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SPN4392

器件型号:SPN4392
厂商名称:SYNC-POWER
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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SPN4392器件文档内容

SPN4392

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                                  APPLICATIONS
The SPN4392 is the N-Channel logic enhancement mode          z Power Management in Note book
power field effect transistors are produced using high cell  z Portable Equipment
density , DMOS trench technology.                            z Battery Powered System
This high density process is especially tailored to          z High-Side DC/DC Converter
minimize on-state resistance.                                z Load Switch
These devices are particularly suited for low voltage        z DSC
application , notebook computer power management and         z LCD Display inverter
other battery powered circuits where high-side
switching .                                                  PIN CONFIGURATION(SOP 8P)

FEATURES
30V/22A,RDS(ON)= 8m@VGS=10V
30V/18A,RDS(ON)= 12m@VGS=4.5V
Super high density cell design for extremely low

      RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC

      current capability
SOP 8P package design

2007/07/20 Ver.1                                             PART MARKING
                                                                                                                       Page 1
SPN4392

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION                              Symbol            Description
                                                 S                 Source
                   Pin                           S                 Source
                    1                            S                 Source
                    2                           G                   Gate
                    3                           D                  Drain
                    4                           D                  Drain
                    5                           D                  Drain
                    6                           D                  Drain
                    7
                    8                                         Part Marking
                                                                  SPN4392
ORDERING INFORMATION                         Package              SPN4392
                                             SOP- 8P
              Part Number                    SOP- 8P
             SPN4392S8RG
             SPN4392S8TG
SPN4392S8RG : 13" Tape Reel ; Pb Free
SPN4392S8TG : Tube ; Pb Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS                     TA=25    Symbol  Typical  Unit
(TA=25 Unless otherwise noted)               TA=70     VDSS
                                                       VGSS       30     V
                              Parameter                  ID              V
Drain-Source Voltage                                    IDM      20     A
Gate Source Voltage
                                                                 22      A
Continuous Drain Current(TJ=150)                                 18      A
                                                                 50
Pulsed Drain Current                                                    W
                                                                 5.6   
Continuous Source Current(Diode Conduction)            IS        2.5   
                                                                 1.6   /W
Power Dissipation                            TA=25     PD     -55/150
                                             TA=70            -55/150
                                                       TJ        80
Operating Junction Temperature                        TSTG
                                                      RJA
Storage Temperature Range
Thermal Resistance-Junction to Ambient

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        SPN4392

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                  Parameter      Symbol   Conditions              Min. Typ Max. Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS VGS = 0V , ID =250uA    30                V
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current             VGS(th) VDS = VGS,IDS =250uA     0.6        1.6

Zero Gate Voltage Drain Current  IGSS VDS = 0V,VGS = 20 V                   100 nA

Drain-Source On-Resistance        IDSS    VDS = 30V,VGS =0V                   1
Forward Transconductance         RDS(on)                                               uA
Diode Forward Voltage                     VDS = 30V,VGS =0V,
Dynamic                                   TJ = 125C                          100
Total Gate Charge                         VGS = 10V, ID = 13A
Gate-Source Charge                        VGS = 4.5V, ID = 10A         0.006 0.008  
Gate-Drain Charge                                                      0.009 0.012
Input Capacitance
Output Capacitance               gfs VDS = 15V, ID =20 A          10                S
Reverse Transfer Capacitance
                                 VSD IF = 13 A,VGS = 0V                1.0 1.5 V
Turn-On Time
                                  Qg                                   12    20
Turn-Off Time                    Qgs
                                 Qgd      VDS = 15V,VGS = 5V,          4            nC
                                 Ciss     ID =13 A
                                 Coss                                  5
                                 Crss     VGS = 0V, VDS = 25V,
                                 td(on)   F=1MHz                       1500
                                   tr
                                 td(off)  (VDD = 15 V,ID = 13 A,       320          pF
                                   tf     VGS=10V,RG = 2.5)
                                                                       200

                                                                       8     12

                                                                       10    15     ns

                                                                       18    30

                                                                       6     9

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        SPN4392

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SOP- 8 PACKAGE OUTLINE

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SPN4392

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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                                                             9F-5, No.3-2, Park Street
                                                NanKang District (NKSP), Taipei, Taiwan 115
                                                             Phone: 886-2-2655-8178
                                                               Fax: 886-2-2655-8468
                                                           http://www.syncpower.com

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