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SSF2145CH6

器件型号:SSF2145CH6
厂商名称:SILIKRON
厂商官网:www.silikron.com
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器件描述

Advanced trench MOSFET process technology

SSF2145CH6器件文档内容

                                                                                  SSF2145CH6

Main Product Characteristics:

                 n-ch             p-ch                             2145C

     VDSS        20V              -20V

RDSon(typ.) 38mohm 64mohm

     ID          4.8A             2.9A    TSOP-6                   Marking and pin       Schematic diagram
                                                                     Assignment

Features and Benefits:

   Advanced trench MOSFET process technology
   Special designed for load switching and buttery

        protection applications
   150 operating temperature

Description:

    It utilizes the latest trench processing techniques to achieve the high cell density and reduces the
  on-resistance with high repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely
  efficient and reliable device for use in load switching and a wide variety of other applications

Absolute max Rating:

Symbol           Parameter                                                Max.                Units

                                                                   N-channel P-channel          A

ID @ TC = 25C   Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V              4.8              -2.9        W
ID @ TC = 100C  Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V                                           V
IDM              Pulsed Drain Current                              3.9              -2.4        V
PD @TC = 25C    Power Dissipation                                                              C
VDS              Drain-Source Voltage                              17               -11
VGS              Gate-to-Source Voltage
TJ TSTG          Operating Junction and Storage Temperature Range  1.7              1.7

                                                                   20               -20

                                                                   8               8

                                                                   -55 to + 150 -55 to + 150

Thermal Resistance

Symbol Characterizes                                         Typ.         Max.                Units
                                                              --                              /W
                                                                   N-channel P-channel        /W

           Junction-to-ambient (t  10s)                            76               114

RJA        Junction-to-Ambient (PCB mounted, steady-state)   --    53               53

Silikron Semiconductor CO.,LTD.               2011.07.22          Version : 1.0          page 1 of 6
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Electrical Characterizes @TA=25 unless otherwise specified

Symbol Parameter                 N-channel   Min.    Typ.      Max.  Units  Conditions
              Drain-to-Source                   20      --      --     V    VGS = 0V, ID = 250A
                                  P-channel     22      --      --    m     TJ = 125C
V(BR)DSS                                        -20     --      --     V    VGS = 0V, ID = -250A
              breakdown voltage  N-channel      -22     --      --    A     TJ = 125C
                                  P-channel     --      38      55    nA    VGS=4.5V,ID = 3.6A
RDS(on)  Static                  N-channel      --      68      80          VGS=-4.5V,ID = -3A
         Drain-to-Source          P-channel     --      64      75    pF    VGS=2.5V,ID = 3.1A
         on-resistance           N-channel      --      89     100          VGS=-3.5V,ID = -2A
                                  P-channel     0.4    0.72      1          VDS = VGS, ID = 250A
VGS(th)  Gate threshold          N-channel      0.4    0.56      1          TJ = 125C
         voltage                  P-channel    -0.4              -1         VDS = VGS, ID = -250A
                                 N-channel     -0.4   -0.78      -1         TJ = 125C
              Drain-to-Source     P-channel     --    -0.66      1          VDS = 20V,VGS = 0V
IDSS                             N-channel      --               -1         VDS = -20V,VGS = 0V
                                 N-channel      --      --      100         VGS =8V
              leakage current     P-channel     --      --     -100         VGS = -8V
                                  P-channel     --      --      100         VGS =8V
              Gate-to-Source     N-channel      --      --     -100         VGS = -8V
IGSS                             N-channel      --      --     420
                                 N-channel      --      --      70          VGS = 0V,
              forward leakage                   --     348                  VDS = 10V,
                                                        58      39           = 1.0MHz
Ciss     Input capacitance       P-channel   --
Coss     Output capacitance                             32     622          VGS = 0V,
Crss     Reverse transfer        P-channel   --                 90          VDS = -10V,
Ciss     capacitance                                   519                   = 1.0MHz
Coss     Input capacitance       P-channel   --         75      70
Crss     Output capacitance
         Reverse transfer                               58
         capacitance

