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SIT9121AI-2C3-25E122.880000Y

器件型号:SIT9121AI-2C3-25E122.880000Y
器件类别:无源元件   
厂商名称:SiTime
标准:
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器件描述

OSC MEMS 122.8800MHZ LVDS SMD

参数
产品属性属性值
类型:XO MEMS
频率:122.88MHz
功能:启用/禁用
输出:LVDS
电压 - 电源:2.5V
频率稳定度:±50ppm
工作温度:-40°C ~ 85°C
电流 - 电源(最大值):55mA
等级:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,无引线
大小/尺寸:0.197" 长 x 0.126" 宽(5.00mm x 3.20mm)
高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm)
电流 - 电源(禁用)(最大值):35mA

SIT9121AI-2C3-25E122.880000Y器件文档内容

SiT8208

Ultra Performance Oscillator

                                                                                                     TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Features                                                            Applications

Any frequency between 1 and 80 MHz accurate to 6 decimal places     SATA, SAS, Ethernet, PCI Express, video, WiFi
100% pin-to-pin drop-in replacement to quartz-based oscillators     Computing, storage, networking, telecom, industrial control
Ultra low phase jitter: 0.5 ps (12 kHz to 20 MHz)
Frequency stability as low as 10 PPM
Industrial or extended commercial temperature range
LVCMOS/LVTTL compatible output
Standard 4-pin packages: 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5, 5.0 x 3.2,

   7.0 x 5.0 mm x mm
Instant samples with Time Machine II and field programmable

   oscillators
Outstanding silicon reliability of 2 FIT or 500 million hour MTBF
Pb-free, RoHS and REACH compliant
Ultra short lead time

Electrical Characteristics[1]

                Parameter    Symbol   Min.       Typ.  Max.         Unit                             Condition
Output Frequency Range            f
Frequency Stability                                    Frequency Range
                             F_stab
                                      1               80           MHz

                                                 Frequency Stability and Aging

                                      -10             +10          PPM Inclusive of Initial tolerance at 25 C, and variations over

                                      -20             +20          PPM operating temperature, rated power supply voltage and load

                                      -25             +25          PPM

                                      -50             +50          PPM

First year Aging             F_aging  -1.5            +1.5         PPM 25C
10-year Aging
                                      -5              +5           PPM 25C

                                                 Operating Temperature Range

Operating Temperature Range  T_use    -20             +70          C          Extended Commercial

                                      -40             +85          C          Industrial

                                                 Supply Voltage and Current Consumption

Supply Voltage               Vdd      1.71       1.8   1.89             V       Supply voltages between 2.5V and 3.3V can be supported.

                                      2.25       2.5   2.75             V       Contact SiTime for additional information.

                                      2.52       2.8   3.08             V

                                      2.97       3.3   3.63             V

Current Consumption           Idd               31    33           mA No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 2.5V, 2.8V or 3.3V
OE Disable Current           I_OD
Standby Current              I_std              29    31           mA No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 1.8V

                                                     31           mA Vdd = 2.5V, 2.8V or 3.3V, OE = GND, output is Weakly Pulled

                                                                                Down

                                                     30           mA Vdd = 1.8 V. OE = GND, output is Weakly Pulled Down

                                                     70           A           Vdd = 2.5V, 2.8V or 3.3V, ST = GND, output is Weakly Pulled

                                                                                Down

                                                     10           A           Vdd = 1.8 V. ST = GND, output is Weakly Pulled Down

                                                 LVCMOS Output Characteristics

Duty Cycle                    DC      45              55               %
Rise/Fall Time               Tr, Tf
Output Voltage High          VOH                1.2   2                ns      15 pF load, 10% - 90% Vdd
Output Voltage Low           VOL
                                      90%                         Vdd IOH = -6 mA, IOL = 6 mA, (Vdd = 3.3V, 2.8V, 2.5V)
Input Voltage High           VIH
Input Voltage Low             VIL                    10%          Vdd         IOH = -3 mA, IOL = 3 mA, (Vdd = 1.8V)
Input Pull-up Impedance      Z_in
                                                       Input Characteristics

                                      70%                         Vdd Pin 1, OE or ST

                                                     30%          Vdd Pin 1, OE or ST

                                                100   250          k           Pin 1, OE logic high or logic low, or ST logic high

                                      2                           M Pin 1, ST logic low

Note:
1. All electrical specifications in the above table are specified with 15 pF output load and for all Vdd(s) unless otherwise stated.

