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SIT8102AI-13-33E-66.00000T

器件型号:SIT8102AI-13-33E-66.00000T
器件类别:无源元件   
文件大小:534.6KB,共5页
厂商名称:SiTime
标准:
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器件描述

programmable oscillators 66mhz +/-50ppm 3.3V +/-10%

参数

Manufacturer: SiTime
Product Category: Programmable Oscillators
RoHS: Yes
Package / Case: 2.5 mm x 2 mm
Frequency: 66 MHz
Frequency Stability: 50 PPM
Supply Voltage: 3.3 V
Load Capacitance: 15 pF
Termination Style: SMD/SMT
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Dimensions: 2 mm W x 2.5 mm L x 0.85 mm H
Packaging: Reel
Brand: SiTime
Duty Cycle - Max: 55 %
Mounting Style: SMD/SMT
Product: Programmable
Series: SiT8102
Factory Pack Quantity: 3000
Supply Voltage - Max: 3.63 V
Supply Voltage - Min: 2.97 V

SIT8102AI-13-33E-66.00000T器件文档内容

                                                                                                                                    MJD117

                                                      MJD117

D-PAK for Surface Mount Applications                              1         D-PAK 1                            I-PAK

High DC Current Gain
Built-in a Damper Diode at E-C
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, " - I " Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP117

                                                                            1.Base 2.Collector 3.Emitter

PNP Silicon Darlington Transistor

Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted                                    Equivalent Circuit
                                                                                                                          C
Symbol                                     Parameter  Value          Units
                                                                                  B
VCBO        Collector-Base Voltage                    - 100          V
VCEO        Collector-Emitter Voltage
VEBO        Emitter-Base Voltage                      - 100          V
IC          Collector Current (DC)
ICP         Collector Current (Pulse)                     -5         V
IB          Base Current
PC          Collector Dissipation (TC=25C)               -2         A
            Collector Dissipation (Ta=25C)
TJ          Junction Temperature                          -4         A
TSTG        Storage Temperature
                                                          - 50       mA                             R1
                                                                                          R1  10k
                                                          20         W                    R2  0.6k      R2
                                                                                                                 E
                                                          1.75       W

                                                          150        C

                                                      - 65 ~ 150     C

Electrical Characteristics TC=25C unless otherwise noted

Symbol                                     Parameter              Test Condition          Min.          Max.                 Units
                                                                                          - 100                                V
VCEO (sus)  *Collector-Emitter Sustaining Voltage               IC = - 30mA, IB = 0                      - 20                 A
ICEO        Collector Cut-off Current                                                      500           - 20                 A
ICBO        Collector Cut-off Current                           VCE = - 50V, IB = 0       1000            -2                  mA
IEBO        Emitter Cut-off Current                                                        200
hFE         *DC Current Gain                                    VCB = - 100V, IE = 0                    12K                    V
                                                                                            25                                 V
VCE(sat)    *Collector-Emitter Saturation Voltage               VEB = - 5V, IC = 0                        -2                   V
                                                                                                          -3                   V
VBE(sat)    *Base-Emitter Saturation Voltage                    VCE = - 3V, VEB = - 0.5A                  -4                 MHz
VBE(on)     *Base-Emitter ON Voltage                            VCE = - 3V, VEB = - 2A                  - 2.8                 pF
fT          Current Gain Bandwidth Product                      VCE = - 3V, IC = - 4A
Cob         Output Capacitance                                                                           200
                                                                IC = -2A, IB = - 8mA
                                                                IC = - 4A, IB = - 40mA

                                                                IC = - 4A, IB = - 40mA

                                                                VCE = - 3A, IC = - 2A

                                                                VCE = -10V, IC = - 0.75A

                                                                VCB = - 10V, IE = 0
                                                                f= 0.1MHz

* Pulse Test: PW300s, Duty Cycle2%

2001 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                      Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics                                                                                                                                                                                                                                      MJD117

hFE, DC CURRENT GAIN      10000                                                                                         VBE(sat), VCE(sat)[V], SATURATION VOLTAGE  -10

                                    VCE = - 3V                                                                                                                                                                                           IC = 250 IB

                           1000                                                                                                                                                                            VBE(sat)
                                                                                                                                                                     -1
                          100
                                                                                                                                                                                                             VCE(sat)

                                                                                                                                                                   -0.1

                          10                                                                                                                                       -0.01

                          -0.01                       -0.1      -1                                                -10                                              -0.01      -0.1              -1                                                      -10

                                                IC[A], COLLECTOR CURRENT                                                                                                      IC[A], COLLECTOR CURRENT

                                   Figure 1. DC current Gain                                                                                                       Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
                                                                                                                                                                      Collector-Emitter Saturation Voltage

                          10                                                                                                                                       10

                                                                                             VCC= - 30V                                                                                                                                   VCC=30V
                                                                                             IC=250IB                                                                                                                                     IC=250IB

tR, tD(s), TURN ON TIME  1                                                                                             tSTG,tF[s], TURN OFF TIME                                                                tSTG
                                                                                                              tR
                                                                                                                                                                    1
                                                                                                                                                                                                                                                    tF

