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SSF13N50

器件型号:SSF13N50
厂商名称:SILIKRON
厂商官网:www.silikron.com
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器件描述

Advanced Process Technology

SSF13N50器件文档内容

                                                                        SSF13N50

Main Product Characteristics

VDSS             500V

RDS(on) 0.39(typ.)

ID               13A

                                               TO-220  Marking and Pin  Schematic Diagram
                                                         Assignment
Features and Benefits:

Advanced Process Technology
Special designed for PWM, load switching and

      general purpose applications
Ultra low on-resistance with low gate charge
Fast switching and reverse body recovery
150 operating temperature

Description

  These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using silikron
  proprietary MOSFET technology. This advanced technology has been especially tailored to
  minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy
  pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency
  switch mode power supplies.

Absolute Max Rating

   Symbol        Parameter                                             Max.     Units
ID @ TC = 25C   Continuous Drain Current, VGS @ 10V                    13
ID @ TC = 100C  Continuous Drain Current, VGS @ 10V                     8        A
IDM              Pulsed Drain Current                                   52
                 Power Dissipation                                      166       W
PD @TC = 25C    Linear Derating Factor                                1.33     W/C
                 Drain-Source Voltage                                   500
VDS              Gate-to-Source Voltage                                 30       V
VGS              Single Pulse Avalanche Energy @ L=4.5mH                753       V
EAS              Avalanche Current @ L=4.5mH                           18.3      mJ
IAS              Operating Junction and Storage Temperature Range                 A
TJ TSTG                                                            -55 to +150    C

Silikron Semiconductor CO.,LTD.       2013.12.09      Version : 1.1            page 1 of 8
                                  www.silikron.com
                                                                                       SSF13N50

Thermal Resistance

Symbol    Characteristics                                               Typ.           Max.  Units
RJC       Junction-to-case                                               --            0.75  /W
          Junction-to-ambient (t  10s)                                   --             62   /W
RJA       Junction-to-Ambient (PCB mounted, steady-state)                --             40   /W

Electrical Characteristics @TA=25 unless otherwise specified

Symbol    Parameter                             Min.   Typ.       Max.  Units          Conditions
V(BR)DSS  Drain-to-Source breakdown voltage      500      --       --     V            VGS = 0V, ID = 250A
                                                   --   0.39      0.48                 VGS=10V,ID = 6.6A
RDS(on)   Static Drain-to-Source on-resistance     --   0.91       --     V            TJ = 125
                                                   2      --        4    A             VDS = VGS, ID = 250A
VGS(th)   Gate threshold voltage                   --    2.1       --    nA            TJ = 125
                                                   --     --        1    nC            VDS = 500V,VGS = 0V
IDSS      Drain-to-Source leakage current          --     --       50                  TJ = 125
                                                   --     --      100    nS            VGS =30V
IGSS      Gate-to-Source forward leakage           --     --                           VGS = -30V
                                                   --     40      -100   pF            ID = 11A,
Qg        Total gate charge                        --     11       --                  VDS=400V,
Qgs       Gate-to-Source charge                    --     14       --                  VGS = 10V
Qgd       Gate-to-Drain("Miller") charge           --     16       --
td(on)    Turn-on delay time                       --     27       --                  VGS=10V, VDS =250V,
tr        Rise time                                --     46       --                  RGEN=9.6, ID =11A
td(off)   Turn-Off delay time                      --     33       --
tf        Fall time                                --              --                  VGS = 0V
Ciss      Input capacitance                        --   1491       --                  VDS = 25V
Coss      Output capacitance                       --    203       --                   = 1MHz
Crss      Reverse transfer capacitance                   2.1       --

Source-Drain Ratings and Characteristics

  Symbol                Parameter               Min.   Typ.       Max.  Units            Conditions
IS        Continuous Source Current              --     --         13     A    MOSFET symbol
          (Body Diode)                                                         showing the
ISM       Pulsed Source Current                 --     --         52      A    integral reverse
VSD       (Body Diode)                                                    V    p-n junction diode.
trr       Diode Forward Voltage                 --     0.86 1.4           ns   IS=11A, VGS=0V
Qrr       Reverse Recovery Time                                           c    TJ = 25C, IF =11A,
          Reverse Recovery Charge               --     400        --           di/dt = 100A/s

                                                --     2.7        --

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                                                                   SSF13N50

Test circuits and Waveforms       Gate charge test circuit:

EAS Test Circuit:

Switching Time Test Circuit:      Switching Waveforms:

Notes:

Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
The power dissipation PD is based on max. junction temperature, using junction-to-case thermal

   resistance.
The value of RJA is measured with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a

   still air environment with TA =25C

Silikron Semiconductor CO.,LTD.       2013.12.09   Version : 1.1  page 3 of 8
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Typical electrical and thermal characteristics

