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SIT-9120AI-2B2-25E200.000000

器件型号:SIT-9120AI-2B2-25E200.000000
器件类别:无源元件   
厂商名称:SiTime
标准:
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器件描述

Standard Clock Oscillators 200 MHz 25ppm -40 to +85C

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
SiTime
产品种类:
Product Category:
Standard Clock Oscillators
RoHS:YES
产品类型:
Product Type:
MEMS Clock Oscillators
频率:
Frequency:
200 MHz
频率稳定性:
Frequency Stability:
25 PPM
工作电源电压:
Operating Supply Voltage:
2.5 V
电源电压-最小:
Supply Voltage - Min:
2.25 V
电源电压-最大:
Supply Voltage - Max:
2.75 V
Output Format:LVDS
端接类型:
Termination Style:
SMD/SMT
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 40 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 85 C
长度:
Length:
5 mm
宽度:
Width:
3.2 mm
高度:
Height:
0.75 mm
封装:
Packaging:
Bulk
电流额定值:
Current Rating:
61 mA
类型:
Type:
Standard Frequency Differential Oscillator
商标:
Brand:
SiTime
占空比 - 最大:
Duty Cycle - Max:
55 %
子类别:
Subcategory:
Oscillators

SIT-9120AI-2B2-25E200.000000器件文档内容

SiT9120

Standard Frequency Differential Oscillator

                                                                                                               TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Features                                                                    Applications

  31 standard frequencies from 25 MHz to 212.5 MHz                           10GB Ethernet, SONET, SATA, SAS, Fibre Channel,

  LVPECL and LVDS output signaling types                                      PCI-Express

  0.6 ps RMS phase jitter (random) over 12 kHz to 20 MHz bandwidth           Telecom, networking, instrumentation, storage, servers

  Frequency stability as low as ±10 ppm

  Industrial and extended commercial temperature ranges

  Industry-standard packages: 3.2x2.5, 5.0x3.2 and 7.0x5.0 mmxmm

  For any other frequencies between 1 to 625 MHz, refer to SiT9121

   and SiT9122 datasheet

Electrical Characteristics

   Parameter and Conditions        Symbol     Min.        Typ.       Max.      Unit                            Condition

                                              LVPECL and LVDS, Common Electrical Characteristics

Supply Voltage                     Vdd        2.97        3.3        3.63      V

                                              2.25        2.5        2.75      V

                                              2.25        –          3.63      V       Termination schemes in Figures 1 and 2 - XX ordering code

Output Frequency Range             f          25          –          212.5     MHz     See last page for list of standard frequencies

Frequency Stability                F_stab     -10         –          +10       ppm

                                              -20         –          +20       ppm     Inclusive of initial tolerance, operating temperature, rated power

                                              -25         –          +25       ppm     supply voltage, and load variations

                                              -50         –          +50       ppm

First Year Aging                   F_aging1   -2          –          +2        ppm     25°C

10-year Aging                      F_aging10  -5          –          +5        ppm     25°C

Operating Temperature Range        T_use      -40         –          +85       °C      Industrial

                                              -20         –          +70       °C      Extended Commercial

Input Voltage High                 VIH        70%         –          –         Vdd     Pin 1, OE or ST

Input Voltage Low                  VIL        –           –          30%       Vdd     Pin 1, OE or ST

Input Pull-up Impedance            Z_in       –           100        250       kΩ      Pin 1, OE logic high or logic low, or ST logic high

                                              2           –          –         MΩ      Pin 1, ST logic low

Start-up Time                      T_start    –           6          10        ms      Measured from the time Vdd reaches its rated minimum value.

Resume Time                        T_resume   –           6          10        ms      In Standby mode, measured from the time ST pin crosses

                                                                                       50% threshold.

