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SSF4N60G

器件型号:SSF4N60G
厂商名称:SILIKRON
厂商官网:www.silikron.com
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器件描述

Main Product Characteristics

SSF4N60G器件文档内容

                                                                     SSF4N60G

Main Product Characteristics:

VDSS             600V

RDS(on) 1.85 (typ.)

ID               4A

                                  TO-251            Marking and pin  Schematic diagram
                                                      Assignment
Features and Benefits:

Advanced MOSFET process technology
Special designed for PWM, load switching and

      general purpose applications
Ultra low on-resistance with low gate charge
Fast switching and reverse body recovery
150 operating temperature

Description:

    It utilizes the latest processing techniques to achieve the high cell density and reduces the on-resistance with
  high repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable
  device for use in power switching application and a wide variety of other applications.

Absolute max Rating:

   Symbol        Parameter                                             Max.     Units
ID @ TC = 25C   Continuous Drain Current, VGS @ 10V                     4
ID @ TC = 100C  Continuous Drain Current, VGS @ 10V                    2.5       A
IDM              Pulsed Drain Current                                   16
                 Power Dissipation                                      77        W
PD @TC = 25C    Linear Derating Factor                                         W/C
                 Drain-Source Voltage                                  0.62
VDS              Gate-to-Source Voltage                                 600       V
VGS              Single Pulse Avalanche Energy @ L=25.9mH               30       V
EAS              Avalanche Current @ L=25.9mH                           117      mJ
IAS              Operating Junction and Storage Temperature Range                 A
TJ TSTG                                                                  3        C
                                                                   -55 to +150

Silikron Semiconductor CO.,LTD.       2012.12.13   Version : 1.0               page 1 of 8
                                  www.silikron.com
                                                                                       SSF4N60G

Thermal Resistance

Symbol    Characterizes                                                 Typ.           Max.          Units
RJC       Junction-to-case                                               --            1.61          /W
RJA       Junction-to-ambient (t  10s)                                   --            110           /W

Electrical Characterizes @TA=25 unless otherwise specified

Symbol    Parameter                             Min.   Typ.       Max.  Units          Conditions
V(BR)DSS  Drain-to-Source breakdown voltage      600      --       --     V            VGS = 0V, ID = 250A
                                                   --   1.85       2.4                 VGS=10V,ID = 2A
RDS(on)   Static Drain-to-Source on-resistance     --   4.36       --     V            TJ = 125
                                                   2      --        4    A             VDS = VGS, ID = 250A
VGS(th)   Gate threshold voltage                   --   2.36       --    nA            TJ = 125
                                                   --     --        1                  VDS = 600V,VGS = 0V
IDSS      Drain-to-Source leakage current          --     --       50    nC            TJ = 125
                                                   --     --      100                  VGS =30V
IGSS      Gate-to-Source forward leakage           --     --                           VGS = -30V
                                                   --    8.2      -100                 ID = 4A,
Qg        Total gate charge                        --    2.6       --                  VDS=480V,
Qgs       Gate-to-Source charge                    --    3.0       --                  VGS = 10V
Qgd       Gate-to-Drain("Miller") charge           --   10.8       --
td(on)    Turn-on delay time                       --   12.7       --               VGS=10V, VDS=300V,
tr        Rise time                                --   38.8       --   ns
td(off)   Turn-Off delay time                      --   19.3       --
tf        Fall time                                --    653       --               RGEN=25, ID=4A
Ciss      Input capacitance                        --     56       --
Coss      Output capacitance                       --     5        --                  VGS = 0V
Crss      Reverse transfer capacitance                             --
                                                                        pF             VDS = 25V

                                                                                        = 1MHz

Source-Drain Ratings and Characteristics

  Symbol                Parameter               Min.   Typ.       Max.  Units            Conditions
IS        Continuous Source Current              --     --          4     A    MOSFET symbol
          (Body Diode)                                                         showing the
ISM       Pulsed Source Current                 --     --         16      A    integral reverse
VSD       (Body Diode)                                                    V    p-n junction diode.
trr       Diode Forward Voltage                 --     --         1.4    nS    IS=4A, VGS=0V
Qrr       Reverse Recovery Time                                          nC    TJ = 25C, IF =4A,
          Reverse Recovery Charge               -- 431.3 --                    di/dt = 100A/s

