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SPD30N03L

器件型号:SPD30N03L
厂商名称:SIEMENS
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

SIPMOS Power Transistor

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SPD30N03L器件文档内容

                                                                           SPD30N03L

SIPMOS Power Transistor

Features                          Product Summary                   VDS          30 V
N channel                       Drain source voltage
Enhancement mode                Drain-Source on-state resistance  RDS(on) 0.012
Avalanche rated                 Continuous drain current
                                                                    ID           30 A

Logic Level

dv/dt rated

175C operating temperature

Type                 Package Ordering Code Packaging                    Pin 1 Pin 2 Pin 3
SPD30N03L            P-TO252 Q67040-S4148-A2 Tape and Reel
SPU30N03L            P-TO251-3-1 Q67040-S4149-A2 Tube                   G        D  S

Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                                       Symbol                 Value        Unit
                                                                                    A
Continuous drain current                        ID                      30
                                                                         30         mJ
TC = 25 C, limited by bond wire                                        120
                                                                                    kV/s
TC = 100 C                                                             250
                                                                                    V
Pulsed drain current                            IDpulse                  12         W
TC = 25 C                                      EAS                       6         C
Avalanche energy, single pulse
ID = 30 A, VDD = 25 V, RGS = 25                                         20
                                                                        120
Avalanche energy, periodic limited by Tjmax     EAR
Reverse diode dv/dt                             dv/dt               -55... +175
                                                                    55/175/56
IS = 46 A, VDS = 24 V, di/dt = 200 A/s,        VGS
Tjmax = 175 C                                  Ptot
Gate source voltage
Power dissipation                               Tj , Tstg
TC = 25 C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Semiconductor Group                          1
                                                                            SPD30N03L

Thermal Characteristics                           Symbol               Values       Unit
Parameter
                                                           min. typ. max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case               RthJC    -           - 1.25 K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leded     RthJA
SMD version, device on PCB:                       RthJA    -           -       100
@ min. footprint
@ 6 cm2 cooling area1)                                     -           -       75

                                                           -           -       50

Electrical Characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                                         Symbol               Values       Unit

                                                           min. typ. max.

Static Characteristics

Drain- source breakdown voltage                   V(BR)DSS 30          -       -V
VGS = 0 V, ID = 0.25 mA
Gate threshold voltage, VGS = VDS                 VGS(th)  1.2         1.6     2
ID = 80 A
Zero gate voltage drain current                   I DSS                             A
VDS = 30 V, VGS = 0 V, Tj = 25 C
VDS = 30 V, VGS = 0 V, Tj = 150 C                                     0.1 1

                                                           -           - 100

Gate-source leakage current                       I GSS    -           10 100 nA
VGS = 20 V, VDS = 0 V                             RDS(on)
Drain-Source on-state resistance                                                      
VGS = 4.5 V, ID = 30 A                                     - 0.013 0.018
VGS = 10 V, ID = 30 A                                      - 0.0076 0.012

1 Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.

Semiconductor Group                            2
                                                                       SPD30N03L

Electrical Characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                               Symbol                         Values  Unit

                                                  min. typ. max.

Dynamic Characteristics

Transconductance                        gfs       20 45                        -S
VDS2*ID*RDS(on)max , ID = 30 A          Ciss
Input capacitance                       Coss      - 1640 2100 pF
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz        Crss
Output capacitance                      t d(on)   - 650 820
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance                      - 280 350
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Turn-on delay time                                -                    16 24 ns
VDD = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 30 A,
RG = 3.6

Rise time                               tr        -                    30 45
VDD = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 30 A,
RG = 3.6

Turn-off delay time                     t d(off)  -                    20 30
VDD = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 30 A,
RG = 3.6

Fall time                               tf        -                    25 38
VDD = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 30 A,
RG = 3.6

Semiconductor Group                  3
                                                                          SPD30N03L

Electrical Characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                                    Symbol                    Values       Unit

                                                         min. typ. max.

