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SGA2286ZPCK1

器件型号:SGA2286ZPCK1
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:RF Micro Devices (Qorvo)
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器件描述

0 MHz - 5000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

0 MHz - 5000 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

参数
SGA2286ZPCK1最大输入功率 18 dBm
SGA2286ZPCK1最小工作频率 0.0 MHz
SGA2286ZPCK1最大工作频率 5000 MHz
SGA2286ZPCK1最小工作温度 -40 Cel
SGA2286ZPCK1最大工作温度 85 Cel
SGA2286ZPCK1加工封装描述 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN
SGA2286ZPCK1reach_compliant Yes
SGA2286ZPCK1欧盟RoHS规范 Yes
SGA2286ZPCK1状态 Active
SGA2286ZPCK1微波射频类型 WIDE BAND LOW POWER
SGA2286ZPCK1阻抗特性 50 ohm
SGA2286ZPCK1结构 COMPONENT
SGA2286ZPCK1增益 13.5 dB
SGA2286ZPCK1端子涂层 NOT SPECIFIED

SGA2286ZPCK1器件文档内容

                                    SGA2286ZDC                                                                                                                 SGA2286Z
                                    to 5000MHz,
                                    Cascadable
                                    SiGe HBT
                                    MMIC Ampli-
                                    fier

                                                                                      DC to 5000MHz, CASCADABLE SiGe HBT
                                                                                                                    MMIC AMPLIFIER

                                                                                                                                                               Package: SOT-86

Product Description                                                                                                                                  Features

The SGA2286Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darlington con-                                                                         High Gain: 14dB at 1950MHz
figuration featuring one-micron emitters provides high FT and excellent thermal per-                                                                  Cascadable 50
formance. The heterojunction increases breakdown voltage and minimizes leakage                                                                        Operates from Single Supply
current between junctions. Cancellation of emitter junction non-linearities results in                                                                Low Thermal Resistance
higher suppression of intermodulation products. Only two DC-blocking capacitors, a
bias resistor, and an optional RF choke are required for operation.                                                                                    Package

Optimum Technology                            Gain & Return Loss vs. Freq. @TL=+25C                                                            0    Applications
Matching Applied            24                                                                                                                -10
                                                                                                                                                -20   PA Driver Amplifier
       GaAs HBT               18                                                                                                                -30   Cellular, PCS, GSM, UMTS
       GaAs MESFET                     GAIN                                                                                                     -40   IF Amplifier
       InGaP HBT                                                                                                                             5        Wireless Data, Satellite
       SiGe BiCMOS            12 IRL
       Si BiCMOS
                                                     ORL
SiGe HBT                      6
                              Gain (dB)
       GaAs pHEMT                                                                                                            Return Loss (dB)
       Si CMOS
       Si BJT                 0
       GaN HEMT
       RF MEMS                   0               1        2        3       4

                                                          Frequency (GHz)

          Parameter                                       Specification                                                                      Unit              Condition

                                                 Min.        Typ.          Max.

Small Signal Gain                                13.5        15.0          16.5                                                              dB      850 MHz

                                                             14.0                                                                            dB      1950 MHz

                                                             12.6                                                                            dB      2400 MHz

Output Power at 1dB Compression                              8.3                                                                             dBm     850 MHz

                                                             7.0                                                                             dBm     1950 MHz

Output Third Intercept Point                                 20.0                                                                            dBm     850 MHz

                                                             19.4                                                                            dBm     1950 MHz

Bandwidth Determined by Return                               5000                                                                            MHz
Loss (>10dB)

Input Return Loss                                            16.8                                                                            dB      1950 MHz

Output Return Loss                                           19.5                                                                            dB      1950 MHz

Noise Figure                                                 3.5                                                                             dB      1950 MHz

Device Operating Voltage                         1.9         2.2           2.5                                                               V

Device Operating Current                         17          20            23                                                                mA

Thermal Resistance                                           97                                                                              C/W
     (Junction - Lead)

Test Conditions: VS=5V, ID=20mA Typ., OIP3 Tone Spacing=1MHz, POUT per tone=-10dBm, RBIAS=140, TL=25C, ZS=ZL=50

DS100915           RF MICRO DEVICES, RFMD, Optimum Technology Matching, Enabling Wireless ConnectivityTM, PowerStar, POLARISTM TOTAL RADIOTM and UltimateBlueTM are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-              1 of 6
                    mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. 2006, RF Micro Devices, Inc.

                                      7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical
                                      support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
SGA2286Z

Absolute Maximum Ratings

        Parameter                                              Rating           Unit                                           Caution! ESD sensitive device.

Max Device Current (ID)                                           40            mA                                 Exceeding any one or a combination of the Absolute Maximum Rating conditions may
Max Device Voltage (VD)                                                                                            cause permanent damage to the device. Extended application of Absolute Maximum
Max RF Input Power                                                4             V                                  Rating conditions to the device may reduce device reliability. Specified typical perfor-
                                                                                                                   mance or functional operation of the device under Absolute Maximum Rating condi-
                                                                  +18           dBm                                tions is not implied.
                                                                                                                   RoHS status based on EUDirective2002/95/EC (at time of this document revision).
Max Junction Temp (TJ)                                         +150             C                                 The information in this publication is believed to be accurate and reliable. However, no
Operating Temp Range (TL)                                                                                          responsibility is assumed by RF Micro Devices, Inc. ("RFMD") for its use, nor for any
Max Storage Temp                                            -40 to +85          C                                 infringement of patents, or other rights of third parties, resulting from its use. No
                                                                                                                   license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of
                                                               +150             C                                 RFMD. RFMD reserves the right to change component circuitry, recommended appli-
                                                                                                                   cation circuitry and specifications at any time without prior notice.
Operation of this device beyond any one of these limits may cause permanent dam-
     age. For reliable continuous operation, the device voltage and current must not
     exceed the maximum operating values specified in the table on page one.

