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SS8550

器件型号:SS8550
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:BILIN
厂商官网:http://www.galaxycn.com/
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器件描述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

射频小信号晶体管

参数

SS8550状态 Active

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SS8550器件文档内容

BL Galaxy Electrical                                                 Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor                                        SS8550

FEATURES                                      Pb                             SOT-23
                                                             Package Code
z Collector Current.(IC= 1.5A               Lead-free
z Complementary To SS8550.                                        SOT-23

z Collector Dissipation: PC=0.3W (TC=25C)

APPLICATIONS

z High Collector Current.

ORDERING INFORMATION

         Type No.                        Marking

         SS8550                             Y2

MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified

Symbol           Parameter                             Value    Units
                                                                V
VCBO             Collector-Base Voltage                -40      V
                                                                V
VCEO             Collector-Emitter Voltage             -25      A
                                                                W
VEBO             Emitter-Base Voltage                  -5      

IC               Collector Current -Continuous         -1.5

PC               Collector Dissipation                 0.3

Tj,Tstg          Junction and Storage Temperature      -55~150

Document number: BL/SSSTC087                                    www.galaxycn.com
Rev.A                                                                                  1
BL Galaxy Electrical                                                   Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor                                         SS8550

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25 unless otherwise specified

Parameter                             Symbol Test conditions           MIN TYP MAX UNIT

Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-100A,IE=0                -40           V

Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-0.1mA,IB=B 0          -25           V

Emitter-base breakdown voltage        V(BR)EBO IE=-100A,IC=0           -5            V

Collector cut-off current             ICBO      VCB=-40V,IE=0               -0.1 A
Collector cut-off current                                                   -0.1 A
Emitter cut-off current               ICEO      VCE=-20V,IB=B 0             -0.1 A

                                      IEBO      VEB=-5V,IC=0

DC current gain                                 VCE=-1V,IC=-100mA      120  400

                                      hFE       VCE=-1V,IC=-800mA      40

Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat)  IC=-800mA, IB=B -80mA       -0.5 V
Base-emitter saturation voltage       VBE(sat)                              -1.2 V
Transition frequency                  fT        IC=-800mA, IB=B -80mA
                                                                                      MHz
                                                VCE=-10V, IC= -50mA    100

                                                f=30MHz

Output capacitance                    Cob       VCB=-10V,IE=0,f=1MHz        20 pF

Base-emitter voltage                  VBEF      IE=-1.5A                    -1.6 V

CLASSIFICATION OF hFE(1)

       Rank                           L                       H                 J
                                                          200-350           300-400
Range                                 120-200

Document number: BL/SSSTC087                                                www.galaxycn.com
Rev.A                                                                                              2
BL Galaxy Electrical                 Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor                         SS8550

TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25 unless otherwise specified

Document number: BL/SSSTC087                                www.galaxycn.com
Rev.A                                                                              3
BL Galaxy Electrical                                               Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor                                       SS8550

PACKAGE OUTLINE                                                                     SOT-23

Plastic surface mounted package

        A                                                          SOT-23
                                                           E
                                                              Dim  Min     Max

                                                              A    2.85    2.95

K                             B                               B    1.25    1.35

                                                              C    1.0Typical

                                                              D    0.37    0.43

        D                                        J            E    0.35    0.48
                          G
                                    H                         G    1.85    1.95
                                 C
                                                              H    0.02    0.1

                                                              J    0.1Typical

                                                              K    2.35    2.45

                                                              All Dimensions in mm

SOLDERING FOOTPRINT

                                                   Unit : mm

PACKAGE INFORMATION

Device  Package                    Shipping
SS8550  SOT-23                3000/Tape&Reel

Document number: BL/SSSTC087                                               www.galaxycn.com
Rev.A                                                                                             4
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