SiTime Corporation           990 Almanor Avenue        Sunnyvale, CA 94085                  (408) 328-4400                                     www.sitime.com
Rev. 1.02                                                                                                                              Revised June 24, 2013
SiT8208

Ultra Performance Oscillator

                                                                                                       TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Electrical Characteristics[1] (Continued)

                Parameter   Symbol            Min.     Typ.           Max.    Unit                                          Condition
Startup Time
OE Enable/Disable Time                                 Startup and Resume Timing         Measured from the time Vdd reaches its rated minimum value
Resume Time                                                                              f = 80 MHz, For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 cycles
                            T_start                   7              10      ms         In standby mode, measured from the time ST pin crosses 50%
RMS Period Jitter                                                                        threshold. Refer to Figure 5.
RMS Phase Jitter (random)   T_oe                                    150     ns
                                                                                         f = 75 MHz, Vdd = 1.8V
                            T_resume                  6              10      ms         f = 10 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz to 20 MHz

                                                                      Jitter

                            T_jitt                    1.5            2       ps

                                                      2              3       ps

                            T_phj                     0.5            1       ps

Note:
  1. All electrical specifications in the above table are specified with 15 pF output load and for all Vdd(s) unless otherwise stated.

Pin Configuration

Pin        Symbol                                   Functionality

                    Output H or Open[2]: specified frequency output                                                                     Top View
                    Enable L: output is high impedance. Only output driver is disabled.

1          OE/ ST           H or Open[2]: specified frequency output                                   OE/ST 1                                    4 VDD

                    Standby L: output is low (weak pull down). Device goes to sleep mode. Supply
                            current reduces to I_std.

2          GND      Power Electrical ground[3]

3          OUT      Output Oscillator output                                                           GND 2                                      3 OUT

4          VDD      Power Power supply voltage[3]

Notes:
  2. A pull-up resistor of <10 k between OE/ ST pin and Vdd is recommended in high noise environment.
  3. A capacitor of value 0.1 F between Vdd and GND is recommended.

Absolute Maximum

Attempted operation outside the absolute maximum ratings of the part may cause permanent damage to the part. Actual perfor-
mance of the IC is only guaranteed within the operational specifications, not at absolute maximum ratings.

                                                  Parameter                              Min.          Max.                                       Unit
Storage Temperature
VDD                                                                                      -65           150                                        C
Electrostatic Discharge
Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines)                     -0.5          4                                          V
Junction Temperature
                                                                                                      2000                                       V

                                                                                                      260                                        C

                                                                                                      150                                        C

Thermal Consideration

           Package          JA, 4 Layer Board          JA, 2 Layer Board                 JC, Bottom
             7050
             5032                    (C/W)                     (C/W)                       (C/W)
             3225                      191                        263                           30
             2520                       97                        199                           24
                                       109                        212                           27
                                       117                        222                           26

Environmental Compliance

                            Parameter                                                                            Condition/Test Method
                                                                            MIL-STD-883F, Method 2002
Mechanical Shock                                                            MIL-STD-883F, Method 2007
Mechanical Vibration                                                        JESD22, Method A104
Temperature Cycle                                                           MIL-STD-883F, Method 2003
Solderability                                                               MSL1 @ 260C
Moisture Sensitivity Level

Rev. 1.02                                                    Page 2 of 10                                                                         www.sitime.com
SiT8208                                                                                                                   TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Ultra Performance Oscillator

Phase Noise Plot

                                 -100

                                 -110           Integrated random phase jitter (RMS, 12kHz-5MHz): 0.52ps
                                 -120
           Phase Noise (dBc/Hz)
                                 -130

                                 -140

                                 -150

                                 -160

                                 -170                    1 04                    1 05               1 06
                                       1 03

                                                               Frequency Offset (Hz)

                                                Figure 1. Phase Noise, 10 MHz, 3.3V, LVCMOS Output

Test Circuit and Waveform

                                         Vdd    Vout                 Test
                                                                     Point
                                                                                               tr                                 tf
                                                               15pF
                                             4  3              (including probe        90% Vdd
                                                               and fixture                   50%
Power                                                          capacitance)
                                                                                       10% Vdd
Supply     0.1F

                                             1  2

                                                                                                   High Pulse                     Low Pulse
                                                                                                       (TH)                           (TL)

           OE/ST Function                                                                                                 Period

                    Vdd
                                     1k

                                 Figure 2. Test Circuit                                            Figure 3. Waveform

Notes:

  4. Duty Cycle is computed as Duty Cycle = TH/Period.
  5. SiT8208 supports the configurable duty cycle feature. For custom duty cycle at any given frequency, contact SiTime.

