchip.com

©2012 Silicon Storage Technology, Inc.                                                                            DS75035B               05/12

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