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SIGC84T120R3LE

器件型号:SIGC84T120R3LE
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厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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SIGC84T120R3LE器件文档内容

                                       SIGC84T120R3LE

IGBT3 Power Chip

Features:                              This chip is used for:                                 C
1200V Trench & Field Stop technology   power modules
low turn-off losses                                                             G
short tail current                    Applications:                                           E
positive temperature coefficient       drives
easy paralleling                                                    Package
                                                                    sawn on foil
Chip Type         VCE              IC       Die Size
                                       9.13 x 9.15 mm2
SIGC84T120R3LE 1200V 75A

Mechanical Parameters                  9.13 x 9.15
Raster size
Emitter pad size (incl. gate pad)      8 x (3.736 x 1.864)                     mm2
Gate pad size                             1.319 x 0.820
Area total
Thickness                                               83.5
Wafer size
Max.possible chips per wafer                            120                            m
Passivation frontside
Pad metal                                               200                            mm

Backside metal                                                 306

Die bond                                                       Photoimide
Wire bond
Reject ink dot size                                     3200 nm AlSiCu

Recommended storage environment                            Ni Ag system
                                       suitable for epoxy and soft solder die bonding

                                       Electrically conductive glue or solder

                                                                       Al, <500m

                                                               0.65mm ; max 1.2mm

                                             Store in original container, in dry nitrogen, in dark
                                       environment, < 6 month at an ambient temperature of 23C

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7677N, L7677U, L7677F, Rev 2.3, 02.07.2014
                                                                SIGC84T120R3LE

Maximum Ratings                                                 Symbol         Value                                 Unit
Parameter

Collector-Emitter voltage, Tvj =25 C                       VCE                 1200                                  V
DC collector current, limited by Tvj max                   IC
                                                                                  1)                                 A

Pulsed collector current, tp limited by Tvj max            Ic,puls                225                                A

Gate emitter voltage                                       VGE                    20                                 V

Junction temperature range                                 Tvj                 -55 ... +175                          C

Operating junction temperature                             Tvj                 -55...+150                            C

Short circuit data 2 ) VGE = 15V, VCC = 900V, Tvj = 125C  tSC                    10                                 s

Reverse bias safe operating area 2 ) (RBSOA)                              I C , m a x = 150A, V C E , m a x = 1200V
1 ) depending on thermal properties of assembly                                        Tvj  1 2 5 C

2 ) not subject to production test - verified by design/characterization

Static Characteristic (tested on wafer), Tvj =25 C

Parameter                                        Symbol    Conditions                   Value
                                                                                                              Unit

                                                                               min. typ. max.

Collector-Emitter breakdown voltage              V(BR)CES  VGE=0V , IC= 3mA 1200
Collector-Emitter saturation voltage             VCEsat
Gate-Emitter threshold voltage                   VGE(th)   VGE=15V, IC=75A     1.4 1.7       2.1 V
Zero gate voltage collector current              ICES                                        6.5
Gate-Emitter leakage current                     IGES      IC=3mA , VGE=VCE    5.0 5.8       10.1 A
Integrated gate resistor                         rG                                          600 nA
                                                           VCE=1200V , VGE=0V
                                                                                                        
                                                           VCE=0V , VGE=20V

                                                                                       10

Dynamic Characteristic (not subject to production test - verified by design / characterization), Tvj =25 C

Parameter                                        Symbol    Conditions                     Value
                                                                                                               Unit

                                                                               min. typ. max.

Input capacitance                                Cies      VCE=25V,               5345
Reverse transfer capacitance                     Cres      VGE=0V,                                      pF
                                                            f=1MHz
                                                                                  242

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7677N, L7677U, L7677F, Rev 2.3, 02.07.2014
                                   SIGC84T120R3LE

Further Electrical Characteristic
Switching characteristics and thermal properties are depending strongly on module design and mounting
technology and can therefore not be specified for a bare die.

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7677N, L7677U, L7677F, Rev 2.3, 02.07.2014
                       SIGC84T120R3LE

Chip Drawing

              E     E

              E     E

                 G

              E  T  E

              E     E

E = Emitter
G = Gate
T = Test pad do not contact

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7677N, L7677U, L7677F, Rev 2.3, 02.07.2014
                                   SIGC84T120R3LE

Description
AQL 0,65 for visual inspection according to failure catalogue
Electrostatic Discharge Sensitive Device according to MIL-STD 883

Revision History  Subjects (major changes since last revision)                            Date
    Version                                                                           30.04.2010
                                                                                      02.07.2014
2.2                              Change wafer size to 200 mm

2.3               Additional basic types L7677N, L7677U, L7677F; new gate pad design

Published by
Infineon Technologies AG
81726 Munich, Germany
2014 Infineon Technologies AG
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Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7677N, L7677U, L7677F, Rev 2.3, 02.07.2014
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