Rev. 1.02                                                      Page 3 of 10                                                           www.sitime.com
SiT8208                                                                                                                       TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Ultra Performance Oscillator

Timing Diagram

           90% Vdd, 2.5/2,8/3.3V devices  Vdd                                                                            Vdd         ST Voltage

           95% Vdd, 1.8V devices                      Pin 4 Voltage

                                                                                           50% Vdd

                                             T_start  NO Glitch first cycle                                              T_resume
                                                          CLK Output
                                                                                                                                     CLK Output

                             T_start: Time to start from power-off                                                            T_resume: Time to resume from ST

           Figure 4. Startup Timing (OE/ST Mode)                                           Figure 5. Standby Resume Timing (ST Mode Only)

                                          u

                                  Vdd          OE Voltage                                  Vdd                           OE Voltage

           50% Vdd

                                  T_OE                                                                                   50% Vdd

                                                      CLK Output                                             CLK Output

                                                                                                                              T_OE

                                                                                                                                                 HZ

           T_OE: Time to re-enable the clock output                                        T_OE: Time to put the output drive in High Z mode

           Figure 6. OE Enable Timing (OE Mode Only)                                       Figure 7. OE Disable Timing (OE Mode Only)

Notes:

  6. SiT8208 supports NO RUNT pulses and No glitches during startup or resume.
  7. SiT8208 supports gated output which is accurate within rated frequency stability from the first cycle.

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SiT8208                                                                                                                                                   TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Ultra Performance Oscillator

Performance Plots

                              3.3V 2.5V 1.8V                                                                                                    3.3V 2.5V 1.8V

               40.0                                                                                                      3.00

               38.0                                                                                                      2.50

               36.0                                                                               RMS Period jitter, ps

               34.0                                                                                                      2.00

Idd, mA        32.0

               30.0                                                                                                      1.50

               28.0                                                                                                      1.00

               26.0

               24.0                                                                                                      0.50

               22.0

               20.0                                                                                                      0.00

                     10  20   30     40      50                     60      70      80                                        10    20   30           40        50        60      70  80

                              Frequency, MHz                                                                                                 Frequency, MHz

                         Figure 8. Idd vs Frequency                                                                      Figure 9. RMS Period Jitter vs Frequency

                                  3.3V 2.5V 1.8V                                                                                                2.5V      3.3V 1.8V

               55.0                                                                                                      1

               54.0                                                                                                      0.9

               53.0                                                                               RMS Phase jitter, ps   0.8

Duty cycle, %  52.0                                                                                                      0.7

               51.0                                                                                                      0.6

               50.0                                                                                                      0.5

               49.0                                                                                                      0.4

               48.0                                                                                                      0.3

               47.0                                                                                                      0.2

               46.0                                                                                                      0.1

               45.0                                                                                                      0

                   10    20   30     40      50                     60      70  80                                          10      20   30        40           50        60      70  80

                                  Frequency, MHz                                                                                                Frequency, MHz

                     Figure 10. Duty Cycle vs Frequency                                                                  Figure 11. RMS Phase Jitter vs Frequency

                                                    1.8V 2.5V 3.3V                                                                           1.8V         2.5V      3.3V
               35
                                                                                                                         2.0

               33                                                                                                        1.5

Idd, mA        31                                                                                 Rise Time, ns

                                                                                                                         1.0

               29

               27                                                                                                        0.5

               25                                                                                                        0.0

               -40       -20      0      20       40                    60      80                                             -40  -20      0            20        40        60      80

                              Temperature, C                                                                                                   Temperature, C

Figure 12. Idd vs Temperature, 10 MHz Output                                            Figure 13. Rise Time vs Temperature, 75 MHz Output

Note:
  8. All plots are measured with 15 pF load at room temperature, unless otherwise stated.

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SiT8208

Ultra Performance Oscillator

Programmable Drive Strength                                                                                                    TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

The SiT8208 includes a programmable drive strength feature                      choose to speed up the rise/fall time to 1.41ns by then
to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall              increasing the drive strength setting on the SiT8208.
time for specific applications. Benefits from the programmable                  The SiT8208 can support up to 60 pF or higher in maximum
drive strength feature are:                                                     capacitive loads with up to 3 additional drive strength settings.
                                                                                Refer to the Rise/Tall Time Tables to determine the proper
Improves system radiated electromagnetic interference                        drive strength for the desired combination of output load vs.
    (EMI) by slowing down the clock rise/fall time                              rise/fall time