Source-Drain Ratings and Characteristics

Symbol   Parameter                           Min.    Typ.      Max.  Units         Conditions
IS                                            --      --        4.8    A
ISM      Continuous Source       N-channel    --      --       -2.9         MOSFET symbol
VSD                              P-channel    --      --        17     A    showing the
         Current                 N-channel    --      --        -11         integral reverse
                                 P-channel    --     0.69       1.2         p-n junction diode.
         (Body Diode)                         --               -1.2
                                 N-channel           -0.72
         Pulsed Source           P-channel

         Current

         (Body Diode)

         Diode    Forward                                                      IS=0.94A, VGS=0V
                                                                     V
         Voltage
                                                                               IS=-0.75A, VGS=0V

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                                                                       SSF2145CH6

Notes:

The maximum current rating is limited by bond-wires.
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
The power dissipation PD is based on max. junction temperature, using junction-to- ambient thermal

   resistance.
The value of RJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a

   still air environment with TA =25C

Silikron Semiconductor CO.,LTD.       2011.07.22   Version : 1.0  page 3 of 6
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                                                                   SSF2145CH6

Mechanical Data

                                  SYMBOL            Millimeters

                                       A            MIN             MAX
                                      A1
                                       b            0.90            1.10
                                       c
                                       D                  0.10
                                       E
                                      E1            0.30            0.50
                                       e
                                       L            0.08            0.20

                                                    2.70            3.10

                                                    2.60            3.00

                                                    1.40            1.80

                                                          0.95 BSC

                                                    0.35            0.55

Notes

Dimensions are inclusive of plating
Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be

    less than 6 mils
Dimension L is measured in gauge plane.
Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.

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Ordering and Marking Information

Device Marking: 2145C

                                         Package (Available)
                                                   TSOP-6

                                  Operating Temperature Range
                                             C : -55 to 150 C

Devices per Unit

Package     Units/ Tubes/         Units/            Inner Boxes/         Units/
Type                              Inner Box         Carton Box           Carton Box
TSOP-6      Tube  Inner Box       30000pcs          4pcs                 120000pcs

            3000pcs 10pcs

Reliability Test Program

Test Item Conditions              Duration          Sample Size

High        Tj=125 or 150 @       168 hours         3 lots x 77 devices
                                  500 hours
Temperature 80% of Max            1000 hours

Reverse     VDSS/VCES/VR
Bias(HTRB)

High        Tj=125 or 150 @       168 hours 3 lots x 77 devices
                                  500 hours
Temperature 100% of Max VGSS      1000 hours

Gate

Bias(HTGB)

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ATTENTION:

Any and all Silikron products described or contained herein do not have specifications that can handle applications

      that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other
      applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage.
      Consult with your Silikron representative nearest you before using any Silikron products described or contained
      herein in such applications.

Silikron assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed,

      even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed
      in products specifications of any and all Silikron products described or contained herein.
Specifications of any and all Silikron products described or contained herein stipulate the performance,
      characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the
      performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's products or
      equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer
      should always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.
Silikron Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all
      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could give rise to
      accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could cause
      damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for
      safe design, redundant design, and structural design.
In the event that any or all Silikron products(including technical data, services) described or contained herein are
      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported
      without obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical,
      including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior
      written permission of Silikron Semiconductor CO.,LTD.
Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for
      volume production. Silikron believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or
      implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.
Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to
      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the
      Silikron product that you intend to use.
This catalog provides information as of Dec, 2008. Specifications and information herein are subject to change
      without notice.

Customer Service

Worldwide Sales and Service:

Sales@silikron.com

Technical Support:

Technical@silikron.com

Suzhou Silikron Semiconductor Corp.
Building 11A Suchun Industrial Square, 428# Xinglong Street, Suzhou P.R. China

TEL: (86-512) 62560688
FAX: (86-512) 65160705
E-mail: Sales@silikron.com

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