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SGA6286ZSR

器件型号:SGA6286ZSR
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:RF Micro Devices (Qorvo)
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器件描述

0 MHz - 5500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

0 MHz - 5500 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

参数
SGA6286ZSR最大工作温度 85 Cel
SGA6286ZSR最小工作温度 -40 Cel
SGA6286ZSR最大输入功率 18 dBm
SGA6286ZSR最大工作频率 5500 MHz
SGA6286ZSR最小工作频率 0.0 MHz
SGA6286ZSR加工封装描述 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN
SGA6286ZSR无铅 Yes
SGA6286ZSR欧盟RoHS规范 Yes
SGA6286ZSR状态 ACTIVE
SGA6286ZSR结构 COMPONENT
SGA6286ZSR端子涂层 NOT SPECIFIED
SGA6286ZSR阻抗特性 50 ohm
SGA6286ZSR微波射频类型 WIDE BAND LOW POWER

SGA6286ZSR器件文档内容

                                     SGA6286ZDC                                                                                                          SGA6286Z
                                     to 5500MHz,
                                     Cascadable
                                     SiGe HBT
                                     MMIC Ampli-
                                     fier

                                                                                               DC to 5500MHz, CASCADABLE SiGe HBT
                                                                                                                             MMIC AMPLIFIER

                                                                                                                                                         Package: SOT-86

Product Description                                                                                                                            Features

The SGA6286Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darling-                                                                          Broadband Operation: DC to
ton configuration featuring one-micron emitters provides high FT and                                                                             5500 MHz
excellent thermal performance. The heterojunction increases breakdown
voltage and minimizes leakage current between junctions. Cancellation of                                                                        Cascadable 50
emitter junction non-linearities results in higher suppression of intermodu-                                                                    Operates from Single Supply
lation products. Only two DC-blocking capacitors, a bias resistor, and an                                                                       Low Thermal Resistance
optional RF choke are required for operation.
                                                                                                                                                 Package
Optimum Technology                                   Gain & Return Loss vs. Frequency
Matching Applied                                                                                                                             Applications
                                                           VD= 4.0 V, ID= 75 mA (Typ.)
       GaAs HBT                                                                                                                                 PA Driver Amplifier
       GaAs MESFET            20                                                                  0                                             Cellular, PCS, GSM, UMTS
       InGaP HBT                                                                                                                                IF Amplifier
       SiGe BiCMOS        Gain (dB)15 GAIN                                                        -10                                           Wireless Data, Satellite
       Si BiCMOS                                                                                                    Return Loss (dB)
                              10 IRL                                                                                                -20
SiGe HBT                             ORL
                                                                                                                                    TL=+25C
       GaAs pHEMT              5
       Si CMOS                                                                                                                      -30
       Si BJT
       GaN HEMT               0                                                                                                     -40
       RF MEMS
                                  0               1        2  3        4                5      6

                                                              Frequency (GHz)

          Parameter                                           Specification                                                              Unit            Condition

                                                     Min.     Typ.                      Max.

Small Signal Gain                                    12.5     13.6                      15.2                                             dB    850 MHz

                                                              12.4                                                                       dB    1950 MHz

                                                              11.2                                                                       dB    2400 MHz

Output Power at 1dB Compression                               18.7                                                                       dBm   850 MHz

                                                                 17.8                                                                    dBm   1950 MHz

Output Third Intercept Point                                  35.0                                                                       dBm   850 MHz

                                                              33.0                                                                       dBm   1950 MHz

Bandwidth Determined by Return                                5500                                                                       MHz   >10 dB
     Loss

Input Return Loss                                             14.6                                                                       dB    1950 MHz

Output Return Loss                                            13.9                                                                       dB    1950 MHz

Noise Figure                                                     4.2                                                                     dB    1950 MHz

Device Operating Voltage                             3.6         4.0                    4.4                                              V

Device Operating Current                             67          75                        83                                            mA

Thermal Resistance                                               97                                                                      C/W
     (Junction - Lead)

Test Conditions: VS=8V, ID=75mA Typ., OIP3 Tone Spacing=1MHz, POUT per tone=0dBm, RBIAS=51, TL=25C, ZS=ZL=50

DS100915           RF MICRO DEVICES, RFMD, Optimum Technology Matching, Enabling Wireless ConnectivityTM, PowerStar, POLARISTM TOTAL RADIOTM and UltimateBlueTM are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-              1 of 7
                    mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. 2006, RF Micro Devices, Inc.

