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SSF20N60H

器件型号:SSF20N60H
厂商名称:SILIKRON
厂商官网:www.silikron.com
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器件描述

High dv/dt and avalanche capabilities

SSF20N60H器件文档内容

                                                                            SSF20N60H

Main Product Characteristics:

VDSS             600V

RDS(on) 0.2ohm(typ.)

ID               20A

                                         TO247             Marking and pin  Schematic diagram
                                                             Assignment
Features and Benefits:

  High dv/dt and avalanche capabilities
  100% avalanche tested
  Low input capacitance and gate charge
  Low gate input resistance

Description:

  The SSF20N60H series MOSFETs is a new technologywhich combines an innovative super junction
  technology and advance process. This new technology achieves low Rdson, energy saving, high
  reliability and uniformity, superior power density and space saving.

Absolute max Rating:

   Symbol        Parameter                                             Max.      Units
ID @ TC = 25C   Continuous Drain Current, VGS @ 10V                     20
ID @ TC = 100C  Continuous Drain Current, VGS @ 10V                     13        A
IDM              Pulsed Drain Current                                    80
                 Power Dissipation                                      208        W
PD @TC = 25C    Linear Derating Factor                                 1.66     W/C
                 Drain-Source Voltage                                   650
VDS              Gate-to-Source Voltage                                  30       V
VGS              Single Pulse Avalanche Energy @ L=32mH                 400        V
EAS              Avalanche Current @ L=32mH                               5       mJ
IAS              Operating Junction and Storage Temperature Range                  A
TJ TSTG                                                            -55 to + 150    C

Silikron Semiconductor CO.,LTD.              2011.07.20   Version : 1.3         page 1 of 8
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Thermal Resistance

Symbol    Characterizes                                                 Typ.           Max.  Units
RJC       Junction-to-case                                               --             0.6  /W
          Junction-to-ambient (t  10s)                                   --             62   /W
RJA       Junction-to-Ambient (PCB mounted, steady-state)                --             40   /W

Electrical Characterizes @TA=25 unless otherwise specified

Symbol    Parameter                             Min.   Typ.       Max.  Units          Conditions
V(BR)DSS  Drain-to-Source breakdown voltage       600     --       --     V            VGS = 0V, ID = 250A
                                                   --    0.2       0.3                 VGS=10V,ID = 13A
RDS(on)   Static Drain-to-Source on-resistance     --   0.55       --     V            TJ = 125C
                                                   2      --        4    A             VDS = VGS, ID = 250A
VGS(th)   Gate threshold voltage                   --    2.4       --    nA            TJ = 125C
                                                   --     --        1    nC            VDS =600V,VGS = 0V
IDSS      Drain-to-Source leakage current          --     --       50                  TJ = 125C
                                                   --     --      100     ns           VGS =30V
IGSS      Gate-to-Source forward leakage         -100     --       --                  VGS = -30V
                                                   --     90       --     pF           ID = 20A,
Qg        Total gate charge                        --     12       --                  VDS=480V,
Qgs       Gate-to-Source charge                    --     34       --                  VGS = 10V
Qgd       Gate-to-Drain("Miller") charge           --    12        --                  VGS=10V, VDS=380V,
td(on)    Turn-on delay time                       --     6        --                  RL=38,
tr        Rise time                                --    65        --                  RGEN=4.7
td(off)   Turn-Off delay time                      --     6        --                  ID=10A
tf        Fall time                                --              --                  VGS = 0V
Ciss      Input capacitance                        --   2334       --                  VDS = 25V
Coss      Output capacitance                       --   856        --                   = 1MHz
Crss      Reverse transfer capacitance
                                                          3

Source-Drain Ratings and Characteristics

  Symbol                 Parameter              Min.   Typ.       Max.  Units                    Conditions
IS        Continuous Source Current              --     --         20     A            MOSFET symbol
          (Body Diode)                                                                 showing the
ISM       Pulsed Source Current                 --     --         80      A            integral reverse
VSD       (Body Diode)                                                    V            p-n junction diode.
trr       Diode Forward Voltage                 --     --         1.2     ns           IS=20A, VGS=0V
Qrr       Reverse Recovery Time                                          nC            TJ = 25C, IF =20A, di/dt =
          Reverse Recovery Charge               --     480        --                   100A/s

                                                --     10         --

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Test circuits and Waveforms

                                  Switch Waveforms:

Notes:

The maximum current rating is limited by bond-wires.
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
The power dissipation PD is based on max. junction temperature, using junction-to-case thermal

   resistance.
The value of RJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a

   still air environment with TA =25C
These curves are based on the junction-to-case thermal impedence which is measured with the

   device mounted to a large heatsink, assuming a maximum junction temperature of TJ(MAX)=150C.
The maximum current rating is limited by bond-wires.

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Typical electrical and thermal characteristics

Figure 1: Power dissipation                         Figure 2. Typ. Gate to source cut-off voltage

Figure 3. Typ. gate charge                          Figure 4: Typ. Capacitances

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Typical electrical and thermal characteristics

Figure 5. Drain-source breakdown voltage                    Figure 6. Drain-source on-state resistance

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Mechanical Data

TO247 PACKAGE OUTLINE DIMENSION

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Ordering and Marking Information

Device Marking: SSF20N60H

                                                    Package (Available)
                                                                TO247

                                             Operating Temperature Range
                                                         C : -55 to 150 C

Devices per Unit

Package Units/    Tubes/Inner     Units/Inner       Inner                   Units/Carton
                  Box             Box               Boxes/Carton            Box
Type        Tube                                    Box
                            8           240                                        1200
TO247       30                                                 5

Reliability Test Program

Test Item Conditions              Duration          Sample Size

High        Tj=125 to 175 @       168 hours         3 lots x 77 devices
                                  500 hours
Temperature 80% of Max            1000 hours

Reverse     VDSS/VCES/VR

Bias(HTRB)

High        Tj=150 or 175 @       168 hours 3 lots x 77 devices
                                  500 hours
Temperature 100% of Max VGSS      1000 hours

Gate

Bias(HTGB)

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ATTENTION:

Any and all Silikron products described or contained herein do not have specifications that can handle applications

      that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other
      applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage.
      Consult with your Silikron representative nearest you before using any Silikron products described or contained
      herein in such applications.

Silikron assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed,

      even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed
      in products specifications of any and all Silikron products described or contained herein.
Specifications of any and all Silikron products described or contained herein stipulate the performance,
      characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the
      performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's products or
      equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer
      should always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.
Silikron Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all
      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could give rise to
      accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could cause
      damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for
      safe design, redundant design, and structural design.
In the event that any or all Silikron products(including technical data, services) described or contained herein are
      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported
      without obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical,
      including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior
      written permission of Silikron Semiconductor CO.,LTD.
Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for
      volume production. Silikron believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or
      implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.
Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to
      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the
      Silikron product that you intend to use.
This catalog provides information as of Dec, 2008. Specifications and information herein are subject to change
      without notice.

Customer Service

Worldwide Sales and Service:

Sales@silikron.com

Technical Support:

Technical@silikron.com

Suzhou Silikron Semiconductor Corp.

11A, 428 Xinglong Street, Suzhou Industrial Park, P.R.China
TEL: (86-512) 62560688
FAX: (86-512) 65160705
E-mail: Sales@silikron.com

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