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SFU9210

器件型号:SFU9210
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厂商名称:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/
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SFU9210器件文档内容

Advanced Power MOSFET                                                          SFR/U9210

FEATURES                                                                    BVDSS = -200 V
                                                                            RDS(on) = 3.0
    Avalanche Rugged Technology                                             ID = -1.6 A
    Rugged Gate Oxide Technology
    Lower Input Capacitance                                                    D-PAK I-PAK
    Improved Gate Charge
    Extended Safe Operating Area                                                        2
    Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V
    Lower RDS(ON) : 2.084  (Typ.)

                                                                            1              1

                                                                               3              2
                                                                                               3

                                                                               1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol                                     Characteristic                       Value             Units
  VDSS                                                                         -200                 V
    ID     Drain-to-Source Voltage                                              -1.6
   IDM                                                                         -1.08                 A
   VGS     Continuous Drain Current (TC=25oC)                                   -6.4
   EAS     Continuous Drain Current (TC=100oC)                                 +_ 30                 A
    IAR                                                                         119                  V
   EAR     Drain Current-Pulsed                                   O1            -1.6               mJ
  dv/dt                                                                         1.9                  A
           Gate-to-Source Voltage                                               -5.0               mJ
    PD                                                                          2.5               V/ns
           Single Pulsed Avalanche Energy                         O2             19                 W
TJ , TSTG                                                                      0.15                 W
           Avalanche Current                                      O1                              W/oC
    TL                                                                    - 55 to +150
           Repetitive Avalanche Energy                            O1                                oC
                                                                                300
           Peak Diode Recovery dv/dt                              O3

           Total Power Dissipation (TA=25oC) *
           Total Power Dissipation (TC=25oC)

           Linear Derating Factor

           Operating Junction and

           Storage Temperature Range

           Maximum Lead Temp. for Soldering

           Purposes, 1/8"from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol                                     Characteristic             Typ.        Max.            Units
                                                                                  6.58            oC/W
RJC                                        Junction-to-Case           --           50
RJA                                                                               110
RJA                                        Junction-to-Ambient *      --

                                           Junction-to-Ambient        --

* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

                                                                                                  Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation
SFR/U9210                                                                     P-CHANNEL
                                                                            POWER MOSFET

Electrical Characteristics (TC=25oC unless otherwise specified)

Symbol      Characteristic                   Min. Typ. Max. Units           Test Condition
BVDSS
            Drain-Source Breakdown Voltage   -200 --         -- V           VGS=0V,ID=-250A
BV/TJ       Breakdown Voltage Temp. Coeff.     -- -0.2       -- V/oC        ID=-250A See Fig 7
VGS(th)    Gate Threshold Voltage                         -4.0 V           VDS=-5V,ID=-250A
            Gate-Source Leakage , Forward    -2.0 --       -100 nA          VGS=-30V
   IGSS     Gate-Source Leakage , Reverse      -- --       100              VGS=30V
                                               -- --       -10              VDS=-200V
   IDSS     Drain-to-Source Leakage Current    -- --       -100 A          VDS=-160V,TC=125oC
                                               -- --
RDS(on)    Static Drain-Source                            3.0              VGS=-10V,ID=-0.8A     O4
            On-State Resistance               -- --
    gfs
   Ciss     Forward Transconductance         -- 1.0 --           VDS=-40V,ID=-0.8A                O4
   Coss     Input Capacitance
   Crss     Output Capacitance               -- 220 285                VGS=0V,VDS=-25V,f =1MHz
   td(on)   Reverse Transfer Capacitance                        pF
                                             --        45  65               See Fig 5
     tr
   td(off)                                   -- 16 25

     tf     Turn-On Delay Time               -- 10 30                       VDD=-100V,ID=-1.75A,
    Qg      Rise Time
   Qgs      Turn-Off Delay Time              -- 20 50
   Qgd      Fall Time                        -- 27 65 ns RG=18
                                                                            See Fig 13 O4 O5
                                             -- 12 35