Duty Cycle                         DC         45          –          55        %       Contact SiTime for tighter duty cycle

                                                       LVPECL, DC and AC Characteristics

Current Consumption                Idd        –           61         69        mA      Excluding Load Termination Current, Vdd = 3.3V or 2.5V

OE Disable Supply Current          I_OE       –           –          35        mA      OE = Low

Output Disable Leakage Current     I_leak     –           –          1         A      OE = Low

Standby Current                    I_std      –           –          100       A      ST = Low, for all Vdds

Maximum Output Current             I_driver   –           –          30        mA      Maximum average current drawn from OUT+ or OUT-

Output High Voltage                VOH        Vdd-1.1     –        Vdd-0.7     V       See Figure 1(a)

Output Low Voltage                 VOL        Vdd-1.9     –        Vdd-1.5     V       See Figure 1(a)

Output Differential Voltage Swing  V_Swing    1.2         1.6        2.0       V       See Figure 1(b)

Rise/Fall Time                     Tr, Tf     –           300        500       ps      20% to 80%, see Figure 1(a)

OE Enable/Disable Time             T_oe       –           –          115       ns      f = 212.5 MHz - For other frequencies, T_oe = 100ns + 3 period

RMS Period Jitter                  T_jitt     –           1.2        1.7       ps      f = 100 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V

                                              –           1.2        1.7       ps      f = 156.25 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V

                                              –           1.2        1.7       ps      f = 212.5 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V

RMS Phase Jitter (random)          T_phj      –           0.6        0.85      ps      f = 156.25 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz to 20 MHz, all

                                                                                       Vdds

                                                       LVDS, DC and AC Characteristics

Current Consumption                Idd        –           47         55        mA      Excluding Load Termination Current, Vdd = 3.3V or 2.5V

OE Disable Supply Current          I_OE       –           –          35        mA      OE = Low

Differential Output Voltage        VOD        250         350        450       mV      See Figure 2

SiTime Corporation                            990 Almanor Avenue, Sunnyvale, CA 94085              (408) 328-4400                      www.sitime.com

Rev. 1.06                                                                                                                     Revised October 3, 2014
SiT9120

Standard Frequency Differential                                       Oscillator

                                                                                                                            TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Electrical Characteristics (continued)

Parameter and Conditions        Symbol             Min.        Typ.           Max.        Unit                                 Condition

                                                   LVDS,   DC  and    AC  Characteristics       (continued)

Output Disable Leakage Current  I_leak             –           –              1           A        OE = Low

Standby Current                 I_std              –           –              100         A        ST = Low, for all Vdds

VOD Magnitude Change            VOD               –           –              50          mV        See Figure 2

Offset Voltage                  VOS        1.125               1.2            1.375       V         See Figure 2

VOS Magnitude Change            VOS               –           –              50          mV        See Figure 2

Rise/Fall Time                  Tr, Tf             –           495            600         ps        20% to 80%, see Figure 2

OE Enable/Disable Time          T_oe               –           –              115         ns        f = 212.5 MHz - For other frequencies, T_oe = 100ns + 3 period

RMS Period Jitter               T_jitt             –           1.2            1.7         ps        f = 100 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V

                                                   –           1.2            1.7         ps        f = 156.25 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V

                                                   –           1.2            1.7         ps        f = 212.5 MHz, VDD = 3.3V or 2.5V

RMS Phase Jitter (random)       T_phj              –           0.6            0.85        ps        f = 156.25 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz to 20 MHz, all

                                                                                                    Vdds

Pin Description

Pin                 Map                                        Functionality

                    OE          Input              H or Open: specified frequency output                                             Top View

                                                   L: output is high impedance

1                                                  H or Open: specified frequency output

                    ST          Input              L: Device goes to sleep mode. Supply current reduces to        OE/ST           1            6  VDD

                                                   I_std.

2                   NC          NA                 No Connect; Leave it floating or connect to GND for better               NC    2            5  OUT-

                                                   heat dissipation

3                   GND         Power              VDD Power Supply Ground                                                  GND   3            4  OUT+

4                   OUT+        Output             Oscillator output

5                   OUT-        Output             Complementary oscillator output

6                   VDD         Power              Power supply voltage

Absolute Maximum

Attempted operation outside the absolute maximum ratings of the part may cause permanent damage to the part. Actual perfor-

mance of the IC is only guaranteed within the operational specifications, not at absolute maximum ratings.

