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SI4425BDY-T1-E3

器件型号:SI4425BDY-T1-E3
器件类别:晶体管   
厂商名称:Vishay
厂商官网:http://www.vishay.com/
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器件描述

8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

8800 mA, 30 V, P沟道, , 小信号, 场效应管

参数

SI4425BDY-T1-E3端子数量 8
SI4425BDY-T1-E3最小击穿电压 30 V
SI4425BDY-T1-E3加工封装描述 ROHS COMPLIANT, SOP-8
SI4425BDY-T1-E3无铅 Yes
SI4425BDY-T1-E3欧盟RoHS规范 Yes
SI4425BDY-T1-E3状态 ACTIVE
SI4425BDY-T1-E3包装形状 RECTANGULAR
SI4425BDY-T1-E3包装尺寸 SMALL OUTLINE
SI4425BDY-T1-E3表面贴装 Yes
SI4425BDY-T1-E3端子形式 GULL WING
SI4425BDY-T1-E3端子涂层 MATTE TIN
SI4425BDY-T1-E3端子位置 DUAL
SI4425BDY-T1-E3包装材料 PLASTIC/EPOXY
SI4425BDY-T1-E3结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
SI4425BDY-T1-E3元件数量 1
SI4425BDY-T1-E3晶体管应用 SWITCHING
SI4425BDY-T1-E3晶体管元件材料 SILICON
SI4425BDY-T1-E3通道类型 P-CHANNEL
SI4425BDY-T1-E3场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SI4425BDY-T1-E3操作模式 ENHANCEMENT
SI4425BDY-T1-E3晶体管类型 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
SI4425BDY-T1-E3最大漏电流 8.8 A
SI4425BDY-T1-E3最大漏极导通电阻 0.0120 ohm

SI4425BDY-T1-E3器件文档内容

                                                                                                                               Si4425BDY

                                                                                                                           Vishay Siliconix

                 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY                                                                FEATURES

VDS (V)  rDS(on) (W)                                   ID (A)                  D TrenchFETr Power MOSFET
                                                                               D Advanced High Cell Density
                              0.012 @ VGS = -10 V       -11.4                                                                          Pb-free
-30                                                     -9.1                      Process                                             Available

                             0.019 @ VGS = -4.5 V                              APPLICATIONS

                                                                               D Load Switches
                                                                                   - Notebook PCs
                                                                                   - Desktop PCs

                                                                                                                        S
                 SO-8

         S1                                        8D                                         G

         S2                                        7D

         S3                                        6D

         G4                                        5D

                                                                                                        D

                 Top View                                                                        P-Channel MOSFET

         Ordering Information: Si4425BDY
                                        Si4425BDY--T1 (with Tape and Reel)
                                        Si4425BDY--E3 (Lead (Pb)-Free)
                                        Si4425BDY-T1--E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

         Parameter                                                   Symbol                   10 secs Steady State                    Unit

Drain-Source Voltage                                                   VDS                              -30                             V
Gate-Source Voltage                                                   VGS
                                                                                                        "20                             A
Continuous Drain Current (TJ = 150_C)a                                  ID
Pulsed Drain Current                                   TA = 25_C       IDM                       -11.4                     -8.8         W
continuous Source Current (Diode Conduction)a          TA = 70_C        IS                                                             _C
Maximum Power Dissipationa                                             PD                        -9.1                      -7.0
Operating Junction and Storage Temperature Range       TA = 25_C     TJ, Tstg
                                                       TA = 70_C                                        -50

                                                                                                 -2.1                      -1.3

                                                                                                 2.5                       1.5

                                                                                                 1.6                       0.9

                                                                                                        -55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS                             t v 10 sec   Symbol                   Typical                      Maximum    Unit
                                   Parameter           Steady State
                                                       Steady State     RthJA                     40                              50  _C/W
Maximum Junction-to-Ambienta                                           RthJF                     70                              85
                                                                                                  15                              18
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes                                                                                                                                 www.vishay.com
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.                                                                                                               1

Document Number: 72000
S-50366--Rev. D, 28-Feb-05
Si4425BDY

Vishay Siliconix

SPECIFICATIONS (TJ = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

                Parameter                Symbol                 Test Condition                                                                             Min      Typ       Max Unit

