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SFU9230B

器件型号:SFU9230B
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厂商名称:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/
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SFU9230B器件文档内容

SFR9230B / SFU9230B                                                                                                                         SFR9230B / SFU9230B

200V P-Channel MOSFET

General Description                                                      Features

These P-Channel enhancement mode power field effect                      -5.4A, -200V, RDS(on) = 0.8 @VGS = -10 V
transistors are produced using Fairchild's proprietary,                   Low gate charge ( typical 33 nC)
planar, DMOS technology.                                                 Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to                  Fast switching
minimize on-state resistance, provide superior switching                  100% avalanche tested
performance, and withstand high energy pulse in the                      Improved dv/dt capability
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switching DC/DC converters.

                                                                                                          S

                                           D                                                              !

                                                                                          G!                  
                                                                                                              
          GS                               D-PAK       GDS               I-PAK
                                                                                                         
                                           SFR Series                    SFU Series
                                                                                                              

                                                                                                           !

                                                                                                           D

Absolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise noted

  Symbol                                               Parameter                     SFR9230B / SFU9230B             Units
VDSS                                                                                              -200                 V
ID        Drain-Source Voltage                                                                    -5.4                 A
                                                                                                  -3.4                 A
IDM       Drain Current                       - Continuous (TC = 25C)   (Note 1)                  -22                 A
VGSS      Drain Current                       - Continuous (TC = 100C)                            30                 V
EAS                                           - Pulsed                                            390                 mJ
IAR                                                                                               -5.4                 A
EAR       Gate-Source Voltage                                                                      4.9                mJ
dv/dt                                                                                             -5.5
PD        Single Pulsed Avalanche Energy                                 (Note 2)                  2.5               V/ns
                                                                                                   49                  W
TJ, TSTG  Avalanche Current                                              (Note 1)                 0.39                 W
TL
          Repetitive Avalanche Energy                                    (Note 1)            -55 to +150             W/C
                                                                                                                       C
          Peak Diode Recovery dv/dt                                      (Note 3)                 300
                                                                                                                       C
          Power Dissipation (TA = 25C) *
          Power Dissipation (TC = 25C)

                                 - Derate above 25C

          Operating and Storage Temperature Range

          Maximum lead temperature for soldering purposes,
          1/8" from case for 5 seconds

Thermal Characteristics

Symbol                                                 Parameter                     Typ      Max                    Units

RJC       Thermal Resistance, Junction-to-Case                                       --       2.55                   C/W

RJA       Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *                                  --       50                     C/W

RJA       Thermal Resistance, Junction-to-Ambient                                    --       110                    C/W

* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                            Rev. B, December 2002
Electrical Characteristics                            TC = 25C unless otherwise noted                                                             SFR9230B / SFU9230B

Symbol                                     Parameter                         Test Conditions               Min Typ Max Units

Off Characteristics

BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage                  VGS = 0 V, ID = -250 A                              -200    --     --    V

BVDSS Breakdown Voltage Temperature                   ID = -250 A, Referenced to 25C                       --  -0.16    --  V/C
/ TJ Coefficient
                                                      VDS = -200 V, VGS = 0 V                                --    --    -1    A
IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current              VDS = -160 V, TC = 125C                               --    --   -10    A
                                                      VGS = -30 V, VDS = 0 V                                 --    --   -100   nA
IGSSF    Gate-Body Leakage Current, Forward           VGS = 30 V, VDS = 0 V                                  --    --   100    nA
IGSSR    Gate-Body Leakage Current, Reverse

On Characteristics

VGS(th)  Gate Threshold Voltage                       VDS = VGS, ID = -250 A                              -2.0 --      -4.0  V
RDS(on)
         Static Drain-Source                          VGS = -10 V, ID = -2.7 A                             -- 0.6 0.8         
         On-Resistance

gFS      Forward Transconductance                     VDS = -40 V, ID = -2.7 A (Note 4)                    --    5.9    --    S

Dynamic Characteristics

Ciss     Input Capacitance                            VDS = -25 V, VGS = 0 V,                              -- 775 1000 pF
                                                      f = 1.0 MHz
Coss     Output Capacitance                                                                                -- 135 175 pF

Crss     Reverse Transfer Capacitance                                                                      --    45     60    pF

Switching Characteristics

td(on)   Turn-On Delay Time                           VDD = -100 V, ID = -6.5 A,                           --    10     30    ns
                                                      RG = 25
tr       Turn-On Rise Time                                                                                 --    30     70    ns

td(off)  Turn-Off Delay Time                                                                               -- 120 250         ns

tf       Turn-Off Fall Time                                                                   (Note 4, 5)  --    60 130       ns