                                Parameter                                                        Min.                       Max.                  Unit

Storage Temperature                                                                              -65                        150                   °C

VDD                                                                                              -0.5                          4                  V

Electrostatic Discharge (HBM)                                                                    –                          2000                  V

Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines)                             –                          260                   °C

Thermal Consideration

           Package             JA, 4 Layer Board              JC, Bottom
                                (°C/W)                                (°C/W)

     7050, 6-pin                142                                   27

     5032, 6-pin                97                                    20

     3225, 6-pin                109                                   20

Environmental Compliance

                                Parameter                                                                      Condition/Test  Method

Mechanical Shock                                                                   MIL-STD-883F, Method   2002

Mechanical Vibration                                                               MIL-STD-883F, Method   2007

Temperature Cycle                                                                  JESD22, Method A104

Solderability                                                                      MIL-STD-883F, Method   2003

Moisture Sensitivity Level                                                         MSL1 @ 260°C

Rev. 1.06                                                             Page 2      of 8                                                            www.sitime.com
SiT9120

Standard Frequency Differential Oscillator

                                                                                                 TThhee SSmmaarrtt  TTiimmiinngg  CChhooiiccee

Waveform Diagrams

           OUT-

                                80%                                80%

                           20%                                          20%                      VOH

           OUT+

                                     Tr                                      VOL

                                                               Tf

           GND

           Figure  1(a). LVPECL          Voltage  Levels  per Differential               Pin  (OUT+/OUT-)

                                                                             V_  Sw ing

                                0V

                                                                                         t

                   Figure 1(b). LVPECL Voltage      Levels Across Differential Pair

           OUT-

                                80%                            80%

                   VOD

                           20%                                      20%

           OUT+                                                                             VOS

                                     Tr                   Tf

           GND

                   Figure  2. LVDS Voltage  Levels  per        Differential       Pin       (OUT+/OUT-)

Rev. 1.06                                         Page 3 of 8                                                                     www.sitime.com
SiT9120

Standard Frequency                  Differential Oscillator

                                                                                                             TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Termination Diagrams

LVPECL:

                   VDD

                          OUT+                         Z0 = 50                                              D+

           LVPECL  D riv e r                                                                                     Receiver  Device

                          OUT-                         Z0 = 50                                              D-

                                                                             50                50 

                                                                               VTT = VDD – 2.0 V

                                                Figure 3. LVPECL Typical Termination

           VDD                      VDD= 3.3V => R1 = 100 to 150 

                                    VDD= 2.5V => R1 = 75                          100 nF

                   OUT+                                           Z0 = 50                                   D+

           LVPECL Driver                                                                                     Receiver      Device

                                                                                   100 nF

                   OUT-                                           Z0 = 50                                   D-

                                    R1                 R1                          50            50

                                                                                                      

                                                                                           VTT

                                    Figure 4. LVPECL AC Coupled Termination

                              VDD = 3.3V => R1  =  R3  = 133  and

                              R2 = R4 = 82 

                                                                                   VDD

                              VDD = 2.5V => R1  =  R3  = 250  and

                              R2 = R4 = 62.5 

           VDD                                                                     R1      R3

                              OUT+                     Z0 = 50                                          D+

           LVPECL         Driver                                                                         Receiver  Device

                              OUT-                     Z0 = 50                                          D-

                                                                                   R2      R4

                                    Figure 5. LVPECL with           Thevenin Typical Termination

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SiT9120

Standard Frequency            Differential  Oscillator

                                                                                    TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg  CChhooiiccee

LVDS:

           VDD

                        OUT+  Z0 = 50                                 D+

           LVDS Driver                                   100          Receiver     Device

                        OUT-  Z0 = 50                                 D-

                              Figure 6. LVDS Single Termination (Load  Terminated)

Rev. 1.06                                   Page 5 of 8                                                             www.sitime.com
SiT9120

Standard Frequency Differential                                                              Oscillator

                                                                                                                                     TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Dimensions and Patterns

                   Package Size – Dimensions (Unit: mm)[1]                                                     Recommended           Land Pattern (Unit: mm)[2]

3.2 x 2.5x 0.75 mm

                3.2±0.05                                          2.20                                                               2 .2 5

            #6      #5    #4                                  #4      #5          #6

            YXXXX                 2.5±0.05              0.9                                               1.6

                                                                                        0.7

            #1      #2    #3                                  #3      #2          #1                                                                                 1.00

                                                                                  0.6

                                  0.75±0.05                                                                                          0 .6 5          1 .0 5

5.0 x 3.2 x 0.75 mm

            #6     #5     #4                                  #4  #5          #6

                                                        1.20

            YXXXX

            #1     #2     #3                                  #3  #2          #1

                                  0.75±0.05

7.0  x  5.0x 0.90 mm

                7.0±0.10                                              5.08

        #6                    #4                                                                                                     5.08

                #5                                            #4          #5           #6

                                  5.0±0.10  2.60                                             1.10

        YXXXX                                                                                                  3.80

        #1      #2            #3                              #3      #2          #1

                                                                                  1.40                                                                         1.60

                                            0.90 ±0.10                                                                                               1.60

Notes:

1. Top Marking: Y denotes manufacturing origin and XXXX denotes manufacturing lot number.                 The  value  of  “Y”  will  depend on  the  assembly  location of the device.