Static

Gate Threshold Voltage                   VGS(th)                      VDS = VGS, ID = -250 mA                                                              -1.0               -3.0                V
Gate-Body Leakage                         IGSS
                                                                        VDS = 0 V, VGS = "20 V                                                                                "100                nA
Zero Gate Voltage Drain Current           IDSS
On-State Drain Currenta                   ID(on)                       VDS = -30 V, VGS = 0 V                                                                                 -1
Drain-Source On-State Resistancea        rDS(on)                VDS = -30 V, VGS = 0 V, TJ = 55_C                                                                                            mA
Forward Transconductancea
Diode Forward Voltagea                     gfs                        VDS v -5 V, VGS = -10 V                                                                                 -5
                                          VSD                        VGS = -10 V, ID = -11.4 A
Dynamicb                                                              VGS = -4.5 V, ID = -9.1 A                                                            -50                                    A

                                                                     VDS = -15 V, ID = -11.4 A                                                                      0.010     0.012               W
                                                                        IS = -2.5 A, VGS = 0 V
                                                                                                                                                                    0.015     0.019

                                                                                                                                                                       29                         S

                                                                                                                                                                    -0.8      -1.2                V

Total Gate Charge                             Qg                                                                                                                       64     100
Gate-Source Charge                           Qgs
Gate-Drain Charge                            Qgd                VDS = -15 V, VGS = -10 V, ID = -11.4 A                                                                 11                         nC
Turn-On Delay Time                           td(on)
Rise Time                                                                 VDD = -15 V, RL = 15 W                                                                       17
Turn-Off Delay Time                            tr                 ID ^ -1 A, VGEN = -10 V, RG = 6 W
Fall Time                                    td(off)                                                                                                                   15     25
Source-Drain Reverse Recovery Time                                     IF = -2.5 A, di/dt = 100 A/ms
                                               tf                                                                                                                      13     20
                                               trr
                                                                                                                                                                    100       150                 ns

                                                                                                                                                                       53     80

                                                                                                                                                                       41     80

Notes
a. Pulse test; pulse width v 300 ms, duty cycle v 2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.

Stresses beyond those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

                     Output Characteristics                                                                                                                          Transfer Characteristics
50                                                                                                                                               50

                   VGS = 10 thru 5 V

40                                           4V                                                                                                  40

I D - Drain Current (A)30                                                                                                                        30
                                                                                                                        I D - Drain Current (A)
20                                                                                                                                               20

10                                                                                                                                               10        TC = 125_C
                                                                                                                                                                25_C
                                         3V                                                                                                       0
                                                                                                                                                     0                        -55_C

        0

           0    1          2          3      4               5                                                                                          1        2         3                   4     5

                VDS - Drain-to-Source Voltage (V)                                                                                                       VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

www.vishay.com                                                                                                                                                               Document Number: 72000
2                                                                                                                                                                         S-50366--Rev. D, 28-Feb-05
                                                                                                                                                                 Si4425BDY

                                                                                                                                                             Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

                                              On-Resistance vs. Drain Current                                                                          Capacitance

                                   0.025                                                                                             5000

rDS(on) - On-Resistance ( W )      0.020      VGS = 4.5 V                                             C - Capacitance (pF)           4000
                                   0.015
                                                                                                                                                                                        Ciss
                                                                                                                                     3000

                                                                        VGS = 10 V

                                   0.010                                                                                             2000

                                   0.005                                                                                             1000              Coss

                                                                                                                                              Crss

                                   0.000                                                                                             0
                                           0
                                              10           20       30                40         50                                        0        6  12    18                               24  30

V GS - Gate-to-Source Voltage (V)                             ID - Drain Current (A)                  rDS(on) - On-Resiistance                             VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
                                                                                                         (Normalized)
                                                               Gate Charge                                                                    On-Resistance vs. Junction Temperature
                                   10                                                                                                1.6

                                             VDS = 15 V                                                                                          VGS = 10 V
                                             ID = 12 A                                                                                           ID = 12 A
                                    8                                                                                                1.4

                                   6                                                                                                 1.2

                                   4                                                                                                 1.0

                                   2                                                                                                 0.8