Bias Conditions should also satisfy the following expression:
     IDVD<(TJ-TL)/RTH, j-l

Typical Performance at Key Operating Frequencies
        Parameter                   Unit 100MHz 500MHz 850MHz 1950MHz 2400MHz                                                                                       3500 MHz

        Small Signal Gain                dB                                     15.1                                        15.0          14.0         12.6               13.7
                                                                                20.5                                        20.0          19.4         19.6               24.0
Output Third Order Intercept Point  dBm                                          7.4                                        8.3            7.0         5.9               19.5

Output Power at 1dB Compression     dBm

        Input Return Loss                dB                            25.6     20.3                                        17.1          16.8         16.9

        Output Return Loss               dB                            22.8     25.2                                        27.1          19.5         20.1

        Reverse Isolation                dB                            18.3     18.5                                        18.7          19.0         19.1

        Noise Figure                     dB                                     3.2                                         3.2              3.5       3.8

Test Conditions: VS=5V, ID=20mA Typ., OIP3 Tone Spacing=1MHz, POUT per tone=-10dBm, RBIAS=140, TL=25C, ZS=ZL=50

                           OIP3 vs. Frequency                                                                                       P vs. Frequency
                                                                                                                                                     1dB
                              VD= 2.2 V, ID= 20 mA
        30                                                                                                                             VD= 2.2 V, ID= 20 mA

                                                  TL                                                               10

        25                                                                                                            8                                    TL

        OIP3 (dBm)                                                                                                    6
                                                                                                       P1dB (dBm)
        20

                                                                  TL=+25C                                            4

        15                                                                                                                                                   TL=+25C

                                                                                                                      2

        10                                                                                                            0

            0  0.5          1       1.5                        2       2.5   3                                           0        0.5     1       1.5  2       2.5     3

                            Frequency (GHz)                                                                                               Frequency (GHz)

                                                                      Noise Figure vs. Frequency

                                                                               VD= 2.2 V, ID= 20 mA

                                                            5

                                         Noise Figure (dB)  4                                                         TL=+25C

                                                            3

                                                            2

                                                                                                            TL=+25C

                                                            1

                                                            0

                                                               0       0.5   1  1.5                                2        2.5        3

                                                                                Frequency (GHz)

2 of 6                              7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical                                                            DS100915
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                                                                                                     SGA2286Z

Typical RF Performance Over Temperature (Bias: VD=2.2V, ID=20mA (Typ.))

                     |S | vs. Frequency                                       |S | vs. Frequency
         24          21                                         0                  11

         18                                                     -10

S21(dB)  12                                            S11(dB)  -20

         6                                   +25C              -30                                                                  +25C

                                      TL     -40C              -40                                       TL                         -40C
                                                                    0.0
         0                                   +85C                                                                                   +85C

             0    1      2  3             4         5                    1.0  2.0                    3.0  4.0                               5.0

                     Frequency (GHz)                                          Frequency (GHz)

         -10         |S12| vs. Frequency                          0           |S22| vs. Frequency
         -15                                                    -10
         -20                                                    -20                                     T                            +25C
         -25                                                    -30                                                            L     -40C
         -30                                                    -40                                                                  +85C

S12(dB)        0                                       S22(dB)        0

                                             +25C

                                      TL     -40C

                                             +85C

                  1      2  3             4         5                    1    2                      3                            4         5

                     Frequency (GHz)                                          Frequency (GHz)

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SGA2286Z

Pin        Function  Description
1           RF IN
2, 4         GND     RF input pin. This pin requires the use of an external DC blocking capacitor chosen for the frequency of operation.

3      RF OUT/BIAS  Connection to ground. Use via holes for best performance to reduce lead inductance as close to ground leads as possi-
                     ble.
                     RF output and bias pin. DC voltage is present on this pin, therefore a DC blocking capacitor is necessary for proper oper-
                     ation.

                                      Basic Application Circuit

VS      RBIAS

                                                                            Frequency (Mhz)

        1 uF 1000       CD                             Reference       850                       1950  2400  3500
                  pF                                   Designator 500                                        39 pF
                                                                                                             15 pF
                                                       CB  220 pF 100 pF 68 pF 56 pF                         15 nH

                                      LC               CD  100 pF 68 pF 22 pF 22 pF
                                         CB
                        4                              LC         68 nH 33 nH 22 nH 18 nH

RF in                1  SGA2286Z  3            RF out

        CB              2                              Recommended Bias Resistor Values for ID=20mA
                                                                              RBIAS=( VS-VD ) / ID

                                                       Supply Voltage(VS) 5 V 6 V 8 V 10 V

                                                           RBIAS       140 200 300 390

                                  VS  1 uF             Note: RBIAS provides DC bias stability over temperature.

                             RBIAS    1000 pF          Mounting Instructions

                                  LC  CD               1. Use a large ground pad area under device pins 2
                                                          and 4 with many plated through-holes as shown.
                        A22           CB
                                                       3. We recommend 1 or 2 ounce copper. Measurements
        CB                                                for this data sheet were made on a 31 mil thick FR-4
                                                          board with 1 ounce copper on both sides.

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          Suggested Pad Layout

                      Package Drawing

                        Dimensions in inches (millimeters)
          Refer to drawing posted at www.rfmd.com for tolerances.

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                       Part Identification

                       22Z

                       Ordering Information

        Ordering Code  Description

        SGA2286Z       13" Reel with 3000 pieces
        SGA2286ZSQ     Sample bag with 25 pieces
        SGA2286ZSR     7" Reel with 100 pieces
        SGA2286ZPCK1   850MHz, 5V Operation PCBA with 5-piece sample bag

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