2. A capacitor of value 0.1 F between Vdd and GND is recommended.

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Standard Frequency Differential Oscillator

                                                                                                          TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Ordering Information

                                       SiT9120AC-1 C 2 - 33E 125.000000T

                                                                                             Packaging:

                Part Family                                                                  “T”, “Y”, “X”, “D”, “E”, or “G”

                “SiT9120”                                                                    Refer to table below for

                                                                                             packing method

                                                                                             Leave Blank for Bulk

                Revision Letter                                                              Frequency

                “A” is the revision of Silicon                                               See supported frequency list

                                                                                             below

                Temperature Range

                “I”    Industrial, -40 to 85°C                                               Feature Pin

                “C”    Extended Commercial, -20 to 70°C                                           “E” for Output Enable

                                                                                                  “S” for Standby

                Signalling Type                                                              Voltage Supply

                “1” = LVPECL                                                                      “25” for 2.5V ±10%

                “2” = LVDS                                                                        “33” for 3.3V ±10%

                                                                                                  “XX” for 2.25V to 3.63V

                Package Size                                                                      Frequency Stability

                “B” 3.2 x 2.5 mm x mm                                                             “F” for ±10 ppm

                “C” 5.0 x 3.2 mm x mm                                                             “1” for ±20 ppm

                “D” 7.0 x 5.0 mm x mm                                                             “2” for ±25 ppm

                                                                                                  “3” for ±50 ppm

Supported       Frequencies

25.000000 MHz   50.000000 MHz      74.175824 MHz          74.250000 MHz   75.000000 MHz   98.304000 MHz            100.000000 MHz     106.250000 MHz

125.000000 MHz  133.000000 MHz     133.300000 MHz         133.330000 MHz  133.333000 MHz  133.333300 MHz           133.333330 MHz     133.333333 MHz

148.351648 MHz  148.500000 MHz     150.000000 MHz         155.520000 MHz  156.250000 MHz  161.132800 MHz           166.000000 MHz     166.600000 MHz

166.660000 MHz  166.666000 MHz     166.666600 MHz         166.666660 MHz  166.666666 MHz  200.000000 MHz           212.500000 MHz

Ordering       Codes for Supported Tape                   &   Reel Packing Method

Device Size     8 mm T&R    8 mm T&R            8 mm T&R  12  mm T&R      12 mm T&R       12 mm T&R  16 mm T&R             16 mm T&R  16 mm T&R
                (3ku)           (1ku)           (250u)        (3ku)        (1ku)          (250u)     (3ku)                    (1ku)   (250u)

7.0 x 5.0 mm    –               –               –             –            –              –               T                   Y                          X

5.0 x 3.2 mm    –               –               –             T            Y              X               –                   –                          –

3.2 x 2.5 mm    D               E               G             T            Y              X               –                   –                          –

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Standard Frequency Differential Oscillator

                                                                                                                                                          TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Revision     History

Version      Release Date      Change Summary

1.01         2/20/13           Original

1.02         11/23/13          Added input specifications, LVPECL/LVDS waveforms, packaging                                                 T&R  options

1.03         2/6/14            Added 8mm T&R option

1.04         3/3/14            Added ±10 ppm

1.05         7/23/14           Include Thermal Consideration Table

1.06         10/3/14           Modified Thermal Consideration values

© SiTime Corporation 2014. The information contained herein is subject to change at any time without notice. SiTime assumes no responsibility or liability for any loss, damage or defect of a

Product which is caused in whole or in part by (i) use of any circuitry other than circuitry embodied in a SiTime product, (ii) misuse or abuse including static discharge, neglect or accident, (iii)

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installation, storage, handling, warehousing or transportation, or (v) being subjected to unusual physical, thermal, or electrical stress.

