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SPC1016_09

器件型号:SPC1016_09
厂商名称:SYNC-POWER
厂商官网:http://www.syncpower.com/
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器件描述

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

SPC1016_09器件文档内容

SPC1016

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION                                                  APPLICATIONS
The SPC1016 is the Dual P-Channel enhancement mode           z Power Management in Note book
power field effect transistors are produced using high cell  z Portable Equipment
density , DMOS trench technology. This high density          z Battery Powered System
process is especially tailored to minimize on-state          z DC/DC Converter
resistance and provide superior switching performance.       z Load Switch
These devices are particularly suited for low voltage        z DSC
applications such as notebook computer power                 z LCD Display inverter
management and other battery powered circuits where
high-side switching , low in-line power loss, and
resistance to transients are needed.

FEATURES                                                     PIN CONFIGURATION( SOT-563 / SC-89-6L)
N-Channel

       20V/0.65A,RDS(ON)=380m@VGS=4.5V
       20V/0.55A,RDS(ON)=450m@VGS=2.5V
       20V/0.45A,RDS(ON)=800m@VGS=1.8V
P-Channel
      -20V/0.45A,RDS(ON)= 0.52@VGS=-4.5V
      -20V/0.35A,RDS(ON)= 0.70@VGS=-2.5V
      -20V/0.25A,RDS(ON)= 0.95@VGS=-1.8V
Super high density cell design for extremely low
      RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC
      current capability
SOT-563 (SC-89-6L) package design

                                                             PART MARKING

2009/06/20 Ver.2                                                                              Page 1
SPC1016

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

PIN DESCRIPTION                              Symbol                         Description
                                                S1                            Source 1
                   Pin                          G1                             Gate 1
                    1                           D2                            Drain 2
                    2                           S2
                    3                           G2                            Source 2
                    4                           D1                             Gate 2
                    5                                                          Drain1
                    6

ORDERING INFORMATION

Part Number                                  Package                        Part Marking
                                                                                     C
SPC1016S56RG                                 SOT-563                                 C

SPC1016S56RGB                                SOT-563

Week Code : A ~ Z( 1 ~ 26 ) ; a ~ z( 27 ~ 52 )
SPC1016S56RG : Tape Reel ; Pb Free
SPC1016S56RGB : Tape Reel ; Pb Free ; Halogen -Free

ABSOULTE MAXIMUM RATINGS
(TA=25 Unless otherwise noted)

                                                                            Typical

                        Parameter            Symbol                                          Unit

                                                            N-Channel             P-Channel

Drain-Source Voltage                         VDSS           20                       -20     V

Gate Source Voltage                         VGSS           12                      12     V
Continuous Drain Current(TJ=150)
                                   TA=25                              0.65           -0.45
                                   TA=80                                                              A
                                                        ID
                                                                                     -0.35
                                                                      0.45

Pulsed Drain Current                                  IDM   1.0                      -1.0    A

Continuous Source Current(Diode Conduction)             IS  0.3                      -0.3    A

Power Dissipation                  TA=25                PD                  0.35             W
                                   TA=70
                                                                            0.19

Operating Junction Temperature                          TJ                  -55/150         
Storage Temperature Range
                                             TSTG                           -55/150         

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        SPC1016

          N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25 Unless otherwise noted)

        Parameter           Symbol   Conditions                         Min. Typ Max. Unit

Static

Drain-Source Breakdown      V(BR)DSS VGS=0V,ID= 250uA             N-Ch 20
Voltage                                VGS=0V,ID=-250uA
                                                                  P-Ch -20                   V
Gate Threshold Voltage      VGS(th)  VDS=VGS,ID=250uA             N-Ch 0.35         1.0
                                     VDS=VGS,ID=-250uA
                                                                  P-Ch -0.35        -0.8

Gate Leakage Current        IGSS     VDS=0V,VGS=12V              N-Ch              100  nA
                                     VDS=0V,VGS=12V              P-Ch              100

                                     VDS= 20V,VGS=0V              N-Ch              1

Zero Gate Voltage Drain     IDSS     VDS=-20V,VGS=0V              P-Ch              -1    uA
Current                              VDS= 20V,VGS=0V TJ=55        N-Ch              10

                                     VDS=-20V,VGS=0V TJ=55        P-Ch              -10

On-State Drain Current      ID(on)   VDS 4.5V,VGS = 5V            N-Ch 0.7                A
                                     VDS -4.5V,VGS =-5V           P-Ch -0.7

                                     VGS=4.5V,ID=0.65A            N-Ch        0.26 0.38

                                     VGS=-4.5V,ID=-0.45A          P-Ch        0.42 0.52

Drain-Source On-Resistance  RDS(on)  VGS=2.5V,ID=0.55A            N-Ch        0.32  0.45  
                                     VGS=-2.5V,ID=-0.35A          P-Ch        0.58  0.70

                                     VGS=1.8V,ID=0.45A            N-Ch        0.42 0.80

                                     VGS=-1.8V,ID=-0.25A          P-Ch        0.75 0.95

Forward Transconductance    gfs VDS=10V,ID=0.4A                   N-Ch        1.0         S
                                    VDS=-10V,ID=-0.25A
                                                                  P-Ch        0.4

Diode Forward Voltage       VSD IS= 0.15A,VGS =0V                 N-Ch        0.8 1.2 V
                                    IS=-0.15A,VGS =0V             P-Ch        -0.8 -1.2

Dynamic

Total Gate Charge            Qg                                   N-Ch        1.2 1.5
Gate-Source Charge          Qgs                                   P-Ch
Gate-Drain Charge           Qgd                   N-Channel       N-Ch        1.5 2.0
Turn-On Time                td(on)    VDS=10V,VGS=4.5V, ID0.6A    P-Ch
                              tr                                  N-Ch        0.2         nC
Turn-Off Time               td(off)                P-Channel      P-Ch
                              tf     VDS=-10V,VGS=-4.5V ,ID-0.6A  N-Ch        0.3
                                                                  P-Ch
                                                  N-Channel       N-Ch        0.3
                                            VDD=10V,RL=10 ,       P-Ch
                                                                  N-Ch        0.35
                                                   ID0.5A         P-Ch
                                            VGEN=4.5V ,RG=6       N-Ch        5 10
                                                                  P-Ch
                                                  P-Channel                   5 10
                                            VDD=-10V,RL=10 ,
                                                                              8 15
                                                   ID-0.4A
                                           VGEN=-4.5V ,RG=6                   15 25 nS
                                                                              10 18

                                                                              8 15

                                                                              1.2 2.8

                                                                              1.4 1.8

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        SPC1016

          N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS ( N-Channel )

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          N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS ( N-Channel )

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          N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS ( N-Channel )

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          N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS ( P-Channel )

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          N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS ( P-Channel )

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          N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS ( P-Channel )

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        SPC1016

          N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

SOT-563 PACKAGE OUTLINE

2009/06/20 Ver.2  Page 10
SPC1016

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

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                                                             Phone: 886-2-2655-8178
                                                               Fax: 886-2-2655-8468
                                                           http://www.syncpower.com

2009/06/20 Ver.2  Page 11
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