            Total Gate Charge                -- 9 11                        VDS=-160V,VGS=-10V,
            Gate-Source Charge
            Gate-Drain(Miller) Charge    -- 1.8 -- nC ID=-1.75A

                                             -- 4.8 --                      See Fig 6 & Fig 12 O4 O5

Source-Drain Diode Ratings and Characteristics

Symbol                   Characteristic      Min. Typ. Max. Units           Test Condition
    IS      Continuous Source Current
   ISM      Pulsed-Source Current                  --  -- -1.6  A           Integral reverse pn-diode
  VSD       Diode Forward Voltage
    trr     Reverse Recovery Time          O1 --       -- -6.4              in the MOSFET
   Qrr      Reverse Recovery Charge
                                           O4 -- -- -4.0 V TJ=25oC,IS=-1.6A,VGS=0V

                                             -- 110 -- ns TJ=25oC,IF=-1.75A

                                             -- 0.42 -- C diF/dt=100A/s                         O4

Notes ;

O1 Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
O2 L=70mH, IAS=-1.6A, VDD=-50V, RG=27*, Starting TJ =25oC
O3 ISD <_-1.75A, di/dt <_ 250A/s, VDD <_BVDSS , Starting TJ =25oC
O4 Pulse Test : Pulse Width = 250 s, Duty Cycle <_ 2%
O5 Essentially Independent of Operating Temperature

1999 Fairchild Semiconductor Corporation
                                  P-CHANNEL                                                                                                                          SFR/U9210
                                POWER MOSFET
                                                                                                                                                               Fig 2. Transfer Characteristics
                                                    Fig 1. Output Characteristics

                                      V GS

-ID , Drain Current [A]               Top : - 15 V                                                             -ID , Drain Current [A]

                                      - 10 V

                                      - 8.0 V

                                      - 7.0 V

                                      - 6.0 V

                                      - 5.5 V

                         100          - 5.0 V

                                      Bottom : - 4.5 V                                                                                           100

                                                                                                                                                               150 oC

                                                                                                                                                               25 oC                            @ Notes :
                                                                                                                                                                                                  1. VGS = 0 V
                         10-1                                   @ Notes :                                                                                                     - 55 oC             2. VDS = -40 V
                            10-1                                                                                                                                                                  3. 250 s Pulse Test
                                                                  1. 250 s Pulse Test
                                                                  2. TC = 25 oC

                                                           100                           101                                                     10-1  2                 4                   6       8                  10

                                                        -VDS , Drain-Source Voltage [V]                                                                               -VGS , Gate-Source Voltage [V]

RDS(on) , []                           Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current                                  -IDR , Reverse Drain Current [A]           Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
    Drain-Source On-Resistance
                                10

                                8

                                6                                                                                                                100
                                                              VGS = -10 V

                                4

                                2                                                                                                                                        150 oC                 @ Notes :
                                                                                                                                                                              25 oC               1. VGS = 0 V
                                                                                                                                                                                                  2. 250 s Pulse Test
                                                                           VGS = -20 V @ Note : TJ = 25 oC

                                0                                                                                                                10-1

                                   0  1                 2  3               4    5        6                  7                                             0.5            1.0            1.5     2.0     2.5             3.0

                                                        -ID , Drain Current [A]                                                                                       -VSD , Source-Drain Voltage [V]

                                      Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage                                                                         Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage

                                400                             Ciss= Cgs+ Cgd ( Cds= shorted )                -VGS , Gate-Source Voltage [V]                            V = -40 V
                                                                C =C +C                                                                                                  DS
                                             C iss                                                                                               10
Capacitance [pF]                300                              oss ds gd                                                                                               VDS = -100 V

                                                                C =C

                                                                 rss gd

                                                                                                                                                                         V = -160 V

                                                                                                                                                                          DS

                                             C oss                              @ Notes :                                                        5
                                200                                               1. VGS = 0 V
                                                                                  2. f = 1 MHz
                                             C rss
                                100

