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SQD300BA60

器件型号:SQD300BA60
厂商名称:ETC
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TRANSISTOR MODULE

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SQD300BA60器件文档内容

   TRANSISTOR MODULE Hi-                                                                                  UL;E76102 M

SQD300BA60

SQD300BA60 is a Darlington power transistor module with a ULTRA HIGH hFE, high
speed, high power Darlington transistor. The transistor has a reverse paralleled fast
recovery diode (trr 200ns). The mounting base of the module is electrically isolated
from semiconductor elements for simple heatsink construction,

   IC 300A, VCEX 600V
   Low saturation voltage for higher efficiency.
   ULITRA HIGH DC current gain hFE. hFE 750
   Isolated mounting base
   VEBO 10V for faster switching speed.

    Applications
   Motor Control VVVF , AC/DC Servo, UPS,
   Switching Power Supply, Ultrasonic Application

Maximum Ratings                                                                                                 Unit A

Symbol                Item                                            Conditions               Ratings         Tj 25
                                                                                           SQD300BA60              Unit
    VCBO   Collector-Base Voltage                VBE 2V                                                              V
    VCEX                                                =pw 1ms                                   600                V
    VEBO   Collector-Emitter Voltage                                                              600                V
                                                 TC 25                                                               A
      IC   Emitter-Base Voltage                                                                     10               A
       IC                                        A.C.1minute                                 300 600                 A
      IB   Collector Current                     Recommended Value 2.5 3.9 25 40                                     W
     PT                                          Recommended Value 2.5 3.9 25 40                  300
      Tj   Reverse Collector Current             Recommended Value 1.0 1.4 10 14                    18               V
    Tstg                                         Typical Value
    VISO   Base Current                                                                          1380              Nm
                                                                                              40 150             ( f B)
           Total power dissipation                                                            40 125
                                                                                                                     g
           Junction Temperature                                                                  2500
                                                                                              4.7 48
           Storage Temperature                                                                4.7 48
                                                                                              1.5 15
           Isolation Voltage
                                                                                                  460
           Mounting                  M6
           Torque        Terminal M6
                         Terminal M4

           Mass

Electrical Characteristics                                                                                       Tj 25

Symbol                Item                                            Conditions           Min.  Ratings              Unit
                                                                                                   Typ.   Max.
  ICBO     Collector Cut-off Current             VCB VCBO                                  450             4.0 mA
   IEBO                                          VEB VEBO                                  600     200    1200 mA
VCEO SUS   Emitter Cut-off Current               Ic 1A                                     750
VCEX SUS                                         Ic 60A IB2 10A                                                         V
   hFE     Collector Emitter Sustaning           Ic 300A VCE 2.5V
VCE sat    Voltage                               Ic 300A IB 400mA
VBE sat                                          Ic 300A IB 400mA
   ton     DC Current Gain
    ts                                           Vcc 300V Ic 300A
           Collector-Emitter Saturation Voltage  IB1 0.6A IB2 6A                                          2.5  V
    tf     Base-Emitter Saturation Voltage
  VECO                                           Ic 300A                                                  3.0  V
                                                 Vcc 300V, Ic 300A, di/dt 300A/ s, VBE 5V
    trr                  On Time                 Transistor part                                          2.0
                         Storage Time            Diode part
Rth j-c    Switching     Fall Time                                                                        8.0  s
           Time

                                                                                                          2.0

           Collector-Emitter Reverse Voltage                                                              1.8  V

           Reverse Recovery time                                                                               ns

           Thermal Impedance                                                                              0.09
           (junction to case)                                                                                          /W

                                                                                                          0.3

55
SQD300BA60

                                         56
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