Qg       Total Gate Charge                            VDS = -160 V, ID = -6.5 A,                           --    33     45    nC

Qgs      Gate-Source Charge                           VGS = -10 V                                          -- 4.5       --    nC

Qgd      Gate-Drain Charge                                                                    (Note 4, 5)  --    14.5   --    nC

Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

IS       Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current                                             --    --     -5.4  A

ISM      Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current                                                 --    --     -22   A

VSD      Drain-Source Diode Forward Voltage VGS = 0 V, IS = -5.4 A                                         --    --     -5.0  V

trr      Reverse Recovery Time                        VGS = 0 V, IS = -6.5 A,                              -- 160       --    ns

Qrr      Reverse Recovery Charge                      dIF / dt = 100 A/s                     (Note 4)     --    1.25   --    C

Notes:

1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 20mH, IAS = -5.4A, VDD = -50V, RG = 25 , Starting TJ = 25C
3. ISD  -6.5A, di/dt  400A/s, VDD  BVDSS, Starting TJ = 25C
4. Pulse Test : Pulse width  300s, Duty cycle  2%
5. Essentially independent of operating temperature

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                                   Rev. B, December 2002
Typical Characteristics                                                                                                                                                                                                                                             SFR9230B / SFU9230B

                               101 Top :     VGS
                                          -15.0 V
                                                                                                                                                     101
                                          -10.0 V

                                          -8.0 V

                                          -7.0 V

                                          -6.5 V

                                          -6.0 V                                                                   -ID , Drain Current [A]

-ID, Drain Current [A]         100 Bottom : -5.5 V

                                                                                                                                                             150

                                                                                                                                                     100 25

                               10-1                                                                                                                                       -55
                               10-2
                                                                                         Notes :                                                                                                  Notes :
                                  10-1                                                    1. 250 s Pulse Test                                                                                      1. VDS = -40V
                                                                                          2. TC = 25                                                                                               2. 250s Pulse Test

                                                              100                         101                      10-1                                   2          4                 6                8                                                      10

                                                          -VDS, Drain-Source Voltage [V]                                                                                -VGS , Gate-Source Voltage [V]

                                        Figure 1. On-Region Characteristics                                                                                  Figure 2. Transfer Characteristics

                               1.8

                                                                                                                                                     101

                               1.5                                         V = - 10V

DS(on) R [],                                                               GS                                      -IDR , Reverse Drain Current [A]
   Drain-Source On-Resistance
                               1.2                                     VGS = - 20V

                               0.9                                                                                                                   100

                               0.6                                                                                                                                                                Notes :
                                                                                                                                                                                                   1. VGS = 0V
                                                                                         Note : TJ = 25                                                           150 25                           2. 250 s Pulse Test

                               0.3        5               10           15           20         25              30                                    10-1    0.5     1.0  1.5          2.0  2.5       3.0      3.5                                             4.0
                                   0                                                                                                                    0.0

                                                          -ID , Drain Current [A]                                                                                    -VSD , Source-Drain Voltage [V]

                                    Figure 3. On-Resistance Variation vs.                                                                                    Figure 4. Body Diode Forward Voltage
                                        Drain Current and Gate Voltage                                                                                              Variation vs. Source Current
                                                                                                                                                                            and Temperature

                                                                                    C = C + C (C = shorted)                                          12
                                                                                       iss gs gd ds
                  2000
                                                                                    C =C +C
                                                                                       oss ds gd

                                                                                    Crss = Cgd

                                                                                                                                                     10                   VDS = -40V

                                                                                                                   -VGS, Gate-Source Voltage [V]                          V = -100V
                                                                                                                                                                             DS

                  1500                                         C                                                                                     8                    VDS = -160V
                                                                  iss
Capacitance [pF]  1000                                                                                                                               6
                                                               C
                   500                                            oss                                                                                4

                      0                                        C
                      10-1                                        rss

                                           Notes :                                                                                                   2
                                            1. V = 0 V                                                                                                                                                                                     Note : ID = -6.5 A

                                                    GS

                                            2. f = 1 MHz

                                                                                                                                                     0

                                                          100                           101                                                               0       8       16                24             32                                                  40

                                                          V , Drain-Source Voltage [V]                                                                                    Q , Total Gate Charge [nC]
                                                            DS                                                                                                               G

                                    Figure 5. Capacitance Characteristics                                                                                    Figure 6. Gate Charge Characteristics

