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SSF0115

器件型号:SSF0115
文件大小:3168.02KB,共5页
厂商名称:SILIKRON
厂商官网:www.silikron.com
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器件描述

ieee802.3af compatible

SSF0115器件文档内容

                                                                                       SSF0115

Feathers:                                                     ID =3A
Advanced trench process technology                           BV=100V
avalanche energy, 100% test                                  Rdson=0.15

Fully characterized avalanche voltage and current

Description:

The SSF0115 is a new generation of high voltage and low

current NChannel enhancement mode trench power

MOSFET. This new technology increases the device reliability                 SSF0115 TOP View (SOT-223)

and electrical parameter repeatability. SSF0115 is assembled

in high reliability and qualified assembly house.

Application:

IEEE802.3AF Compatible

Absolute Maximum Ratings

                          Parameter                              Max.                   Units

ID@Tc=25 C Continuous drain current,VGS@10V                          3                    A

ID@Tc=100C Continuous drain current,VGS@10V                      2.3                      W
                                                                                        W/ C
      IDM           Pulsed drain current                         12
                                                                                          V
PD@TC=25C             Power dissipation                           1.8                    mJ
                    Linear derating factor                       0.019                   mJ
                                                                                        v/ns
VGS                   Gate-to-Source voltage                     20                      C
EAS           Single pulse avalanche energy                       79
EAR                                                              TBD                     Units
dv/dt             Repetitive avalanche energy                                             C/W
                  Peak diode recovery voltage

       TJ              Operating Junction and                   55 to +150
      TSTG          Storage Temperature Range

Thermal Resistance

                    Parameter                       Min.         Typ.        Max.

RJA                 Junction-to-ambient             --           --          69

*When mounted on the minimum pas size recommendedPCB Mount.

Electrical Characteristics @TJ=25 C(unless otherwise specified)

                    Parameter                Min. Typ. Max. Units                      Test Conditions

BVDSS Drain-to-Source breakdown voltage 100          --    --    V VGS=0V,ID=250A
                                                    0.09  0.15    VGS=10V,ID=2A
RDS(on) Static Drain-to-Source on-resistance --      --   4.0    V VDS=VGS,ID=250A
                                                     --
VGS(th)       Gate threshold voltage         2.0            1           VDS=30V,VGS=0V
                                                     --          A VDS=100V,
                                             --            10
                                                                        VGS=0V,TJ=150C
IDSS        Drain-to-Source leakage current  --                  nA VGS=20V

        Gate-to-Source forward leakage       -- -- 100                  VGS=-20V
IGSS Gate-to-Source reverse leakage          -- -- -100

Silikron Semiconductor CO.,LTD.         2009.6.10                      Version : 1.0  page 1of5
                                                                         SSF0115

Qg Total gate charge                         -- 18 22           ID=9.2A,VGS=10V
Qgs Gate-to-Source charge                    -- 2.7 --   nC
Qgd Gate-to-Drain("Miller") charge
td(on) Turn-on delay time                                       VDD=80V,RL=8.6
tr Rise time
td(off) Turn-Off delay time                  -- 7.8 --

  tf Fall time                               -- 12 40     VDD=50V
Ciss Input capacitance
Coss Output capacitance                      -- 12 40     ID=9.2A ,RL=5.4
Crss Reverse transfer capacitance            -- 33 85 nS RG=18

                                             -- 26 68     VGS=10V

                                             -- 350 480   VGS=0V

                                             -- 90 110 pF VDS=25V

                                             -- 35 45     f=1.0MHZ

Source-Drain Ratings and Characteristics

Parameter                           Min. Typ. Max. Units                 Test Conditions

Continuous Source Current .                                      MOSFET symbol
IS (Body Diode)                     --       --  3               showing the
                                                         A
      Pulsed Source Current         .        --  18              integral reverse
ISM (Body Diode)                         --                      p-n junction diode.
                                                         V TJ=25C,IS=3A,VGS=0V
VSD Diode Forward Voltage           --       --  1.3     nS TJ=25C,IF=9.2A
                                                         C di/dt=100A/s
trr Reverse Recovery Time                    98  --

Qrr Reverse Recovery Charge                  0.34 --

ton Forward Turn-on Time            Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by Ls + LD)

Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by max junction temperature.
Test condition: L =30mH, VDD = 50V,Id=2.3A
Pulse width300S, duty cycle1.5% ; RG = 25 Starting TJ = 25C

Silikron Semiconductor CO.,LTD.    2009.6.10             Version : 1.0    page 2of5
EAS Test Circuit:                                             SSF0115

                                             Gate Charge Test Circuit:

Switch Time Test Circuit:                    Switch Waveform:

                   Gate Charge               Source-Drain Diode Forward Voltage

Silikron Semiconductor CO.,LTD.  2009.6.10  Version : 1.0     page 3of5
                                                                     SSF0115

On Resistance vs Junction Temperature        Breakdown Voltage vs Junction Temperature

Safe Operation Area                          Max Drain Current vs Junction Temperature

                                  Transient Thermal Impedance Curve

Silikron Semiconductor CO.,LTD.  2009.6.10  Version : 1.0           page 4of5
                                                            SSF0115

SOT-223 MECHANICAL DATA:

Silikron Semiconductor CO.,LTD.  2009.6.10  Version : 1.0  page 5of5
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