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SPP9435

器件型号:SPP9435
厂商名称:SYNC-POWER
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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SPP9435器件文档内容

SPP9435

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                                  APPLICATIONS
The SPP9435 is the P-Channel logic enhancement mode          z Power Management in Note book
power field effect transistors are produced using high cell  z Portable Equipment
density , DMOS trench technology.                            z Battery Powered System
This high density process is especially tailored to          z DC/DC Converter
minimize on-state resistance.                                z Load Switch
These devices are particularly suited for low voltage        z DSC
application , notebook computer power management and         z LCD Display inverter
other battery powered circuits where high-side
switching .

FEATURES                                                     PIN CONFIGURATION(SOP 8P)
-30V/-5.7A,RDS(ON)= 60m@VGS=- 10V
-30V/-5.0A,RDS(ON)= 70m@VGS=- 6V
-30V/-4.4A,RDS(ON)= 80m@VGS=-4.5V
Super high density cell design for extremely low

      RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC

      current capability
SOP 8P package design

                                                             PART MARKING

2006/08/17 Ver.3                                                                              Page 1
SPP9435

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION                              Symbol            Description
                                                 S                 Source
                   Pin                           S                 Source
                    1                            S                 Source
                    2                           G                   Gate
                    3                           D                  Drain
                    4                           D                  Drain
                    5                           D                  Drain
                    6                           D                  Drain
                    7
                    8                                         Part Marking
                                                                  SPP9435
ORDERING INFORMATION                         Package              SPP9435
                                             SOP- 8P
              Part Number                    SOP- 8P
             SPP9435S8RG
             SPP9435S8TG
SPP9435S8RG : 13" Tape Reel ; Pb Free
SPP9435S8TG : Tube ; Pb Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS                     TA=25    Symbol  Typical  Unit
(TA=25 Unless otherwise noted)               TA=70     VDSS
                                                       VGSS      -30     V
                              Parameter                  ID              V
Drain-Source Voltage                                    IDM      20     A
Gate Source Voltage
                                                                -6.8     A
Continuous Drain Current(TJ=150)                                -4.6     A
                                                                -30
Pulsed Drain Current                                                    W
                                                                -2.3   
Continuous Source Current(Diode Conduction)            IS        2.8   
                                                                 1.8   /W
Power Dissipation                            TA=25     PD     -55/150
                                             TA=70            -55/150
                                                       TJ        70
Operating Junction Temperature                        TSTG
                                                      RJA
Storage Temperature Range
Thermal Resistance-Junction to Ambient

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        SPP9435

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                  Parameter      Symbol   Conditions          Min. Typ Max. Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250uA    -30                V
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current             VGS(th) VDS=VGS,ID=-250uA    -1.0       -3.0

Zero Gate Voltage Drain Current  IGSS VDS=0V,VGS=20V                    100 nA

On-State Drain Current                    VDS=-24V,VGS=0V                -1
                                                                                  uA
Drain-Source On-Resistance       IDSS VDS=-24V,VGS=0V
                                          TJ=85                          -5
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage            ID(on) VDS= -5V,VGS =-4.5V   -10                A
Dynamic
Total Gate Charge                         VGS=-10V,ID=-5.7A         0.048 0.060
Gate-Source Charge                        VGS=-6.0V,ID=-5.0A
Gate-Drain Charge                RDS(on)  VGS=-4.5V,ID=-4.4A        0.054 0.070
Input Capacitance                  gfs
Output Capacitance                        VDS=-15V,ID=-5.7A         0.058 0.080
Reverse Transfer Capacitance
                                                                    13           S
Turn-On Time
                                 VSD IS=-2.3A,VGS =0V               -0.8 -1.2 V
Turn-Off Time
                                  Qg                                16   24
                                 Qgs
                                 Qgd      VDS=-15V,VGS=-10V         2.3          nC
                                 Ciss     ID= -3.5A
                                 Coss                               4.5
                                 Crss     VDS=-15V,VGS=0V
                                 td(on)   f=1MHz                    680
                                   tr
                                 td(off)  VDD=-15V,RL=15            120          pF
                                   tf     ID-1.0A,VGEN=-10V
                                          RG=6                      75

                                                                    14   25

                                                                    15   26      nS

                                                                    42   70

                                                                    30   50

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        SPP9435

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

SOP- 8 PACKAGE OUTLINE

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SPP9435

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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                                                             9F-5, No.3-2, Park Street
                                                NanKang District (NKSP), Taipei, Taiwan 115
                                                             Phone: 886-2-2655-8178
                                                               Fax: 886-2-2655-8468
                                                           http://www.syncpower.com

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