                                                --     1955       --

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                                                                   SSF4N60G

Test circuits and Waveforms

                                  Switch Waveforms:

Notes:

The maximum current rating is limited by bond-wires.
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
The power dissipation PD is based on max. junction temperature, using junction-to-case thermal

   resistance.
The value of RJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a

   still air environment with TA =25C

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                                                                           SSF4N60G

Typical electrical and thermal characteristics

Figure 1: Typical Output Characteristics                    Figure 2. Gate to source cut-off voltage

Figure 3. Drain-to-Source Breakdown Voltage Vs.             Figure 4: Normalized On-Resistance Vs. Case
             Case Temperature                                            Temperature

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Typical electrical and thermal characteristics

Figure 5. Maximum Drain Current Vs. Case  Figure 6.Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source
             Temperature                               Voltage

Case Temperature

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Mechanical Data

            TO-251 PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Symbol  Dimension In Millimeters                                   Dimension In Inches

   A    Min Nom Max                                                Min Nom Max
   A1
   B    2.200                                 -  2.400  0.087      -  0.094
   b
   c    0.950                                 -  1.150  0.037      -  0.045
   c1
   D    0.950                                 -  1.250  0.037      -  0.049
  D1
   E    0.500                                 -  0.700  0.020      -  0.028
   e
   e1   0.450                                 -  0.550  0.018      -  0.022
   L
        0.450                                 -  0.550  0.018      -  0.022

        6.450                                 -  6.750  0.254      -  0.266

        5.200                                 -  5.400  0.205      -  0.213

        5.950                                 -  6.250  0.234      -  0.246

        2.240                                 -  2.340  0.088      -  0.092

        4.430                                 -  4.730  0.174      -  0.186

        9.000                                 -  9.400  0.354      -  0.370

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Ordering and Marking Information

Device Marking: SSF4N60G

                                                    Package (Available)
                                                        TO-251IPAK

                                             Operating Temperature Range
                                                         C : -55 to 150 C

Devices per Unit

Package Units/     Tubes/Inner     Units/Inner       Inner                  Units/Carton
                   Box             Box               Boxes/Carton           Box
Type         Tube                                    Box
                   60              4800                                     24000
TO-251       80                                      5

Reliability Test Program

Test Item        Conditions        Duration          Sample Size

High             Tj=125 to 150 @   168 hours         3 lots x 77 devices
Temperature      80% of Max        500 hours
Reverse          VDSS/VCES/VR      1000 hours
Bias(HTRB)
High             Tj=150 @ 100% of  168 hours 3 lots x 77 devices
Temperature      Max VGSS          500 hours
Gate                               1000 hours
Bias(HTGB)

Silikron Semiconductor CO.,LTD.        2012.12.13   Version : 1.0          page 7 of 8
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                                                                        SSF4N60G

ATTENTION:

Any and all Silikron products described or contained herein do not have specifications that can handle applications

      that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other
      applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage.
      Consult with your Silikron representative nearest you before using any Silikron products described or contained
      herein in such applications.

Silikron assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed,

      even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed
      in products specifications of any and all Silikron products described or contained herein.
Specifications of any and all Silikron products described or contained herein stipulate the performance,
      characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the
      performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's products or
      equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer
      should always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.
Silikron Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all
      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could give rise to
      accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could cause
      damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for
      safe design, redundant design, and structural design.
In the event that any or all Silikron products(including technical data, services) described or contained herein are
      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported
      without obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical,
      including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior
      written permission of Silikron Semiconductor CO.,LTD.
Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for
      volume production. Silikron believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or
      implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.
Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to
      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the
      Silikron product that you intend to use.
This catalog provides information as of Dec, 2008. Specifications and information herein are subject to change
      without notice.

Customer Service

Worldwide Sales and Service:
Sales@silikron.com
Technical Support:
Technical@silikron.com
Suzhou Silikron Semiconductor Corp.
11A, 428 Xinglong Street, Suzhou Industrial Park, P.R.China
TEL: (86-512) 62560688
FAX: (86-512) 65160705
E-mail: Sales@silikron.com

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