                                      7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical
                                      support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
SGA6286Z

Absolute Maximum Ratings

        Parameter                           Rating           Unit                                 Caution! ESD sensitive device.

Max Device Current (ID)                     150              mA                       Exceeding any one or a combination of the Absolute Maximum Rating conditions may
Max Device Voltage (VD)                                                               cause permanent damage to the device. Extended application of Absolute Maximum
Max RF Input Power                          6                V                        Rating conditions to the device may reduce device reliability. Specified typical perfor-
                                                                                      mance or functional operation of the device under Absolute Maximum Rating condi-
                                            +18              dBm                      tions is not implied.
                                                                                      RoHS status based on EUDirective2002/95/EC (at time of this document revision).
Max Junction Temp (TJ)                      +150             C                       The information in this publication is believed to be accurate and reliable. However, no
Operating Temp Range (TL)                                                             responsibility is assumed by RF Micro Devices, Inc. ("RFMD") for its use, nor for any
Max Storage Temp                            -40 to +85       C                       infringement of patents, or other rights of third parties, resulting from its use. No
                                                                                      license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of
                                            +150             C                       RFMD. RFMD reserves the right to change component circuitry, recommended appli-
                                                                                      cation circuitry and specifications at any time without prior notice.
Operation of this device beyond any one of these limits may cause permanent dam-
     age. For reliable continuous operation, the device voltage and current must not
     exceed the maximum operating values specified in the table on page one.

Bias Conditions should also satisfy the following expression:
     IDVD<(TJ-TL)/RTH, j-l

Typical Performance at Key Operating Frequencies
        Parameter                                       Unit 100 500 850 1950                                  2400   3500
                                                                                                               MHz    MHz
                                                             MHz MHz MHz MHz
                                                                                                                11.2    9.6
        Small Signal Gain                               dB      14.0                  13.9  13.6    12.4        31.4   28.1
                                                                                                                16.8   15.2
        Output Third Order Intercept Point              dBm     37.0                  36.0  35.0    33.0        15.5   20.6
                                                                                                                13.4   16.4
        Output Power at 1dB Compression                 dBm     18.7                  19.0  18.7    17.8        18.5    17.0
                                                                                                                 4.4    4.8
        Input Return Loss                               dB      18.8                  17.4  15.8    14.6

        Output Return Loss                              dB      35.7                  36.3  23.8    13.9

        Reverse Isolation                               dB      18.4                  18.6  18.8    18.8

        Noise Figure                                    dB       4.0                  3.9   3.9     4.2

Test Conditions: VS=8V, ID=75mA Typ., OIP3 Tone Spacing=1MHz, POUT per tone=0dBm, RBIAS=51, TL=25C, ZS=ZL=50

2 of 7                     7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical                    DS100915
                           support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
                                                                                                                           SGA6286Z

                            OIP3 vs. Frequency                                                                                    P1dB vs. Frequency
                                VD= 4.0 V, ID= 75 mA                                                                                 VD= 4.0 V, ID= 75 mA

          40                                                                                                     20

                                                      +25C

          36                           TL -40C                                                                  18

                                                      +85C
          OIP3(dBm)
                                                                                                      P1dB(dBm)3216

          28                                                                                                     14
                                                                                                                                                                                    +25C

          24                                                                                                     12        TL                              -40C

                                                                                                                                                           +85C

          20                                                                                                     10
             0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
                                     Frequency (GHz)                                                                 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

                                                                                                                           Frequency (GHz)

                                            Noise Figure vs. Frequency
                                                     VD= 4.0 V, ID= 75 mA

                                 7

                                 6

              Noise Figure (dB)  5

                                 4
                                                                                TL=+25C

                                 3

                                 2

                                    0                 1      2  3                                                    4  5

                                                             Frequency (GHz)