                          0.1                                             tD                                                                                       0.1
                            -0.01                                                   -10
                                                      -0.1      -1                                                                                                 -0.01      -0.1              -1                                                      -10

                                                IC[A], COLLECTOR CURRENT                                                                                                      IC[A], COLLECTOR CURRENT

                          Figure 3. Collector Output Capacitance                                                                                                              Figure 4. Turn On Time

                          1000                                                                                                                                     -10

                                                                                                                        IC[A], COLLECTOR CURRENT                                                100s

Cob[pF], CAPACITANCE      100                                                                                                                                      -1               DC  5ms1ms

                          10                                                                                                                                       -0.1

                          1                                                                                                                                        -0.01      -10               -100             -1000
                                                                                                                                                                          -1
                          -0.01                 -0.1        -1      -10                                           -100

                                   VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE                                                                                                             VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

                                   Figure 5. Turn Off Time                                                                                                                    Figure 6. Safe Operating Area

2001 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                                                                                                                        Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)                                                          MJD117

                          25

PC[W], POWER DISSIPATION  20

                          15

                          10

                          5

                          0

                              0  25  50    75  100  125        150  175

                                     TC[oC], CASE TEMPERATURE

                                 Figure 7. Power Derating

2001 Fairchild Semiconductor Corporation                                Rev. A2, June 2001
Package Demensions                                                                                                                                                 MJD117

                                                       D-PAK

(0.50)                                     6.60 0.20  (0.50)  0.70 0.20                     2.30 0.10
                                           5.34 0.30                                         0.50 0.10

                                             (4.34)

0.80 0.20 0.60 0.20                                  2.70 0.20                 0.91 0.10  MIN0.55
                                                                6.10 0.20

                                                                      9.50 0.30

MAX0.96                                                  0.76 0.10               0.89 0.10  0.50 0.10
                                                                                              1.02 0.20
2.30TYP                                                2.30TYP                               2.30 0.20
[2.300.20]                                            [2.300.20]

                                                                                  6.60 0.20  (0.70)
                                                                                    (5.34)         (0.90)
                                                                                    (5.04)               (1.00)
                                                                                    (1.50)

                                                       9.50 0.30                 (2XR0.25)   (0.10) (3.05)
                                                             6.10 0.20

                                                                   2.70 0.20

                                                                                              0.76 0.10

2001 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                    Dimensions in Millimeters

                                                                                                                                               Rev. A2, June 2001
TRADEMARKS

The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not

intended to be an exhaustive list of all such trademarks.

ACExTM                                     FAST                 OPTOPLANARTM          STAR*POWERTM

BottomlessTM                               FASTrTM               PACMANTM              StealthTM

CoolFETTM                                  FRFETTM               POPTM                 SuperSOTTM-3

CROSSVOLTTM                                GlobalOptoisolatorTM  Power247TM            SuperSOTTM-6
DenseTrenchTM                              GTOTM                 PowerTrench          SuperSOTTM-8

DOMETM                                     HiSeCTM               QFETTM                SyncFETTM

EcoSPARKTM                                 ISOPLANARTM           QSTM                  TruTranslationTM
E2CMOSTM                                   LittleFETTM           QT OptoelectronicsTM  TinyLogicTM

EnSignaTM                                  MicroFETTM            Quiet SeriesTM        UHCTM
FACTTM                                     MICROWIRETM           SLIENT SWITCHER      UltraFET
FACT Quiet SeriesTM                        OPTOLOGICTM
                                                                 SMART STARTTM         VCXTM

STAR*POWER is used under license

DISCLAIMER

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY
LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;
NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.

LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILD'S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
CORPORATION.
As used herein:

1. Life support devices or systems are devices or systems 2. A critical component is any component of a life support
which, (a) are intended for surgical implant into the body, device or system whose failure to perform can be
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform reasonably expected to cause the failure of the life support
when properly used in accordance with instructions for use device or system, or to affect its safety or effectiveness.
provided in the labeling, can be reasonably expected to
result in significant injury to the user.

PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms

     Datasheet Identification               Product Status                                      Definition
Advance Information                        Formative or In
Preliminary                                Design                This datasheet contains the design specifications for
                                           First Production      product development. Specifications may change in
No Identification Needed                                         any manner without notice.
                                           Full Production
                                                                 This datasheet contains preliminary data, and
                                                                 supplementary data will be published at a later date.
                                                                 Fairchild Semiconductor reserves the right to make
                                                                 changes at any time without notice in order to improve
                                                                 design.

                                                                 This datasheet contains final specifications. Fairchild
                                                                 Semiconductor reserves the right to make changes at
                                                                 any time without notice in order to improve design.

Obsolete                                   Not In Production     This datasheet contains specifications on a product
                                                                 that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
                                                                 The datasheet is printed for reference information only.

2001 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                                  Rev. H3
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