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SiTime are not suitable or intended to be used in a life support application or component, to operate nuclear facilities, or in other mission critical applications where human life may be involved

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                                                                                   TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Silicon                                   MEMS  Outperforms                        Quartz

SiTime Corporation                        990 Almanor Avenue, Sunnyvale, CA 94085  (408) 328-4400  www.sitime.com

Silicon MEMS Outperforms Quartz Rev. 1.1                                                           Revised October 5, 2013
Silicon MEMS Outperforms Quartz

                                                                                                                                                                          TThhee SSmmaarrtt TTiimmiinngg CChhooiiccee

Best Reliability                                                                            Best Electro Magnetic Susceptibility (EMS)

Silicon is inherently more reliable than quartz. Unlike quartz                              SiTime’s oscillators in plastic packages are up to 54 times

suppliers, SiTime has in-house MEMS and analog CMOS                                         more immune to external electromagnetic fields than quartz

expertise, which allows SiTime to develop the most reliable                                 oscillators as shown in Figure 3.

products.              Figure   1      shows       a   comparison         with      quartz  Why is SiTime Best in Class:

technology.

Why is SiTime Best in Class:                                                                • Internal differential architecture for best common mode

                                                                                            noise rejection

• SiTime’s MEMS resonators are vacuum sealed using an                                       • Electrostatically driven MEMS resonator is more immune

advanced EpiSeal™ process, which eliminates foreign par-                                    to EMS

ticles and improves long term aging and reliability

• World-class MEMS and CMOS design expertise

                          Mean Time Between Failure (Million Hours)                                                                                                 SiTime vs Quartz

                                                                                                                         - 30                           Electro Magnetic Susceptibility (EMS)

              SiTime                                                           500                                                                      - 39  - 40        - 42  - 43

                                                                                            (dB)                         - 40                                                          - 45

IDT (Fox)                  38                                                                                            - 50

                                                             SiTime                         Average Spurs

              Epson        28                                20X Better                                                  - 60                                                                        SiTime

                                                                                                                                                                                                     54X Better

                  TXC      16                                                                                            - 70                                                                        - 73

Pericom                    14                                                                                            - 80

                                                                                                                         - 90

                       0               200                   400                     600                                                            Kyocera   Epson       TXC   CW     SiLabs        SiTime

                       Figure 1. Reliability Comparison[1]                                                             Figure 3. Electro Magnetic Susceptibility (EMS)[3]

Best Aging                                                                                  Best Power Supply Noise Rejection

Unlike            quartz,  MEMS        oscillators     have  excellent         long  term   SiTime’s MEMS oscillators are more resilient against noise on

aging performance which is why every new SiTime product                                     the power supply. A comparison is shown in Figure 4.

specifies 10-year aging. A comparison is shown in Figure 2.                                 Why is SiTime Best in Class:

Why is SiTime Best in Class:                                                                • On-chip regulators and internal differential architecture for

• SiTime’s MEMS resonators are vacuum sealed using an                                       common mode noise rejection

advanced EpiSeal process, which eliminates foreign parti-                                   • Best analog CMOS design expertise

cles and improves long term aging and reliability

• Inherently better immunity of electrostatically driven

MEMS resonator

                           SiTime MEMS vs. Quartz Aging                                     mVp-p                                                             Power Supply Noise Rejection

                           SiTime MEMS Oscillator      Quartz Oscillator                                                                       5.0            SiTIme      NDK   Epson  Kyocera

              10                                                                            Integrated Phase Jitter per

              8                                                           8.0                                          Injected Noise (ps/mv)  4.0

Aging (±PPM)                                SiTime                                                                                             3.0

              6                             2X Better

                                                                                                                                               2.0

              4                        3.0                   3.5

                                                                                                                                               1.0                                     SiTSimiTeime

                                                                                                                                                                                       3X Better

              2            1.5

                                                                                            Additive                                           0.0

              0                                                                                                                                     10               100        1,000                10,000

                               1-Year                        10-Year                                                                                          Power Supply Noise Frequency (kHz)

                           Figure 2. Aging Comparison[2]                                                                                       Figure         4. Power Supply Noise Rejection[4]

Silicon MEMS Outperforms Quartz Rev. 1.1                                                                                                                                                             www.sitime.com
Silicon MEMS Outperforms Quartz

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Best Vibration Robustness                                                                         Best Shock Robustness

High-vibration environments are all around us. All electronics,                                   SiTime’s oscillators can withstand at least 50,000 g shock.

from                           handheld    devices  to  enterprise  servers         and  storage  They all maintain their electrical performance in operation

systems are subject to vibration. Figure 5 shows a comparison                                     during shock events. A comparison with quartz devices is

of vibration robustness.                                                                          shown in Figure 6.