Improves the downstream clock receiver's (RX) jitter by de-                  SiT8208 Drive Strength Selection
    creasing (speeding up) the clock rise/fall time.                            Tables 1 through 5 define the rise/fall time for a given capac-
                                                                                itive load and supply voltage.
Ability to drive large capacitive loads while maintaining full               1. Select the table that matches the SiT8208 nominal supply
    swing with sharp edge rates.
                                                                                    voltage (1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.0V, 3.3V).
For more detailed information about rise/fall time control and                  2. Select the capacitive load column that matches the appli-
drive strength selection, see the SiTime Applications Note
section; http://www.sitime.com/support/application-notes.                           cation requirement (5 pF to 60 pF)
                                                                                3. Under the capacitive load column, select the desired
EMI Reduction by Slowing Rise/Fall Time
Figure 14 shows the harmonic power reduction as the rise/fall                       rise/fall times.
times are increased (slowed down). The rise/fall times are                      4. The left-most column represents the part number code for
expressed as a ratio of the clock period. For the ratio of 0.05,
the signal is very close to a square wave. For the ratio of 0.45,                   the corresponding drive strength.
the rise/fall times are very close to near-triangular waveform.                 5. Add the drive strength code to the part number for ordering
These results, for example, show that the 11th clock harmonic
can be reduced by 35 dB if the rise/fall edge is increased from                     purposes.
5% of the period to 45% of the period.
                                                                                Calculating Maximum Frequency
Harmonic amplitude (dB)  10                              t r is e = 0 .0 5      Based on the rise and fall time data given in Tables 1 through
                           0                             t r is e = 0 .1        4, the maximum frequency the oscillator can operate with
                                                         t r is e = 0 .1 5      guaranteed full swing of the output voltage over temperature
                         -10                             t r is e = 0 .2        as follows:
                         -20                             t r is e = 0 .2 5
                         -30                             t r is e = 0 .3                                              1
                         -40                             t r is e = 0 .3 5          Max Frequency =
                         -50                             t r is e = 0 .4
                         -60                             t r is e = 0 .4 5                                      6 x (Trise)
                         -70
                         -80 1  3  5  7               9                     11  Example 1

                                   Harm onic num ber                            Calculate fMAX for the following condition:
                                                                                  Vdd = 1.8V (Table 1)
   Figure 14. Harmonic EMI reduction as a Function of                            Capacitive Load: 30 pF
                         Slower Rise/Fall Time                                    Desired Tr/f time = 3 ns (rise/fall time part number code = G)

Jitter Reduction with Faster Rise/Fall Time                                     Part number for the above example:
Power supply noise can be a source of jitter for the                            SiT8208AIGG2-18E-55.500000
downstream chipset. One way to reduce this jitter is to
increase rise/fall time (edge rate) of the input clock. Some                    Drive strength code is inserted here. Default setting is "-"
chipsets would require faster rise/fall time in order to reduce
their sensitivity to this type of jitter. The SiT8208SiT8208
provides up to 3 additional high drive strength settings for very
fast rise/fall time. Refer to the Rise/Fall Time Tables to
determine the proper drive strength.

High Output Load Capability
The rise/fall time of the input clock varies as a function of the
actual capacitive load the clock drives. At any given drive
strength, the rise/fall time becomes slower as the output load
increases. As an example, for a 3.3V SiT8208 device with
default drive strength setting, the typical rise/fall time is 1.15ns
for 15 pF output load. The typical rise/fall time slows down to
2.72ns when the output load increases to 45 pF. One can

Rev. 1.02                                                Page 6 of 10           www.sitime.com
SiT8208                                                                                        TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Ultra Performance Oscillator

Rise/Fall Time (10% to 90%) vs CLOAD Tables

                              Rise/Fall Time Typ (ns)                                          Rise/Fall Time Typ (ns)

Drive Strength \ CLOAD 5 pF 15 pF 30 pF                45 pF  60 pF         Drive Strength \ CLOAD 5 pF 15 pF 30 pF     45 pF  60 pF
                                                       46.21  57.82                                                     32.70  42.06
           L                  12.45 17.68 19.48        23.92  30.73         L                  8.68 13.59 18.36         16.60  21.38
                                                       16.17  20.83                                                     11.19  14.59
           A                  6.50 10.27 16.21         12.18  15.75         A                  4.42 7.18 11.93           8.55  11.04
                                                        9.81  12.65                                                      6.85  8.80
           R                  4.38 7.05 11.61           8.31  10.59         R                  2.93 4.78 8.15            5.68  7.33
                                                        7.10  9.15                                                       4.84  6.26
           B                  3.27 5.30 8.89            6.25  7.98          B                  2.21 3.57 6.19            4.20  5.51
                                                        5.55  7.15                                                       3.73  4.92
           S                  2.62 4.25 7.20            5.00  6.46          S                  1.67 2.87 4.94            3.34  4.42
                                                        4.50  5.87                                                       3.04  4.02
           D                  2.19 3.52 6.00            4.12  5.40          D                  1.50 2.33 4.11            2.79  3.69
                                                        3.80  4.98                                                       2.56  3.43
           T                  1.76 3.01 5.14            3.52  4.64          T                  1.06 2.04 3.50            2.37  3.18
                                                        3.25  4.32                                                       2.20  2.98
           E                  1.59 2.59 4.49            3.04  4.06          E                  0.98 1.69 3.03            2.07  2.80
                                                        2.89  3.82                                                       1.95  2.65
           U                  1.49 2.28 3.96            2.72  3.61          U                  0.93 1.48 2.69            1.85  2.50
                                                        2.58  3.41                                                       1.77  2.39
           F                  1.22 2.10 3.57            2.45  3.24          F                  0.90 1.37 2.44            1.70  2.28

