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SSBD1045CTL

器件型号:SSBD1045CTL
厂商名称:SILIKRON
厂商官网:www.silikron.com
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器件描述

High Junction Temperature

SSBD1045CTL器件文档内容

                                                                      SSBD1045CTL

Main Product Characteristics:

   IF             2*5A
VRRM               45V
Tj(max)           150
Vf(max)           0.55V

                                                      TO252           Schematic Diagram
                                                      SSBD1045CTL

Features and Benefits:

High Junction Temperature
High ESD Protection
High Forward & Reverse Surge capability

Description:

Schottky Barrier Rectifier designed for high frequency switch model power supplies such as adaptors and DC/DC
convertors; this product special design for high forward and reverse surge capability

Absolute Rating:

Symbol                             Characterizes                       Value     Unit
                                                                         45        V
VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage                                     31        V
                                                                          5        A
VR(RMS)  RMS Reverse Voltage              Per diode                      10        A
IF(AV)  Average Forward Current          Per device                     120       A
                                                                          2      
IFSM Non Repetitive Surge Forward Current(tp=8.3ms sinusoidal)                    
IRRM Peak Repetitive Reverse Surge Current(Tp=2us)                    -55~150
                                                                      -55~150    Unit
TJ       Maximum operation Junction Temperature Range                            /W

Tstg Storage Temperature Range

Thermal Resistance                 Characterizes                      Value
                                                                        2
Symbol

RJC Maximum Thermal Resistance Junction To Case (per leg)

Electrical Characterizes @TA=25 unless otherwise specified

Symbol            Characterizes           Min Typ Max Unit                 Test Condition

VR       Reverse Breakdown Voltage        45                       V  IR=0.5mA
                                                                      IF=5A, TJ=25
VF       Forward Voltage Drop                         0.55            IF=5A, TJ=125
                                                                 V    VR=45V, TJ=25
                                                                      VR=45V, TJ=125
                                                      0.53

IR       Leakage Current                              0.2
                                                               mA

                                                      50

Silikron Semiconductor CO., LTD.  2011.7.20          Version: 1.0    page 1of5

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                                                                   SSBD1045CTL

I-V Curves:

Figure 1Typical Forward Characteristics Figure 2Typical Capacitance Characteristics

             Figure 3Typical Reverse Characteristics

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Mechanical Data

TO252:

Silikron Semiconductor CO., LTD.  2011.7.20         Version: 1.0  page 3of5

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Ordering and Marking Information

Device Marking: SSBD1045CTL

                                                  Package (Available)
                                                            TO-252

                                          Operating Temperature Range
                                                      C : -55 to 150 C

Devices per Unit

Packag Units/ Tubes/Inne           Units/Inne        Inner                Units/Carto
                                   r                 Boxes/Carton         n
e Type Tube r                      Box               Box                  Box

                  Box              4000              10                   40000

TO252 80          50

Reliability Test Program

Test Item Conditions               Duration          Sample Size

High        Tj=125 to 175 @        168 hours         3 lots x 77 devices
                                   500 hours
Temperature 80% of Max             1000 hours

Reverse     VDSS/VCES/VR

Bias(HTRB)

Silikron Semiconductor CO., LTD.  2011.7.20         Version: 1.0        page 4of5

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ATTENTION:

Any and all Silikron products described or contained herein do not have specifications that can handle applications

      that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other
      applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage.
      Consult with your Silikron representative nearest you before using any Silikron products described or contained
      herein in such applications.

Silikron assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed,

      even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed
      in products specifications of any and all Silikron products described or contained herein.
Specifications of any and all Silikron products described or contained herein stipulate the performance,
      characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the
      performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's products or
      equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer should
      always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.
Silikron Semiconductor CO., LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all
      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could give rise to
      accidents or events that could endanger human lives that could give rise to smoke or fire, or that could cause
      damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for
      safe design, redundant design, and structural design.
In the event that any or all Silikron products(including technical data, services) described or contained herein are
      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported
      without obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical,
      including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior
      written permission of Silikron Semiconductor CO.,LTD.
Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for
      volume production. Silikron believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or
      implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.
Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to
      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the
      Silikron product that you intend to use.
This catalog provides information as of Dec, 2008. Specifications and information herein are subject to change
      without notice.

Customer Service

Worldwide Sales and Service:

Sales@silikron.com

Technical Support:

Technical@silikron.com

Suzhou Silikron Semiconductor Corp.

11A, 428 Xinglong Street, Suzhou Industrial Park, P.R.China

TEL: (86-512) 62560688

FAX: (86-512) 65160705

E-mail: Sales@silikron.com

Silikron Semiconductor CO., LTD.  2011.7.20         Version: 1.0  page 5of5

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