Dynamic Characteristics

Gate to source charge                        Qgs         -             4       6 nC
VDD = 24 V, ID = 30 A
Gate to drain charge                         Qgd         -             21 31.5
VDD = 24 V, ID = 30 A
Gate charge total                            Qg          -             54 80
VDD = 24 V, ID = 30 A, VGS = 0 to 10 V
Gate plateau voltage                         V(plateau)  -             3.31 - V
VDD = 24 V, ID = 30 A

Reverse Diode

Inverse diode continuous forward current     IS          -             -       30 A

TC = 25 C

Inverse diode direct current,pulsed          ISM         -             -       120
TC = 25 C

Inverse diode forward voltage                VSD         - 0.97 1.7 V
VGS = 0 V, IF = 60 A
Reverse recovery time                        trr         -             45 68 ns
VR = 15 V, IF=IS , diF/dt = 100 A/s

Reverse recovery charge                      Qrr         - 0.045 0.068 C
VR = 15 V, IF=lS , diF/dt = 100 A/s

Semiconductor Group                       4
                                                                                                                 SPD30N03L

Power Dissipation                                       Drain current
Ptot = f (TC)                                           ID = f (TC)
                                                        parameter: VGS  10 V
        SPD30N03L
                                                                            SPD30N03L
130
                                                                  32
W
                                                                  A

110

100                                                                            24

90

Ptot80                                                                         20
                                                                        ID

70

                                                                               16

60

50                                                                             12

40

30                                                                                 8

20                                                                                 4

10

    0       20 40 60 80 100 120 140 160 C 190                                     0        20 40 60 80 100 120 140 160 C 190
     0                                                                              0

                                     TC                                                                                        TC

Safe operating area                                     Transient thermal impedance

ID = f (VDS)                                            ZthJC = f (tp)
parameter : D = 0 , TC = 25 C                          parameter : D = tp/T

        10 3 SPD30N03L                                          10 1 SPD30N03L

                                                           K/W

A                                                                              10 0

                                 tp = 65.0s
                                       100 s
ID10 2                                                                         10 -1

                          R                                                    10 -2
                            DS(on) = V

                                     DS / ID

                                                                        ZthJC

                                                                                                                        D = 0.50

                                     1 ms                                                                                      0.20

10 1                                                                           10 -3                                           0.10

                                     10 ms

                                                                                                                               0.05

                                                                                            single pulse                       0.02

                                 DC                                            10 -4                                           0.01

10  0   -1           10 0  10 1                10 2                            10  -5   -7  10 -6  10 -5  10 -4  10 -3  10 -2  s 10 0

    10                               V                                              10                                         tp

                                     VDS

Semiconductor Group                                  5
                                                                                                                                     SPD30N03L

Typ. output characteristics                               Typ. drain-source-on-resistance

ID = f (VDS)                                              RDS(on) = f (ID)

parameter: tp = 80 s                                     parameter: VGS

                    SPD30N03L                                                                            SPD30N03L

          75 Ptot = 120W                                           0.060
          A
                                                                  
             l                                                                                           b                    c                   d
              kjihgf e
                                     VGS [V]
    60
    55                                  a     2.5                  0.050
    50
    45                                  b     3.0
    40
    35                               dc       3.5         RDS(on)  0.045
    30
    25                                  d     4.0                  0.040
    20
ID  15                                  e     4.5

                                        f     5.0                  0.035

                                        g     5.5

                                        h     6.0                  0.030

                                        i     6.5                  0.025

                                  cj          7.0

                                        k     8.0                  0.020

                                        l     10.0                                                                                                   e

                                                                   0.015

                                                                                                                                                         f

    10                               b                             0.010                                                                             g   jh
                                                                                                                                                  ki     l
    5                                                                                                    VGS [V] =

                                                                   0.005                                 bc def                  ghi j            kl
                                                                                                         3.0 3.5 4.0 4.5 5.0     5.5 6.0 6.5 7.0
                                  a                                                                                                               8.0 10.0

    0                                      V
    0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0         5.0
                                                                   0.0000
                                           VDS                                                              10      20           30  40           A          60

                                                                                                                                                     ID

Typ. transfer characteristics ID= f (VGS)                 Typ. forward transconductance
parameter: tp = 80 s
VDS  2 x ID x RDS(on)max                                  gfs = f(ID); Tj = 25C
                                                          parameter: gfs
        100
                                                                   60
                                                                   S