           W                  1.07 1.88 3.23                                W                  0.87 1.29 2.21

           G                  1.01 1.64 2.95                                G or "-": Default  0.67 1.20 2.00

           X                  0.96 1.50 2.74                                X                  0.44 1.10 1.86

           K                  0.92 1.41 2.56                                K                  0.38 0.99 1.76

           Y                  0.88 1.34 2.39                                Y                  0.36 0.83 1.66

           Q                  0.86 1.29 2.24                                Q                  0.34 0.71 1.58

           Z or "-": Default  0.82 1.24 2.07                                Z                  0.33 0.65 1.51

           M                  0.77 1.20 1.94                                M                  0.32 0.62 1.44

           N                  0.66 1.15 1.84                                N                  0.31 0.59 1.37

           P                  0.51 1.09 1.76                                P                  0.30 0.57 1.29

Table 1. Vdd = 1.8V Rise/Fall Times for Specific CLOAD               Table 2. Vdd = 2.5V Rise/Fall Times for Specific CLOAD

                              Rise/Fall Time Typ (ns)                                          Rise/Fall Time Typ (ns)

Drive Strength \ CLOAD 5 pF 15 pF 30 pF                45 pF  60 pF         Drive Strength \ CLOAD 5 pF 15 pF 30 pF     45 pF  60 pF
                                                       30.10  38.89                                                     27.57  35.57
           L                  7.93 12.69 17.94         15.31  19.80         L                  7.18 11.59 17.24         13.98  18.10
                                                       10.29  13.37                                                      9.42  12.24
           A                  4.06 6.66 11.04           7.84  10.11         A                  3.61 6.02 10.19           7.10   9.17
                                                        6.27   8.07                                                      5.66   7.34
           R                  2.68 4.40 7.53            5.21   6.72         R                  2.31 3.95 6.88            4.69   6.14
                                                        4.43   5.77                                                      3.97   5.25
           B                  2.00 3.25 5.66            3.84   5.06         B                  1.65 2.92 5.12            3.46   4.58
                                                        3.40   4.50                                                      3.03   4.07
           S                  1.59 2.57 4.54            3.03   4.05         S                  1.43 2.26 4.09            2.72   3.65
                                                        2.76   3.68                                                      2.47   3.31
           D                  1.19 2.14 3.76            2.52   3.36         D                  1.01 1.91 3.38            2.23   3.03
                                                        2.33   3.15                                                      2.04   2.80
           T                  1.00 1.79 3.20            2.15   2.92         T                  0.94 1.51 2.86            1.89   2.61
                                                        2.00   2.75                                                      1.79   2.43
           E                  0.94 1.51 2.78            1.89   2.57         E                  0.90 1.36 2.50            1.69   2.28
                                                        1.80   2.43                                                      1.62   2.17
           U                  0.90 1.38 2.48            1.72   2.30         U                  0.86 1.25 2.21            1.54   2.07
                                                        1.63   2.22                                                      1.47   1.97
           F                  0.87 1.29 2.21            1.55   2.13         F or "-": Default  0.48 1.15 1.95            1.41   1.90

           W                  0.62 1.19 1.99                                W                  0.38 1.04 1.77

           G or "-": Default  0.41 1.08 1.84                                G                  0.36 0.87 1.66

           X                  0.37 0.96 1.72                                X                  0.34 0.70 1.56

           K                  0.35 0.78 1.63                                K                  0.33 0.63 1.48

           Y                  0.33 0.67 1.54                                Y                  0.32 0.60 1.40

           Q                  0.32 0.63 1.46                                Q                  0.32 0.58 1.31

           Z                  0.31 0.60 1.39                                Z                  0.30 0.56 1.22

           M                  0.30 0.57 1.31                                M                  0.30 0.55 1.12

           N                  0.30 0.56 1.22                                N                  0.30 0.54 1.02

           P                  0.29 0.54 1.13                                P                  0.29 0.52 0.95

Table 3. Vdd = 2.8V Rise/Fall Times for Specific CLOAD               Table 4. Vdd = 3.3V Rise/Fall Times for Specific CLOAD

Rev. 1.02                                                     Page 7 of 10                                              www.sitime.com
SiT8208                                                                                                         TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Ultra Performance Oscillator                                     For more information regarding SiTime's field programmable
                                                                 solutions, visit http://www.sitime.com/time-machine and
Instant Samples with Time Machine and                            http://www.sitime.com/fp-devices.
Field Programmable Oscillators
                                                                 SiT8208 is typically factory-programmed per customer
SiTime supports a field programmable version of the SiT8208      ordering codes for volume delivery.
low power oscillator for fast prototyping and real time custom-
ization of features. The field programmable devices (FP
devices) are available for all five standard SiT8208 package
sizes and can be configured to one's exact specification using
the Time Machine II, an USB powered MEMS oscillator
programmer.