Figure 1: Typical Output Characteristics                    Figure 2. Gate to source cut-off voltage

Figure 3. Drain-to-Source Breakdown Voltage Vs.             Figure 4: Normalized On-Resistance Vs. Case
              Case Temperature                                           Temperature

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Typical electrical and thermal characteristics

Figure 5. Maximum Drain Current Vs. Case  Figure 6.Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source
             Temperature                               Voltage

Case Temperature

Figure8. Maximum Effective Transient Thermal Impedance,
           Junction-to-Case

Silikron Semiconductor CO.,LTD.               2013.12.09   Version : 1.1  page 5 of 8
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Mechanical Data

                       TO220 PACKAGE OUTLINE DIMENSION_GN

Symbol  Dimension In Millimeters                                                    Dimension In Inches

    A     Min                      Nom                       Max              Min   Nom                   Max
   A1   4.400                     4.550                    4.700             0.173  0.179                0.185
   A2   1.270                     1.300                    1.330             0.050  0.051                0.052
    b   2.240                     2.340                    2.440             0.088  0.092                0.096
   b1                             1.270                                             0.050
   b2       -                     1.370                        -                -   0.054                   -
    C   1.270                     0.800                    1.470             0.050  0.031                0.058
    D   0.750                     0.500                    0.850             0.030  0.020                0.033
   D1   0.480                     15.400                   0.520             0.019  0.606                0.021
   D2   15.100                    8.900                    15.700            0.594  0.350                0.618
    E   8.800                     2.800                    9.000             0.346  0.110                0.354
   E1   2.730                     10.000                   2.870             0.107  0.394                0.113
   P    9.900                     8.700                    10.100            0.390  0.343                0.398
  P1
    e       -                                                  -                -                           -
   e1
    L   3.570                     3.600                    3.630             0.141  0.142                0.143
   L1
   L2   1.400                      1.500                   1.600             0.055  0.059                0.063
   L3                             2.54BSC                                           0.1BSC
   L4                             5.08BSC                                           0.2BSC
   Q1
   Q2   13.150                    13.360                   13.570            0.518  0.526                0.534
   Q3
   Q4                             7.35REF                                           0.29REF

        2.900                     3.000                    3.100             0.114  0.118                0.122

        1.650                     1.750                    1.850             0.065  0.069                0.073

        0.900                     1.000                    1.100             0.035  0.039                0.043
          50                        70                       90                50     70                   90
          50                        70                       90                50     70                   90
          50                        70                       90                50     70                   90
          10                        30                       50                10     30                   50

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Ordering and Marking Information

Device Marking: SSF13N50

                                                    Package (Available)
                                                               TO-220

                                             Operating Temperature Range
                                                         C : -55 to 150 C

Devices per Unit

Package Units/     Tubes/Inner     Units/Inner       Inner                  Units/Carton
                   Box             Box               Boxes/Carton           Box
Type         Tube                                    Box
                   20              1000                                     6000
TO-220       50                                      6

Reliability Test Program

Test Item        Conditions        Duration          Sample Size

High             Tj=125 to 150 @   168 hours         3 lots x 77 devices
Temperature      80% of Max        500 hours
Reverse          VDSS/VCES/VR      1000 hours
Bias(HTRB)
High             Tj=150 @ 100% of  168 hours 3 lots x 77 devices
Temperature      Max VGSS          500 hours
Gate                               1000 hours
Bias(HTGB)

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ATTENTION:

Any and all Silikron products described or contained herein do not have specifications that can handle applications

      that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other
      applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage.
      Consult with your Silikron representative nearest you before using any Silikron products described or contained
      herein in such applications.

Silikron assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed,

      even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed
      in products specifications of any and all Silikron products described or contained herein.
Specifications of any and all Silikron products described or contained herein stipulate the performance,
      characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the
      performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's products or
      equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer
      should always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.
Silikron Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all
      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could give rise to
      accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could cause
      damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for
      safe design, redundant design, and structural design.
In the event that any or all Silikron products(including technical data, services) described or contained herein are
      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported
      without obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical,
      including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior
      written permission of Silikron Semiconductor CO.,LTD.
Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for
      volume production. Silikron believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or
      implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.
Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to
      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the
      Silikron product that you intend to use.

Customer Service

Worldwide Sales and Service:
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Technical Support:
Technical@silikron.com
Suzhou Silikron Semiconductor Corp.
11A, 428 Xinglong Street, Suzhou Industrial Park, P.R.China
TEL: (86-512) 62560688
FAX: (86-512) 65160705
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