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SPP4925B

器件型号:SPP4925B
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厂商名称:SYNC POWER Crop.
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

P-channel enhancement mode mosfet

SPP4925B器件文档内容

SPP4925B

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                             APPLICATIONS
The SPP4925B is the Dual P-Channel logic enhancement    z Power Management in Note book
mode power field effect transistors are produced using  z Portable Equipment
high cell density , DMOS trench technology.             z Battery Powered System
This high density process is especially tailored to     z DC/DC Converter
minimize on-state resistance.                           z Load Switch
These devices are particularly suited for low voltage   z DSC
application , notebook computer power management and    z LCD Display inverter
other battery powered circuits where high-side
switching .

FEATURES                                                PIN CONFIGURATION(SOP 8P)
-30V/-7.2A,RDS(ON)= 24m@VGS=- 10V
-30V/-5.6A,RDS(ON)= 30m@VGS=-4.5V
Super high density cell design for extremely low

      RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC

      current capability
SOP 8P package design

                                                        PART MARKING

2009/03/20 Ver.1                                                                         Page 1
SPP4925B

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION                              Symbol           Description
                                                S1              Source 1
                   Pin                          G1               Gate 1
                    1                           S2              Source 2
                    2                           G2               Gate 2
                    3                           D2              Drain 2
                    4                           D2              Drain 2
                    5                           D1              Drain 1
                    6                           D1              Drain 1
                    7
                    8

ORDERING INFORMATION

Part Number                                  Package          Part Marking
                                                                 SPP4925B
SPP4925BS8RGB                                SOP- 8P

SPP4925BS8RGB : 13" Tape Reel ; Halogen Free ; Pb Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS                              Symbol  Typical  Unit
(TA=25 Unless otherwise noted)                         VDSS
                                                       VGSS      -30     V
                              Parameter                  ID              V
                                                                 20     A
Drain-Source Voltage                                    IDM
                                                         IS     -7.2     A
Gate Source Voltage                         TA=25       PD     -5.6     A
Continuous Drain Current(TJ=150)             TA=70       TJ     -20
Pulsed Drain Current                                   TSTG             W
                                                        RJA     -2.3   
Continuous Source Current(Diode Conduction)                      2.8   
                                                                 1.8   /W
Power Dissipation                            TA=25            -55/150
                                             TA=70            -55/150
                                                                 70
Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range
Thermal Resistance-Junction to Ambient

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        SPP4925B

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                  Parameter      Symbol   Conditions          Min. Typ Max. Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250uA    -30                V
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current             VGS(th)  VDS=VGS,ID=-250uA   -0.7        -1.6
                                  IGSS
Zero Gate Voltage Drain Current           VDS=0V,VGS=20V                 100 nA
                                  IDSS
On-State Drain Current                    VDS=-24V,VGS=0V                 -1
Drain-Source On-Resistance                VDS=-24V,VGS=0V                          uA
Forward Transconductance                  TJ=85
Diode Forward Voltage                                                     -5
Dynamic
Total Gate Charge                ID(on) VDS= -5V,VGS =-4.5V   -40                A
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge                RDS(on)  VGS=-10V,ID=-9.2A         0.020 0.024  
Input Capacitance                         VGS=-4.5V,ID=-7.0A        0.024 0.030
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance     gfs VDS=-10V,ID=-9.0A              24           S

Turn-On Time                     VSD IS=-2.3A,VGS =0V               -0.8 -1.2 V

Turn-Off Time                     Qg                                20    30
                                 Qgs
                                 Qgd      VDS=-15V,VGS=-10V         3.5          nC
                                 Ciss     ID= -9.0A
                                 Coss                               4.8
                                 Crss     VDS=-15V,VGS=0V
                                 td(on)   f=1MHz                    1850
                                   tr
                                 td(off)  VDD=-15V,RL=15            450          pF
                                   tf     ID-1.0A,VGEN=-10V
                                          RG=6                      335

                                                                    20    30

                                                                    20    30     nS

                                                                    75 110

                                                                    40    80

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        SPP4925B

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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        SPP4925B

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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        SPP4925B

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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        SPP4925B

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

SOP- 8 PACKAGE OUTLINE

2009/03/20 Ver.1  Page 7
SPP4925B

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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                                                             9F-5, No.3-2, Park Street
                                                NanKang District (NKSP), Taipei, Taiwan 115
                                                             Phone: 886-2-2655-8178
                                                               Fax: 886-2-2655-8468
                                                           http://www.syncpower.com

2009/03/20 Ver.1  Page 8
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