Customizable Features of the SiT8208 FP Devices Include
Any frequency between 1 110 MHz
Three frequency stability options, 20 PPM, 25 PPM, 50

    PPM
Two operating temperatures, -20 to 70C or -40 to 85C
Five supply voltage options, 1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.0V, and

    3.3V
Output drive strength

Rev. 1.02  Page 8 of 10                                          www.sitime.com
SiT8208

Ultra Performance Oscillator

Dimensions and Patterns                                                                                                                                 TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee
                                                                                                                           Recommended Land Pattern (Unit: mm) [10]
                         Package Size Dimensions (Unit: mm) [9]
   2.7 x 2.4 x 0.75 mm (100% compatible with 2.5 x 2. 0 mm footprint)                                                                                         1.9

                   2.7 0.05                                                      1.00

                   YXXXX                    2.4 0.05                                                                     1.5
                                                 1.25                                                                                                                 1.0
                                                                                     0.50

                                                                            0.85
                                                        0.75 0.05

3.2 x 2.5 x 0.75 mm                                                                                                                   1.1
                                                                                                                           2.2
                   3.2 0.05                                                          2.1
                                                                                                                                      1.4
           #4                           #3                            #3                     #4

           YXXXX                            2.5 0.05                                             0.7                     1.9
                                                   0.9                                                                                                                1.2

           #1                           #2                            #2                     #1

                                                                      0.75 0.05            0.9

5.0 x 3.2 x 0.75 mm

               5.0 0.05                                                              2.39                                2.54
                                                                                                                                        1.5
               #4                   #3                                             #3        #4
                                                                                                                              5.08
                                            3.2 0.05    0.8

           YXXXX                                                                                        1.1                2.2
                                                                                                                                                                        1.6
               #1                   #2                   0.75 0.05               #2        #1

                                                                                             1.15

7.0 x 5.0 x 0.90 mm                                                                    5.08

                        7.0 0.05

                                            5.0 0.05                                                                     3.81
                                                     2.6                                                                                                                      2.0
                YXXXX
                                                                                                        1.1
                                                                                                          1.4
                                                                                                                                                                                                                2.20.90 0.10

Notes:
9. Top marking: Y denotes manufacturing origin and XXXX denotes manufacturing lot number. The value of "Y" will depend on the assembly location of the device.
10. A capacitor of value 0.1 F between Vdd and GND is recommended.

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SiT8208

Ultra Performance Oscillator

                                                                                       TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Ordering Information

The Part No. Guide is for reference only. To customize and build an exact part number, use the SiTime Part Number
Generator.

                        SiT8208AC-23-25E - 7 5 . 1 2 3 4 5 6 T

                        Part Family                                                    Packaging
                        "SiT8208"                                                      "T": Tape & Reel, 3K reel
                                                                                       "Y": Tape & Reel, 1K reel
                        Revision Letter                                                Blank for Bulk
                        "A" is the silicon revision
                                                                                       Frequency
                        Temperature Range                                              1.000000 to 80.000000 MHz
                        "C" Ext. Commercial, -20 to 70C
                        "I" Industrial, -40 to 85C                                    Feature Pin
                                                                                       "E" for Output Enable
                        Output Drive Strength                                          "S" for Standby
                         "" Default (datasheet limits)
                         See Tables 1 to 5 for rise/fall                               Voltage Supply
                         times                                                         "18" for 1.8V 5%
                          "L" "S" "U" "X" "Z"                                          "25" for 2.5V 10%
                          "A" "D" "F" "K" "M"                                          "28" for 2.8V 10%
                          "R" "T" "W" "Y" "N"                                          "33" for 3.3V 10%
                          "B" "E" "G" "Q" "P"
                                                                                       Frequency Tolerance
                        Package                                                        "F" for 10 PPM
                        "G" 2.5 x 2.0                                                  "1" for 20 PPM
                        "2" 3.2 x 2.5                                                  "2" for 25 PPM
                        "3" 5.0 x 3.2                                                  "3" for 50 PPM
                        "8" 7.0 x 5.0