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                                                                                                                      Rev. B, December 2002
Typical Characteristics (Continued)                                                                                                                                                                                                                                                    SFR9230B / SFU9230B

                                  1.2                                                                                                                                          2.5

-BV DSS , (Normalized)                                                                                                                                                         2.0
  Drain-Source Breakdown Voltage
                                  1.1                                                                                                            DS(ON) R , (Normalized)
                                                                                                                                                   Drain-Source On-Resistance
                                                                                                                                                                               1.5

                                  1.0

                                                                                                                                                                               1.0

                                  0.9                                                                        Notes :

                                                                                                            1.   VIDG=S =-2050V  A                                             0.5                                                                          Notes :
                                                                                                            2.                                                                                                                                               1. VGS = -10 V
                                                                                                                                                                               0.0                                                                           2. ID = -3.3 A
                                                                                                                                                                                 -100
                                  0.8                                                                                                                                                                              -50      0        50               100  150               200

                                  -100    -50                              0               50       100          150                        200

                                               TJ, Junction Temperature [oC]                                                                                                                                                TJ, Junction Temperature [oC]

                                       Figure 7. Breakdown Voltage Variation                                                                                                                               Figure 8. On-Resistance Variation
                                                       vs. Temperature                                                                                                                                                 vs. Temperature

                                                                                                                                                                                                       6

                                                                              Operation in This Area                                                                                                   5
                                                                              is Limited by R
-ID, Drain Current [A]            101                                                                                                                                          -ID, Drain Current [A]  4
                                  100                                                                        DS(on)
                                  10-1                                                                                                                                                                 3
                                                                                                                 100 s
                                     100                                                                  1 ms
                                                                                                    10 ms
                                                                                             DC

                                                                                                                                                                                                       2

                                                Notes :                                                                                                                                                1

                                                 1. T = 25 oC
                                                          C

                                                 2. T = 150 oC
                                                          J

                                                 3. Single Pulse

                                                                                                                                                                                                       0

                                                                              101                           102                                                                                        25               50       75              100       125               150

                                               -V , Drain-Source Voltage [V]                                                                                                                                                T , Case Temperature []
                                                   DS                                                                                                                                                                         C

                                  Figure 9. Maximum Safe Operating Area                                                                                                                                    Figure 10. Maximum Drain Current
                                                                                                                                                                                                                   vs. Case Temperature

                                               Z (t), T herm al R esponse     100          D = 0.5                                                                                                          N otes :
                                                   JC                         1 0 -1                                                                                                                          1 . Z  JC(t) = 2 .5 5  /W M a x .
                                                                                            0 .2                                                                                                              2. D uty F a ctor, D = t1/t2
                                                                                            0 .1                                                                                                              3 . T JM - T C = P D M * Z  JC(t)
                                                                                           0 .05
                                                                                           0 .02                                                                                                               PDM
                                                                                           0 .01
                                                                                                                                                                                                                             t1
                                                                                                            sin g le p u ls e                                                                                                  t2

                                                                              1 0 -2                1 0 -4                          1 0 -3       1 0 -2                                                    1 0 -1           100                  101
                                                                                   1 0 -5

                                                                                                            t1, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]

                                                                                                    Figure 11. Transient Thermal Response Curve

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                                                                                                                                                                       Rev. B, December 2002
                                                Gate Charge Test Circuit & Waveform                                                                                   SFR9230B / SFU9230B

                                                       Same Type              VGS

                       50K                             as DUT                                                  Qg

12V             200nF                                                         -10V

                                                300nF

                                           VGS                           VDS           Qgs                      Qgd

                                                DUT

                -3mA

                                                                                                                   Charge

                                                Resistive Switching Test Circuit & Waveforms

                              VDS                        RL                                             t on                        t off
                                                                    VDD                                    tr
                       VGS                                                                      td(on)                     td(off)         tf
                RG                                     DUT
                                                                              VGS 10%

-10V

                                                                              VDS      90%

                                           Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms

                                                                 L                     EAS  =  --1--    L IAS2          BVDSS
                                                VDS                                             2                  --------------------

                                                 ID                                                                 BVDSS - VDD

                                                                                                               tp                   Time

                RG                                                  VDD       VDD                                                              VDS (t)

                                                                                                        ID (t)

-10V                                                   DUT                        IAS
                                                                              BVDSS
            tp

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                                                      Rev. B, December 2002
                                           Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms                                          SFR9230B / SFU9230B

                                                             +

                                                             VDS

                                                DUT          _

                                                I SD
                                                                                 L

                                                     Driver  Compliment of DUT
                                                RG                (N-Channel)

