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SPP1413S32RG

器件型号:SPP1413S32RG
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厂商名称:SYNC POWER Crop.
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

P-channel enhancement mode mosfet

SPP1413S32RG器件文档内容

                   SPP1413

                   P-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                                      APPLICATIONS

The SPP1413 is the P-Channel logic enhancement mode              z  Power Management in Note book

power field effect transistors are produced using high cell      z  Portable Equipment

density , DMOS trench technology.                                z  Battery Powered System

This   high  density    process  is   especially   tailored  to  z  DC/DC Converter

minimize on-state resistance.                                    z  Load Switch

These     devices  are  particularly  suited  for  low  voltage  z  DSC

                                                                 z  LCD Display inverter

application  such       as  cellular  phone   and  notebook

computer power management and other battery powered

circuits  where    high-side  switching  ,    and  low  in-line

power loss are needed in a very small outline surface

mount package.

FEATURES                                                         PIN CONFIGURATION ( SOT-323 ; SC-70 )

‹     -20V/-2.4A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=- 10V

‹     -20V/-2.9A,RDS(ON)=150mΩ@VGS=- 4.5V

‹     Super high density cell design for extremely low

      RDS (ON)

‹     Exceptional on-resistance and maximum DC

      current capability

‹     SOT-323 ( SC–70 ) package design

                                                                 PART MARKING

2006/03/20 Ver.2                                                                                   Page 1
   SPP1413

   P-Channel Enhancement                                            Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION

   Pin                                             Symbol                 Description

                   1                               G                           Gate

                   2                               S                           Source

                   3                               D                           Drain

ORDERING INFORMATION

   Part Number                                     Package               Part  Marking

   SPP1413S32RG                                    SOT-323                     13YW

※  Week Code : A ~ Z( 1 ~ 26 ) ; a ~ z( 27 ~ 52 )

※  SPP1413S32RG : Tape Reel ; Pb – Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS

(TA=25℃ Unless otherwise noted)

                      Parameter                             Symbol  Typical            Unit

Drain-Source Voltage                                        VDSS    -20                 V

Gate –Source Voltage                                        VGSS    ±12                 V

Continuous Drain Current(TJ=150℃)                  TA=25℃   ID      -2.9                A

                                                   TA=70℃           -2.0

Pulsed Drain Current                                        IDM     -8                  A

Continuous Source Current(Diode Conduction)                 IS      -1.4                A

Power Dissipation                                  TA=25℃   PD      0.33                W

                                                   TA=70℃           0.21

Operating Junction Temperature                              TJ      -55/150             ℃

Storage Temperature Range                                   TSTG    -55/150             ℃

Thermal Resistance-Junction to Ambient                      RθJA    105                ℃/W

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               SPP1413

               P-Channel         Enhancement                    Mode  MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(TA=25℃ Unless otherwise noted)

               Parameter         Symbol           Conditions    Min.  Typ    Max.   Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS  VGS=0V,ID=-250uA     -20                 V

Gate Threshold Voltage           VGS(th)   VDS=VGS,ID=-250uA    -0.5         -1.8

Gate Leakage Current             IGSS      VDS=0V,VGS=±12V                   ±100   nA

                                           VDS=-20V,VGS=0V                   -1

Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS      VDS=-20V,VGS=0V                   -5     uA

                                           TJ=85℃

On-State Drain Current           ID(on)    VDS= -5V,VGS =-4.5V  -4                  A

Drain-Source On-Resistance       RDS(on)   VGS=-10V,ID=-2.4A          0.090  0.130  Ω

                                           VGS=-4.5V,ID=-2.9A         0.125  0.150

Forward Transconductance         gfs       VDS=-10V,ID=-2.9A          6             S

Diode Forward Voltage            VSD       IS=-1.4A,VGS =0V           -0.8   -1.2   V

Dynamic

Total Gate Charge                Qg                                   5.8    10

Gate-Source Charge               Qgs       VDS=-10V,VGS=-10V          0.8           nC

                                           ID≡-2.4A

Gate-Drain Charge                Qgd                                  1.5

Input Capacitance                Ciss                                 226

Output Capacitance               Coss      VDS=-10V,VGS=0V            87            pF

                                           f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance     Crss                                 19

Turn-On Time                     td(on)                               9      20

                                 tr        VDD=-10V,RL=15Ω            9      20

                                           ID≡-1.0A,VGEN=-10V                       ns

Turn-Off Time                    td(off)   RG=6Ω                      18     35

                                 tf                                   6      20

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            SPP1413

            P-Channel        Enhancement  Mode  MOSFET

TYPICAL     CHARACTERISTICS

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            SPP1413

            P-Channel        Enhancement  Mode  MOSFET

TYPICAL     CHARACTERISTICS

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            SPP1413

            P-Channel        Enhancement  Mode  MOSFET

TYPICAL     CHARACTERISTICS

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SPP1413

P-Channel                Enhancement  Mode  MOSFET

SOT-323 PACKAGE OUTLINE

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SPP1413

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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                      9F-5, No.3-2, Park Street

                      NanKang District (NKSP), Taipei, Taiwan 115

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                      Fax: 886-2-2655-8468

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