Additional Information

         Document                                       Description                                                     Download Link
Time Machine II                                                                        http://www.sitime.com/support/time-machine-oscillator-programmer
Field Programmable      MEMS oscillator programmer                                     http://www.sitime.com/products/field-programmable-oscillators
Oscillators
Manufacturing Notes     Devices that can be programmable in the field by               http://www.sitime.com/component/docman/doc_download/85-manu
Qualification Reports   Time Machine II                                                facturing-notes-for-sitime-oscillators
Performance Reports                                                                    http://www.sitime.com/support/quality-and-reliability
Termination Techniques  Tape & Reel dimension, reflow profile and other manufacturing  http://www.sitime.com/support/performance-measurement-report
Layout Techniques       related info
                                                                                       http://www.sitime.com/support/application-notes
                        RoHS report, reliability reports, composition reports          http://www.sitime.com/support/application-notes

                        Additional performance data such as phase noise, current
                        consumption and jitter for selected frequencies

                        Termination design recommendations

                        Layout recommendations

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                    Supplemental Information

The Supplemental Information section is not part of the datasheet and is for informational purposes only.

SiTime Corporation  990 Almanor Avenue  Sunnyvale, CA 94085                                                (408) 328-4400  www.sitime.com
                                                                                                                                  TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Silicon MEMS Outperforms Quartz

SiTime Corporation  990 Almanor Avenue    Sunnyvale, CA 94085  (408) 328-4400               www.sitime.com
                                                                               Revised January 16, 2013
Silicon MEMS Outperforms Quartz Rev. 1.0
Silicon MEMS Outperforms Quartz

                                                                                                                                                      TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Best Reliability                                                                       Best Electro Magnetic Susceptibility (EMS)
                                                                                       SiTime's oscillators in plastic packages are up to 54 times
Silicon is inherently more reliable than quartz. Unlike quartz                         more immune to external electromagnetic fields than quartz
suppliers, SiTime has in-house MEMS and analog CMOS                                    oscillators as shown in Figure 3.
expertise, which allows SiTime to develop the most reliable
products. Figure 1 shows a comparison with quartz                                      Why is SiTime Best in Class:
technology.
                                                                                        Internal differential architecture for best common mode
Why is SiTime Best in Class:                                                               noise rejection

SiTime's MEMS resonators are vacuum sealed using an                                  Electrostatically driven MEMS resonator is more immune
    advanced Epi-SealTM process, which eliminates foreign                                  to EMS
    particles and improves long term aging and reliability

World-class MEMS and CMOS design expertise

                    Mean Time Between Failure (Million Hours)                                                                                    SiTime vs Quartz

                                                                                                                     Electro Magnetic Susceptibility (EMS)

                                                                                                           - 30

SiTime                                                                       500                                   - 39                    - 40       - 42  - 43
                                                                                                           - 40
                                                                                       Average Spurs (dB)                                                          - 45

IDT (Fox)           38                                SiTime                                               - 50
                                                    20X Better
              Epson 28                                                                                     - 60                                                                    SiTime
                                                                                                                                                                                 54X Better

                 TXC 16                                                                                    - 70                                                                  - 73

Pericom 14                                                                                                 - 80

                 0                     200          400                           600                      - 90                                             CW SiLabs SiTime
                                                                                                                  Kyocera Epson TXC

                 Figure 1. Reliability Comparison[1]                                   Figure 3. Electro Magnetic Susceptibility (EMS)[3]

Best Aging                                                                             Best Power Supply Noise Rejection
Unlike quartz, MEMS oscillators have excellent long term                               SiTime's MEMS oscillators are more resilient against noise on
aging performance which is why every new SiTime product                                the power supply. A comparison is shown in Figure 4.
specifies 10-year aging. A comparison is shown in Figure 2.
                                                                                       Why is SiTime Best in Class:
Why is SiTime Best in Class:                                                             On-chip regulators and internal differential architecture for

SiTime's MEMS resonators are vacuum sealed using an                                     common mode noise rejection
    advanced Epi-SealTM process, which eliminates foreign                               Best analog CMOS design expertise
    particles and improves long term aging and reliability

Inherently better immunity of electrostatically driven
    MEMS resonator

                          SiTime MEMS vs. Quartz Aging                                 Additive Integrated Phase Jitter per mVp-p          Power Supply Noise Rejection
                                                                                          Injected Noise (ps/mv)
                              SiTime MEMS Oscillator Quartz Oscillator                                                             5.0     SiTIme     NDK   Epson  Kyocera
              10

              8                                                         8.0                                                        4.0

Aging (PPM)                                SiTime                                                                                 3.0