                                                                                                           VDD

                                           VGS                dv/dt controlled by RG

                                                             ISD controlled by pulse period

   VGS                                          D    =       --G--a--t-e--P--u--l-s-e---W---i-d-t-h--      10V
( Driver )                                                    Gate Pulse Period

    I SD                                                               Body Diode Reverse Current
( DUT )                                                                       IRM

    VDS                                                                                             di/dt
( DUT )                                        IFM , Body Diode Forward Current

                                                                 VSD

                                                             Body Diode                                    VDD

                                                             Forward Voltage Drop

                                                             Body Diode Recovery dv/dt

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                       Rev. B, December 2002
Package Dimensions                                                                                                                                SFR9230B / SFU9230B

(0.50)                                     6.60 0.20     D-PAK0.70 0.20                     2.30 0.10
                                           5.34 0.30                                         0.50 0.10
                                                       (0.50)
                                             (4.34)

0.80 0.20 0.60 0.20                                  2.70 0.20                 0.91 0.10  MIN0.55
                                                                6.10 0.20

                                                                      9.50 0.30

MAX0.96                                                  0.76 0.10               0.89 0.10  0.50 0.10
                                                                                              1.02 0.20
2.30TYP                                                2.30TYP                               2.30 0.20
[2.300.20]                                            [2.300.20]

                                                                                  6.60 0.20  (0.70)
                                                                                    (5.34)         (0.90)
                                                                                    (5.04)               (1.00)
                                                                                    (1.50)

                                                       9.50 0.30                 (2XR0.25)   (0.10) (3.05)
                                                             6.10 0.20

                                                                   2.70 0.20

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                                     0.76 0.10

                                                                                              Dimensions in Millimeters

                                                                                                                           Rev. B, December 2002
Package Dimensions (Continued)                                                                                               SFR9230B / SFU9230B

(0.50)                                     6.60 0.20     I-PAK           2.30 0.20
                                           5.34 0.20                      0.50 0.10
                                                       (0.50)
                                             (4.34)

0.60 0.20                                             0.70 0.20
                                                              6.10 0.20

0.80 0.10                                             1.80 0.20         16.10 0.30
                                                              9.30 0.30
MAX0.96
0.76 0.10                                              2.30TYP           0.50 0.10
                                                       [2.300.20]
2.30TYP
[2.300.20]

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                 Dimensions in Millimeters

                                                                                                      Rev. B, December 2002
TRADEMARKS

The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not
intended to be an exhaustive list of all such trademarks.

ACExTM         FACTTM                      ImpliedDisconnectTM  PACMANTM              SPMTM
ActiveArrayTM                              ISOPLANARTM          POPTM                 StealthTM
BottomlessTM   FACT Quiet seriesTM         LittleFETTM          Power247TM            SuperSOTTM-3
CoolFETTM      FAST                       MicroFETTM           PowerTrench          SuperSOTTM-6
CROSSVOLTTM    FASTrTM                     MicroPakTM           QFETTM                SuperSOTTM-8
DOMETM                                     MICROWIRETM          QSTM                  SyncFETTM
EcoSPARKTM     FRFETTM                     MSXTM                QT OptoelectronicsTM  TinyLogicTM
E2CMOSTM                                   MSXProTM             Quiet SeriesTM        TruTranslationTM
EnSignaTM      GlobalOptoisolatorTM        OCXTM                RapidConfigureTM      UHCTM
               GTOTM                       OCXProTM             RapidConnectTM        UltraFET
                                           OPTOLOGIC           SILENT SWITCHER      VCXTM
               HiSeCTM                     OPTOPLANARTM         SMART STARTTM
               I2CTM

Across the board. Around the world.TM
The Power FranchiseTM
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which, (a) are intended for surgical implant into the body, device or system whose failure to perform can be
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provided in the labeling, can be reasonably expected to
result in significant injury to the user.

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                                           Design             product development. Specifications may change in
                                                              any manner without notice.
Preliminary                                First Production
                                                              This datasheet contains preliminary data, and
No Identification Needed                   Full Production    supplementary data will be published at a later date.
                                                              Fairchild Semiconductor reserves the right to make
                                                              changes at any time without notice in order to improve
                                                              design.

                                                              This datasheet contains final specifications. Fairchild
                                                              Semiconductor reserves the right to make changes at
                                                              any time without notice in order to improve design.

Obsolete                                   Not In Production  This datasheet contains specifications on a product
                                                              that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
                                                              The datasheet is printed for reference information only.

2002 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                               Rev. I1
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