    A                                                              50

                                                                   45

                                                                   40

ID  60                                                    gfs      35

                                                                   30

    40                                                             25

                                                                   20

                                                                                                     15

    20
                                                                                                     10

                                                                   5

    00  1               2      3     V              5              00                                       10 20 30 40 50 A                                 70

                                           VGS                                                                                                       ID

Semiconductor Group                                    6
Drain-source on-resistance                                                                                SPD30N03L

RDS(on) = f (Tj)                                                          Gate threshold voltage
parameter : ID = 30 A, VGS = 4.5 V                                        VGS(th) = f (Tj)
                                                                          parameter : VGS = VDS, ID = 80 A
                    SPD30N03L
                                                                                   3.0
      0.050                                                                         V

      

         0.040                                                                     2.4

                                                                          VGS(th)  2.2

RDS(on)  0.035                                                                     2.0

         0.030                                                                     1.8

                                                                                   1.6

         0.025             98%                                                     1.4
         0.020               typ
         0.015                                                                     1.2

                                                                                   1.0
                                                                                                                                                         max

                                                                                   0.8

         0.010                                                                     0.6
                                                                                                                                                         typ

                                                                                   0.4

         0.005                                                                     0.2
                                                                                                                                                         min

         0.000-60 -20                                                              0.0        20  60 100 140 C 200
                                                                                     -60 -20

                       20         60 100 140 C 200                                               Tj

                                    Tj

Typ. capacitances                                                         Forward characteristics of reverse diode

C = f (VDS)                                                               IF = f (VSD)
parameter: VGS = 0 V, f = 1 MHz                                           parameter: Tj , tp = 80 s

        10 4                                                                      10 3 SPD30N03L

         pF                                                                          A

C                                                                Ciss     IF       10 2

         10 3                                                                      10 1
                                                                                                                    Tj = 25 C typ
                                                                 Coss                                               Tj = 175 C typ
                                                                                                                    Tj = 25 C (98%)
                                    Crss                                                                            Tj = 175 C (98%)

         10 2    5 10 15 20 25 30 V 40                                             10 0
              0                                                                        0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
                                                            VDS
                                                                                                                                    VSD

Semiconductor Group                                                    7
                                                                                                                             SPD30N03L

Avalanche Energy EAS = f (Tj)                                                Typ. gate charge
parameter: ID = 30 A, VDD = 25 V                                             VGS = f (QGate)
RGS = 25                                                                     parameter: ID puls = 30 A

        250                                                                                      SPD30N03L

       mJ                                                                              16

                                                                                    V

                                                                             12

EAS                                                                          10
                                                                        VGS
          150

                                                                             8

          100                                                                6                                  0,2 VDS max  0,8 VDS max

                                                                                                             4
          50

                                                                                                             2

            0                                                                0
             20 40 60 80 100 120 140 C 180
                                                                              0 10 20 30 40 50 60 nC 80
                                                       Tj                                                                  QGate

Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)

                 SPD30N03L

          37

          V

          35

V(BR)DSS  34

          33

          32

          31

          30

          29

          28

          27-60  -20        20  60 100 140 C 200

Semiconductor Group                                   Tj

                                                                          8
                                                                                       SPD30N03L

Edition 03 / 1999
Published by Siemens AG,
Bereich Halbleiter Vetrieb,
Werbung, Balanstrae 73,
81541 Mnchen
Siemens AG 1997
All Rights Reserved.
Attention please!
As far as patents or other rights of third parties are concerned, liability is only assumed for components,
not for applications, processes and circuits implemented within components or assemblies.
The information describes a type of component and shall not be considered as warranted characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
For questions on technology, delivery and prices please contact the Semiconductor Group Offices in Germany
or the Siemens Companies and Representatives worldwide (see address list).
Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types
in question please contact your nearest Siemens Office, Semiconductor Group.
Siemens AG is an approved CECC manufacturer.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you - get in touch with your nearest sales
office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport.
For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to
invoice you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose!
Critical components1 of the Semiconductor Group of Siemens AG, may only be used in life-support devices or
systems2 with the express written approval of the Semiconductor Group of Siemens AG.
1)A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be

  expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of
  that device or system.
2)Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or
  maintain and sustain and/or protecf human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the
  user or other persons may be endangered.

Semiconductor Group  9
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