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SPP2301WS23RG

器件型号:SPP2301WS23RG
厂商名称:SYNC-POWER
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

SPP2301WS23RG器件文档内容

SPP2301W

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                                APPLICATIONS
The SPP2301W is the P-Channel logic enhancement            z Power Management in Note book
mode power field effect transistors are produced using     z Portable Equipment
high cell density , DMOS trench technology.                z Battery Powered System
This high density process is especially tailored to        z DC/DC Converter
minimize on-state resistance.                              z Load Switch
These devices are particularly suited for low voltage      z DSC
application such as cellular phone and notebook            z LCD Display inverter
computer power management and other battery powered
circuits, and low in-line power loss are needed in a very
small outline surface mount package.

FEATURES                                                   PIN CONFIGURATION(SOT-23)
-20V/-2.4A,RDS(ON)=128m@VGS=-4.5V
-20V/-2.0A,RDS(ON)=188m@VGS=-2.5V
Super high density cell design for extremely low

      RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC

      current capability
SOT-23 package design

2011/03/10 Ver.1                                           PART MARKING

                                                                                  S01WYW

                                                                                                         Page 1
SPP2301W

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION                                  Symbol                    Description
                     Pin                            G                          Gate
                      1                              S                        Source
                      2                             D                          Drain
                      3

ORDERING INFORMATION                             Package          Part Marking
                                                 SOT-23              S01WYW
              Part Number

            SPP2301WS23RG
Week Code : A ~ Z( 1 ~ 26 ) ; a ~ z( 27 ~ 52 )
SPP2301WS23RGB : Tape Reel ; Pb- Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS                                  Symbol  Typical               Unit
(TA=25 Unless otherwise noted)                             VDSS     -20                   V
                                                           VGSS                           V
                              Parameter                      ID     12
                                                                    -2.4                  A
Drain-Source Voltage                                        IDM     -1.8
                                                             IS     -10                   A
Gate Source Voltage                         TA=25           PD                           A
Continuous Drain Current(TJ=150)             TA=70           TJ     -1.6
Pulsed Drain Current                                       TSTG     1.25                 W
                                                            RJA     0.8                  
Continuous Source Current(Diode Conduction)                         150                  
                                                                  -55/150                /W
Power Dissipation                            TA=25                  120
                                             TA=70

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range
Thermal Resistance-Junction to Ambient

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        SPP2301W

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                  Parameter      Symbol   Conditions          Min. Typ Max. Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250uA     -20                    V
Gate Threshold Voltage                                        -0.45        -1.5
Gate Leakage Current             VGS(th) VDS=VGS,ID=-250uA
                                                                           100 nA
Zero Gate Voltage Drain Current  IGSS VDS=0V,VGS=12V                       -1
                                                                                      uA
On-State Drain Current            IDSS    VDS=-20V,VGS=0V                   -10
                                  ID(on)
Drain-Source On-Resistance       RDS(on)  VDS=-20V,VGS=0V     -6                   A
Forward Transconductance                  TJ=55
Diode Forward Voltage                     VDS-5V,VGS=-4.5V    -3
Dynamic                                   VDS-5V,VGS=-2.5V
Total Gate Charge                                                          0.128   
Gate-Source Charge                        VGS=-4.5V,ID=-2.4A               0.188
Gate-Drain Charge                         VGS=-2.5V,ID=-2.0A
Input Capacitance
Output Capacitance               gfs VDS=-5V,ID=-2.8A                6.5           S
Reverse Transfer Capacitance
                                 VSD IS=-1.6A,VGS=0V                 -0.8 -1.2 V
Turn-On Time
                                  Qg                                 4.8   8
Turn-Off Time                    Qgs
                                 Qgd      VDS=-6V,VGS=-4.5V          0.75          nC
                                 Ciss     ID-2.4A
                                 Coss                                1.3
                                 Crss     VDS=-6V,VGS=0V
                                 td(on)   f=1MHz                     35
                                   tr
                                 td(off)  VDD=-6V,RL=6               150           pF
                                   tf     ID-1.0A,VGEN=-4.5V
                                          RG=6                       60

                                                                     10    20

                                                                     32    45      ns

                                                                     38    55

                                                                     30    50

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        SPP2301W

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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        SPP2301W

          P-Channel Enhancement Mode MOSFET

SOT-23 PACKAGE OUTLINE

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SPP2301W

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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                                                             7F-2, No.3-1, Park Street
                                           NanKang District (NKSP), Taipei, Taiwan, 115, R.O.C
                                                             Phone: 886-2-2655-8178
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