Why is SiTime Best in Class:                                                                      Why is SiTime Best in Class:

• The moving mass of SiTime’s MEMS resonators is up to                                            • The moving mass of SiTime’s MEMS resonators is up to

3000 times smaller than quartz                                                                    3000 times smaller than quartz

• Center-anchored MEMS resonator is the most robust                                               • Center-anchored MEMS resonator is the most robust

design                                                                                            design

                                               Vibration Sensitivity vs. Frequency                                                16  Differential XO Shock Robustness - 500 g

                                       SiTime  TXC  Epson  Connor Winfield    Kyocera    SiLabs   Peak Frequency Deviation (PPM)      14.3

Vibration Sensitivity (ppb/g)  100.00                                                                                             14

                                                                                                                                               12.6

                                                                                                                                  12

                               10.00                                                                                              10

                                                                                                                                  8

                                                                                                                                  6                                            SiTime

                               1.00                                 SiTime                                                                                                     Up to 25x

                                                                    Up to 30x                                                     4                    3.9                     Better

                                                                    Better                                                                                      2.9  2.5

                                                                                                                                  2                                                         0.6

                               0.10                                                                                               0

                                       10                  100                           1000                                         Kyocera  Epson   TXC      CW   SiLabs    SiTime
                                                    Vibration Frequency (Hz)

                                       Figure  5.  Vibration Robustness[5]                                                            Figure 6.        Shock    Robustness[6]

Notes:

1. Data Source: Reliability documents of named companies.

2. Data source: SiTime and quartz oscillator devices datasheets.

3. Test conditions for Electro Magnetic Susceptibility (EMS):

• According to IEC EN61000-4.3 (Electromagnetic compatibility standard)

• Field strength: 3V/m

• Radiated signal modulation: AM 1 kHz at 80% depth

• Carrier frequency scan: 80 MHz – 1 GHz in 1% steps

• Antenna polarization: Vertical

• DUT position: Center aligned to antenna

Devices used in this test:

SiTime, SiT9120AC-1D2-33E156.250000 - MEMS based - 156.25 MHz

Epson, EG-2102CA 156.2500M-PHPAL3 - SAW based - 156.25 MHz

TXC, BB-156.250MBE-T - 3rd Overtone quartz based - 156.25 MHz

Kyocera, KC7050T156.250P30E00 - SAW based - 156.25 MHz

Connor Winfield (CW), P123-156.25M - 3rd overtone quartz based - 156.25 MHz

SiLabs, Si590AB-BDG - 3rd overtone quartz based - 156.25 MHz

4. 50 mV pk-pk Sinusoidal voltage.

Devices used in this test:

SiTime, SiT8208AI-33-33E-25.000000, MEMS based - 25 MHz

NDK, NZ2523SB-25.6M - quartz based - 25.6 MHz

Kyocera, KC2016B25M0C1GE00 - quartz based - 25 MHz

Epson, SG-310SCF-25M0-MB3 - quartz based - 25 MHz

5. Devices used in this test: same as EMS test stated in Note 3.

6. Test conditions for shock test:

• MIL-STD-883F Method 2002

• Condition A: half sine wave shock pulse, 500-g, 1ms

• Continuous frequency measurement in 100 μs gate time for 10 seconds

Devices used in this test: same as EMS test stated in Note 3

7. Additional data, including setup and detailed results, is available upon request to qualified                                  customers.   Please  contact  productsupport@sitime.com.

Silicon MEMS Outperforms Quartz Rev. 1.1                                                                                                                                       www.sitime.com
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If “No,” please suggest improvements that we can make:

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         EMI                 Termination recommendations                    Shock and vibration performance           Other

If “Other,” please specify:

_________________________________________________________________________________________________

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If “Yes”, please specify (what and where):

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25E125.000000   SIT9120AI-2D3-33E200.000000   SIT9120AI-2CF-25E100.000000   SiT9120AI-2C3-33E200.000000

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