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SPN3402WS23RG

器件型号:SPN3402WS23RG
厂商名称:SYNC-POWER
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SPN3402WS23RG器件文档内容

SPN3402W

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                                APPLICATIONS
The SPN3402W is the N-Channel logic enhancement                  Power Management in Note book
mode power field effect transistors are produced using           Portable Equipment
high cell density , DMOS trench technology.                      Battery Powered System
This high density process is especially tailored to              DC/DC Converter
minimize on-state resistance.                                    Load Switch
These devices are particularly suited for low voltage            DSC
application such as cellular phone and notebook                  LCD Display inverter
computer power management and other battery powered
circuits, and low in-line power loss are needed in a very
small outline surface mount package.

FEATURES                                                   PIN CONFIGURATION ( SOT-23 )
      30V/2.8A,RDS(ON)= 58m@VGS=10V
      30V/2.3A,RDS(ON)= 65m@VGS=4.5V
      30V/1.5A,RDS(ON)= 105m@VGS=2.5V
      Super high density cell design for extremely low
      RDS (ON)
      Exceptional on-resistance and maximum DC
      current capability
      SOT-23 package design

                                                           PART MARKING

2012/11/08 Ver.1                                                                                Page 1
SPN3402W

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION                              Symbol             Description
                     Pin                        G                    Gate
                      1                          S                 Source
                      2                         D                   Drain
                      3
                                                              Part Marking
ORDERING INFORMATION                                                S42W
                                                                    S42W
Part Number                                  Package

SPN3402WS23RG                                SOT-23

SPN3402WS23RGB                               SOT-23

    Week Code : A ~ Z( 1 ~ 26 ) ; a ~ z( 27 ~ 52 )
SPN3402WS23RG : Tape Reel ; Pb Free
SPN3402WS23RGB : Tape Reel ; Pb Free ; Halogen Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                             Parameter                Symbol  Typical  Unit
Drain-Source Voltage                                   VDSS      30      V
                                                       VGSS              V
Gate Source Voltage                         TA=25       ID     12
Continuous Drain Current(TJ=150)             TA=70              4.0      A
Pulsed Drain Current                                    IDM     2.8
                                                         IS      10      A
Continuous Source Current(Diode Conduction)                              A
                                                         PD     1.25
Power Dissipation                            TA=25       TJ     1.25    W
                                             TA=70     TSTG     0.8     
                                                        RJA     150     
Operating Junction Temperature                                -55/150  /W
                                                                100
Storage Temperature Range
Thermal Resistance-Junction to Ambient

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        SPN3402W

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                  Parameter      Symbol   Conditions         Min. Typ Max. Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA    30                V
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current             VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA    0.8       1.6

Zero Gate Voltage Drain Current  IGSS VDS=0V,VGS=12V                  100 nA

On-State Drain Current            IDSS    VDS=24V,VGS=0.0V             1
                                  ID(on)                                       uA
Drain-Source On-Resistance       RDS(on)  VDS=24V,VGS=0.0V
                                   gfs    TJ=55                        10
Forward Transconductance                  VDS4.5V,VGS=10V
Diode Forward Voltage                     VDS4.5V,VGS=4.5V   6                 A
Dynamic
Total Gate Charge                         VGS = 10V,ID=2.8A  4
Gate-Source Charge                        VGS =4.5V,ID=2.3A
Gate-Drain Charge                         VGS =2.5V,ID=1.5A       0.048 0.058
Input Capacitance                                                 0.053 0.065
Output Capacitance                        VDS=4.5V,ID=2.8A
Reverse Transfer Capacitance                                      0.080 0.105
Turn-On Time
                                                                  4.6          S
Turn-Off Time
                                 VSD IS=1.25A,VGS=0V              0.82 1.2 V

                                  Qg                              4.2  6
                                 Qgs
                                 Qgd      VDS=15,VGS=4.5V         0.6          nC
                                 Ciss     ID2.0A
                                 Coss                             1.5
                                 Crss     VDS=15,VGS=0V
                                 td(on)   f =1MHz                 350
                                   tr
                                 td(off)  VDD=15,RL=10            55           pF
                                   tf     VGEN=10V,RG=3
                                                                  41

                                                                  2.5

                                                                  2.5
                                                                                       ns

                                                                  20

                                                                  4

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        SPN3402W

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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        SPN3402W

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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        SPN3402W

          N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SOT-23 PACKAGE OUTLINE

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SPN3402W

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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                                                              7F-2, No.3-1, Park Street
                                            NanKang District (NKSP), Taipei, Taiwan, 115, R.O.C
                                                              Phone: 886-2-2655-8178
                                                               Fax: 886-2-2655-8468
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