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            20             |S21| vs. Frequency                                              |S11| vs. Frequency
            15
            10             VD= 4.0 V, ID= 75 mA                                             VD= 4.0 V, ID= 75 mA

|S21|(dB)    5                                                   |S11|(dB)     0
             0                                                               -10
                                                     +25C                   -20                                       +25C
                 0                                                           -30
                                             TL      -40C                   -40                               TL      -40C
           -10
           -15                                       +85C                         0                                   +85C
           -20
           -25      1       2  3          4       5         6                  0       1    2      3        4      5           6
           -30                                                               -10
                            Frequency (GHz)                                  -20            Frequency (GHz)
                 0                                                           -30
                           |S12| vs. Frequency                               -40            |S22| vs. Frequency

                           VD= 4.0 V, ID= 75 mA                                    0        VD= 4.0 V, ID= 75 mA

|S12|(dB)                                                        |S22|(dB)

                                                     +25C                                                             +25C

                                             TL      -40C                                                     TL      -40C

                                                     +85C                                                             +85C

                    1       2  3          4       5         6                          1    2      3        4      5           6

                            Frequency (GHz)                                                 Frequency (GHz)

                     VD vs. ID over Temperature for fixed                          VD vs. Temperature for Constant ID = 75 mA
                             VS= 8 V, RBIAS= 51 ohms *                       4.6

           90

           85                                                                4.4

                    +85C

           80                  +25C                             VD (Volts)  4.2

ID(mA)     75                                     -40C

           70                                                                4.0

           65                                                                3.8

           60                                                                3.6

               3.6     3.8     4.0           4.2            4.4                   -40  -15     10       35         60         85

                               VD(Volts)                                                    Temperature (C)

               * Note: In the applications circuit on page 4, RBIAS compensates for voltage and current variation over temperature.

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Pin          Function  Description
1             RF IN
2, 4           GND     RF input pin. This pin requires the use of an external DC-blocking capacitor chosen for the frequency of operation.

3        RF OUT/BIAS  Connection to ground. For optimum RF performance, use via holes as close to ground leads as possible to reduce lead
                       inductance.
                       RF output and bias pin. DC voltage is present on this pin, therefor a DC-blocking capacitor is necessary for proper opera-
                       tion.

                                           Application Schematic

                                                                                                   Frequency (Mhz)

          RBIAS                                               Reference              850           1950  2400       3500
                                                              Designator 500                                        39 pF
                                                                                                                    15 pF
VS                                                            CB  220 pF 100 pF 68 pF 56 pF                         15 nH

                                                              CD  100 pF 68 pF 22 pF 22 pF

              1 uF 1000          CD                           LC         68 nH 33 nH 22 nH 18 nH
                        pF

                                 4         LC                 Recommended Bias Resistor Values for ID=75mA
                                              CB                                     RBIAS=( VS-VD ) / ID

RF in                  1  SGA6286Z   3                RF out  Supply Voltage(VS) 6 V 8 V 10 V 12 V

              CB                 2                                RBIAS              27 51 82 110

                                                              Note: RBIAS provides DC bias stability over temperature.

                                           Evaluation Board Layout

                                    V      1 uF
                                       S   1000 pF

                                    RBIAS

                                                              Mounting Instructions

                                                CD            1. Use a large ground pad area under device pins 2
                                        LC                       and 4 with many plated through-holes as shown.

                            A62                   CB          2. We recommend 1 or 2 ounce copper. Measurements
                                                                 for this data sheet were made on a 31 mil thick FR-4
          CB

                                                              board with 1 ounce copper on both sides.

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          Suggested Pad Layout

                      Package Drawing

                        Dimensions in inches (millimeters)
          Refer to drawing posted at www.rfmd.com for tolerances.

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                         Part Identification

                         62Z

                         Ordering Information

          Ordering Code  Description

          SGA6286Z       13" Reel with 3000 pieces
          SGA6286ZSQ     Sample bag with 25 pieces
          SGA6286ZSR     7" Reel with 100 pieces
          SGA6286ZPCK1   850MHz, 8V Operation PCBA with 5-piece sample bag

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