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SPN4850S8RGB

器件型号:SPN4850S8RGB
厂商名称:SYNC-POWER
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SPN4850S8RGB器件文档内容

SPN4850

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                                  APPLICATIONS
The SPN4850 is the N-Channel logic enhancement mode          z DC/DC Converter
power field effect transistors are produced using high cell  z Load Switch
density , DMOS trench technology.
This high density process is especially tailored to          PIN CONFIGURATION(SOP 8P)
minimize on-state resistance.
These devices are particularly suited for low voltage
application , notebook computer power management and
other battery powered circuits where high-side
switching .

FEATURES
60V/7.2A,RDS(ON)= 27m@VGS= 10V
60V/6.8A,RDS(ON)= 32m@VGS= 4.5V
Super high density cell design for extremely low

      RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC

      current capability
SOP 8P package design

                                                             PART MARKING

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SPN4850

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION                          Symbol                   Description
                                             S                        Source
                   Pin                       S                        Source
                    1                        S                        Source
                    2                       G                          Gate
                    3                       D                         Drain
                    4                       D                         Drain
                    5                       D                         Drain
                    6                       D                         Drain
                    7
                    8                                            Part Marking
                                                                     SPN4850
ORDERING INFORMATION                                                 SPN4850

Part Number                              Package

SPN4850S8RG                              SOP- 8P

SPN4850S8RGB                             SOP- 8P

SPN4850S8RG : 13" Tape Reel ; Pb Free
SPN4850S8RGB : 13" Tape Reel ; Pb Free ; Halogen -Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS                 TA=25    Symbol         Typical  Unit
(TA=25 Unless otherwise noted)           TA=70     VDSS             60      V
                                                   VGSS                     V
                              Parameter              ID            20      A
Drain-Source Voltage                                IDM            7.2
Gate Source Voltage                                               6.8      A
                                                                    40      A
Continuous Drain Current(TJ=150)
                                                                    15     W
Pulsed Drain Current                                               2.5     
                                                                   1.6     
Avalanche Current                        TA=25              IAS  -55/150  /W
                                         TA=70                   -55/150
Power Dissipation                                           PD      80

Operating Junction Temperature                              TJ
Storage Temperature Range                                  TSTG
Thermal Resistance-Junction to Ambient                     RJA

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        SPN4850

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                  Parameter      Symbol   Conditions        Min. Typ Max. Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA   60                V
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current             VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA   1.0       3.0

Zero Gate Voltage Drain Current  IGSS VDS=0V,VGS=20V                 100 nA

On-State Drain Current                    VDS=48V,VGS=0V              1
Drain-Source On-Resistance                                                    uA
Forward Transconductance         IDSS VDS=48V,VGS=0V
Diode Forward Voltage                     TJ=55                       5
Dynamic
Total Gate Charge                ID(on) VDS5V,VGS =10V      25                A
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge                RDS(on)  VGS= 10V,ID=7.2A       0.023 0.027  
Input Capacitance                         VGS=4.5V,ID=6.8A       0.027 0.032
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance     gfs VDS=15V,ID=6.2A             25           S

Turn-On Time                     VSD IS=1.7A,VGS =0V             0.8 1.2 V

Turn-Off Time                     Qg                             25   30
                                 Qgs
                                 Qgd      VDS=30V,VGS=10V        4.2          nC
                                 Ciss     ID= 6A
                                 Coss                            5.3
                                 Crss     VDS=30VGS=0V
                                 td(on)   f=1MHz                 950 1400
                                   tr
                                 td(off)  VDD=30V,RL=30          180          pF
                                   tf     ID1.0A,VGEN=10V
                                          RG=6                   115

                                                                 10   20

                                                                 10   20      nS

                                                                 25   50

                                                                 12   25

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        SPN4850

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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        SPN4850

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SOP- 8 PACKAGE OUTLINE

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SPN4850

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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                                                             7F-2, No.3-1, Park Street
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                                                             Phone: 886-2-2655-8178
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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