                                    0                                                                                                0.6               25 50 75 100 125 150
                                       0 10 20 30 40 50 60 70 80                                                                        -50 -25 0
                                                         Qg - Total Gate Charge (nC)
                                              Source-Drain Diode Forward Voltage                                                                       TJ - Junction Temperature (_C)

                                   50                                                                                                         On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
                                                                                                                                     0.05
                                                        TJ = 150_C
                                   10                                                                 rDS(on) - On-Resistance ( W )  0.04

I S - Source Current (A)                                                                                                                                   ID = 12 A

                                                                                                                                     0.03

                                                                                      TJ = 25_C                                      0.02
                                                                                                                                     0.01

                                   1                                                                                                 0.00
                                                                                                                                           0
                                   0.0        0.2  0.4         0.6      0.8           1.0        1.2                                                2  4     6                                8   10

                                                   VSD - Source-to-Drain Voltage (V)                                                                   VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

Document Number: 72000                                                                                                                                                                        www.vishay.com
S-50366--Rev. D, 28-Feb-05                                                                                                                                                                                     3
Si4425BDY

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)                                                                                                Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
                                                                                                                                    30
                                 Threshold Voltage
          0.8

                                0.6                                                                                                 25

                                                                 ID = 250 mA
VGS(th) Variance (V)
                                                                                                                      Power (W)0.4  20

                                0.2                                                                                                 15

                                0.0                                                                                                 10

                                -0.2                                                                                                5

                                -0.4            0 25 50 75 100 125 150                                                              0                    10-1                1           10      100  600
                                     -50 -25       TJ - Temperature (_C)                                                             10-2

                                                                                                                                                                             Time (sec)

                                                                           100                           Safe Operating Area
                                                                 *rDS(on) Limited                                                           IDM Limited

                                                                 I D - Drain Current (A)                                                                      P(t) = 0.0001
                                                                                          10

                                                                                                                                                              P(t) = 0.001

                                                                                          1     ID(on)                                  P(t) = 0.01
                                                                                                Limited                                 P(t) = 0.1

                                                                                          0.1    TA = 25_C                              P(t) = 1
                                                                                                Single Pulse
                                                                                                                                        P(t) = 10
                                                                                                                                        dc

                                                                                                               BVDSS Limited

                                                                                          0.01

                                                                                          0.1            1     10                                        100

                                                                                                         VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
                                                                                                *VGS u minimum VGS at which rDS(on) is specified

                                                                 Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient

Normalized Effective Transient        2
   Thermal Impedance
                                      1
                                             Duty Cycle = 0.5

                                          0.2                                                                                                                 Notes:

                                          0.1                                                                                                                 PDM
                                0.1
                                                                                                                                                                             t1
                                          0.05
                                                                                                                                                                               t2  t1
                                          0.02                                                                                                                1. Duty Cycle, D =   t2

                                                                                                                                                              2. Per Unit Base = RthJA = 70_C/W

                                            Single Pulse                                                                                                      3. TJM - TA = PDMZthJA(t)
                                                           10-3
                                                                                                                                                              4. Surface Mounted

                                0.01                                                      10-2           10-1                    1                            10                   100           600
                                      10-4

                                                                                                Square Wave Pulse Duration (sec)

www.vishay.com                                                                                                                                                                       Document Number: 72000
4                                                                                                                                                                                 S-50366--Rev. D, 28-Feb-05
                                                                                                                                                    Si4425BDY

                                                                                                                                                Vishay Siliconix

Normalized Effective TransientTYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
   Thermal Impedance
                                                                                   Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
                                              2

                                              1
                                                      Duty Cycle = 0.5

                                                      0.2

                                                      0.1
                                           0.1

                                                      0.05
                                                      0.02

                                      Single Pulse

                                0.01

                                      10-4          10-3  10-2  10-1                                                                         1  10

                                                          Square Wave Pulse Duration (sec)

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Technology and
Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability data, see
http://www.vishay.com/ppg?72000.

Document Number: 72000                                                                                                                          www.vishay.com
S-50366--Rev. D, 28-Feb-05                                                                                                                                       5
                                Legal Disclaimer Notice

                                                             Vishay

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Document Number: 91000          www.vishay.com
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