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SPN1024S56RG

器件型号:SPN1024S56RG
厂商名称:SYNC-POWER
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SPN1024S56RG器件文档内容

SPN1024

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                                  APPLICATIONS
The SPN1024 is the Dual N-Channel enhancement mode           z Power Management in Note book
power field effect transistors are produced using high cell  z Portable Equipment
density , DMOS trench technology. This high density          z Battery Powered System
process is especially tailored to minimize on-state          z DC/DC Converter
resistance and provide superior switching performance.       z Load Switch
These devices are particularly suited for low voltage        z DSC
applications such as notebook computer power                 z LCD Display inverter
management and other battery powered circuits where
high-side switching , low in-line power loss, and
resistance to transients are needed.

FEATURES                                                     PIN CONFIGURATION( SOT-563 / SC-89-6L)
N-Channel

       20V/0.65A,RDS(ON)=380m@VGS=4.5V
       20V/0.55A,RDS(ON)=450m@VGS=2.5V
       20V/0.45A,RDS(ON)=800m@VGS=1.8V
Super high density cell design for extremely low
      RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC
      current capability
SOT-563 (SC-89-6L) package design

                                                             PART MARKING

2010/05/25 Ver.2                                                                              Page 1
SPN1024

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION                              Symbol    Description
                                                S1       Source 1
                   Pin                          G1        Gate 1
                    1                           D2       Drain 2
                    2                           S2
                    3                           G2       Source 2
                    4                           D1        Gate 2
                    5                                     Drain1
                    6

ORDERING INFORMATION

Part Number                                  Package   Part Marking
                                                                B
SPN1024S56RG                                 SOT-563            B

SPN1024S56RGB                                SOT-563

SPN1024S56RG : Tape Reel ; Pb Free
SPN1024S56RG : Tape Reel ; Pb Free, Halogen Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                        Parameter            Symbol    Typical        Unit

Drain-Source Voltage                          VDSS         20           V
                                              VGSS        12           V
Gate Source Voltage               TA=25                                A
Continuous Drain Current(TJ=150)   TA=80        ID       0.65           A
                                               IDM       0.45           A
Pulsed Drain Current                            IS                     W
                                                PD        1.0         
Continuous Source Current(Diode Conduction)     TJ        0.3         
                                              TSTG
Power Dissipation                  TA=25                 0.35        Page 2
                                   TA=70                 0.19
                                                       -55/150
Operating Junction Temperature                         -55/150
Storage Temperature Range

2010/05/25 Ver.2
SPN1024

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                  Parameter      Symbol   Conditions            Min. Typ Max. Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS VGS=0V,ID= 250uA      20              V
Gate Threshold Voltage            VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA
Gate Leakage Current                                            0.35       1.0
                                   IGSS VDS=0V,VGS=12V
Zero Gate Voltage Drain Current              VDS= 20V,VGS=0V               100 nA

On-State Drain Current             IDSS VDS= 20V,VGS=0V                    1
                                             TJ=55                                 uA
Drain-Source On-Resistance
                                   ID(on) VDS 4.5V,VGS =5V                 5
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage                        VGS=4.5V,ID=0.65A  0.7             A
Dynamic                           RDS(on) VGS=2.5V,ID=0.55A
Total Gate Charge                                                     0.26 0.38
Gate-Source Charge                           VGS=1.8V,ID=0.45A        0.32 0.45
Gate-Drain Charge                   gfs VDS=10V,ID=0.4A               0.42 0.80
Turn-On Time                       VSD IS=0.15A,VGS=0V
                                                                      1.0       S
Turn-Off Time
                                                                      0.8 1.2 V

                                  Qg      VDS=10V,VGS=4.5V,           1.2 1.5
                                 Qgs      ID0.6A
                                 Qgd                                  0.2       nC
                                 td(on)   VDD=10V,RL=10 ,
                                   tr     ID0.5A                      0.3
                                 td(off)  VGEN=4.5V ,RG=6
                                   tf                                 5    10

                                                                      8    15   ns

                                                                      10   18

                                                                      1.2 2.8

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        SPN1024

           Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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           Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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           Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

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           Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

SOT-563 PACKAGE OUTLINE

2010/05/25 Ver.2  Page 7
SPN1024

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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                                                             SYNC Power Corporation
                                                             9F-5, No.3-2, Park Street
                                                NanKang District (NKSP), Taipei, Taiwan 115
                                                             Phone: 886-2-2655-8178
                                                               Fax: 886-2-2655-8468
                                                           http://www.syncpower.com

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