              6                        2X Better

                                                                                                                                   2.0

              4          3.0                        3.5

                                                                                                                                   1.0                             SiTSimiTeime

                                                                                                                                                                   3X Better

              2     1.5

              0                                     10-Year                                                                        0.0           100        1,000                10,000
                               1-Year                                                                                                  10

                                                                                                                                           Power Supply Noise Frequency (kHz)

                    Figure 2. Aging Comparison[2]                                                                                  Figure 4. Power Supply Noise Rejection[4]

Silicon MEMS Outperforms Quartz Rev. 1.0                                                                                                                                         www.sitime.com
Silicon MEMS Outperforms Quartz

                                                                                                                                                                TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Best Vibration Robustness                                        Best Shock Robustness

High-vibration environments are all around us. All electronics,  SiTime's oscillators can withstand at least 50,000 g shock.
from handheld devices to enterprise servers and storage          They all maintain their electrical performance in operation
systems are subject to vibration. Figure 5 shows a comparison    during shock events. A comparison with quartz devices is
of vibration robustness.                                         shown in Figure 6.

Why is SiTime Best in Class:                                     Why is SiTime Best in Class:

The moving mass of SiTime's MEMS resonators is up to            The moving mass of SiTime's MEMS resonators is up to
    3000 times smaller than quartz                                   3000 times smaller than quartz

Center-anchored MEMS resonator is the most robust               Center-anchored MEMS resonator is the most robust
    design                                                           design

                 Vibration Sensitivity vs. Frequency                                                                                16  Differential XO Shock Robustness - 500 g
        SiTime TXC Epson Connor Winfield Kyocera
                                                      SiLabs
Vibration Sensitivity (ppb/g)                                                                                                           14.3
                                                                                                    Peak Frequency Deviation (PPM)100.0014
                                                                                                                                                          12.6

                                                                                                                                    12

10.00                                                                                                                               10

                                                                                                                                    8

                                                                                                                                    6                                          SiTime

1.00                                       SiTime                                                                                                                              Up to 25x
                                          Up to 30x
                                                                                                                                    4                           3.9            Better
                                            Better
                                                                                                                                                                     2.9  2.5

                                                                                                                                    2                                          0.6

0.10                  100                             1000                                                                          0                                CW SiLabs SiTime
      10  Vibration Frequency (Hz)                                                                                                       Kyocera Epson TXC

        Figure 5. Vibration Robustness[5]                                                                                               Figure 6. Shock Robustness[6]

Notes:
1. Data Source: Reliability documents of named companies.
2. Data source: SiTime and quartz oscillator devices datasheets.
3. Test conditions for Electro Magnetic Susceptibility (EMS):

      According to IEC EN61000-4.3 (Electromagnetic compatibility standard)
      Field strength: 3V/m
      Radiated signal modulation: AM 1 kHz at 80% depth
      Carrier frequency scan: 80 MHz 1 GHz in 1% steps
      Antenna polarization: Vertical
      DUT position: Center aligned to antenna
     Devices used in this test:
     SiTime, SiT9120AC-1D2-33E156.250000 - MEMS based - 156.25 MHz
     Epson, EG-2102CA 156.2500M-PHPAL3 - SAW based - 156.25 MHz
     TXC, BB-156.250MBE-T - 3rd Overtone quartz based - 156.25 MHz
     Kyocera, KC7050T156.250P30E00 - SAW based - 156.25 MHz
     Connor Winfield (CW), P123-156.25M - 3rd overtone quartz based - 156.25 MHz
     SiLabs, Si590AB-BDG - 3rd overtone quartz based - 156.25 MHz
4. 50 mV pk-pk Sinusoidal voltage.
     Devices used in this test:
     SiTime, SiT8208AI-33-33E-25.000000, MEMS based - 25 MHz
     NDK, NZ2523SB-25.6M - quartz based - 25.6 MHz
     Kyocera, KC2016B25M0C1GE00 - quartz based - 25 MHz
     Epson, SG-310SCF-25M0-MB3 - quartz based - 25 MHz
5. Devices used in this test: same as EMS test stated in Note 3.
6. Test conditions for shock test:
      MIL-STD-883F Method 2002
      Condition A: half sine wave shock pulse, 500-g, 1ms
      Continuous frequency measurement in 100 s gate time for 10 seconds
     Devices used in this test: same as EMS test stated in Note 3
7. Additional data, including setup and detailed results, is available upon request to qualified customers. Please contact productsupport@sitime.com.

Silicon MEMS Outperforms Quartz Rev. 1.0                                                                                                                                       www.sitime.com
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EMI                          Termination recommendations      Shock and vibration performance                         Other

If "Other," please specify:

_________________________________________________________________________________________________

4. Are there any errors in this document?                     Yes           No
If "Yes", please specify (what and where):

_________________________________________________________________________________________________

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