                                                                                                                                                                                                @ Notes : ID =-1.75 A

                                0                                                                                                                0
                                100                                        101
                                                                                                                                                       0              2              4          6       8               10

                                                        -VDS , Drain-Source Voltage [V]                                                                                  QG , Total Gate Charge [nC]

1999 Fairchild Semiconductor Corporation
                         SFR/U9210                                                                                                                                                               P-CHANNEL
                                                                                                                                                                                               POWER MOSFET

-BVDSS , (Normalized)                     Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature                                  RDS(on) , (Normalized)                    Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
    Drain-Source Breakdown Voltage                                                                                      Drain-Source On-Resistance
                                    1.2                                                                                                             3.0

                                                                                                                                                    2.5

                                    1.1

                                                                                                                                                    2.0

                                    1.0                                                                                                             1.5

                                                                                                                                                    1.0

                                    0.9                                               @ Notes :                                                                                                      @ Notes :

                                                                                      1. VGS = 0 V                                                  0.5                                              1. VGS = -10 V

                                                                                      2. ID = -250 A                                                                                                2. ID = -0.9 A

                                    0.8                                                                                                             0.0
                                       -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175                                                                          -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175

                                                       TJ , Junction Temperature [oC]                                                                                  TJ , Junction Temperature [oC]

-ID , Drain Current [A]                   Fig 9. Max. Safe Operating Area                                                                            Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature

                                                                                                                                                    2.0

                                          Operation in This Area                                                    -ID , Drain Current [A]

                                    101   is Limited by R DS(on)

                                                                                                                                                    1.6

                                                                                                     0.1 ms                                         1.2
                                                                                                 1 ms
                                    100                                                    10 ms
                                                                                      DC

                                          @ Notes :                                                                                                 0.8

                                          1. TC = 25 oC

                                    10-1  2. TJ = 150 oC                                                                                            0.4

                                          3. Single Pulse

                                    100                             101                      102                                                    0.0           50               75          100     125           150
                                                                                                                                                       25

                                          -VDS , Drain-Source Voltage [V]                                                                                                  Tc , Case Temperature [oC]

                                                                                                      Fig 11. Thermal Response

                                                                    101

                                          Z (t) , Thermal Response             D=0.5                                                                       @ Notes :

                                            JC                                  0.2                                                                        1.    Z   J  C  (t)=6.58     o C/W  Max.
                                                                     100
                                                                                                                                                                  
                                                                                0.1
                                                                              0.05                                                                         2. Duty Factor, D=t1 /t2

                                                                              0.02                                                                         3. TJ M -TC =PD M *Z J C (t)
                                                                              0.01
                                                                    10- 1                                                                                  P.DM

                                                                                                                                                                           t1.
                                                                                                                                                                              t2.

                                                                                      single pulse

                                                                    10- 5             10- 4                  10- 3  10- 2                                  10- 1                   100         101

                                                                                      t1 , Square Wave Pulse Duration [sec]

1999 Fairchild Semiconductor Corporation
        P-CHANNEL                                                              SFR/U9210
      POWER MOSFET
                                                  Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform

            " Current Regulator "                                                   VGS

                                  50K                 Same Type                                                Qg
                                                        as DUT                                                 Qgd

12V         200nF                                                                   -10V                          Charge

                                           300nF

                                                                               VDS           Qgs

                                  VGS

                                                      DUT

      -3mA

                                       R1                  R2

                                  Current Sampling (IG) Current Sampling (ID)

                                  Resistor               Resistor

                                            Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms

                     Vout                             RL                                             t on                          t off
                  Vin
            RG                                                  VDD                          td(on)        tr             td(off)         tf

                                                               ( 0.5 rated VDS )    Vin 10%

                                            DUT

-10V

                                                                                    Vout     90%

                                  Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms

                                                  LL                                         EAS =   --1--     LL IAS2       BVDSS
                                                  ID                                                  2                 --------------------
                     VDS
Vary tp to obtain                                                                                                        BVDSS -- VDD
required peak ID
                                                                                                                tp                            Time
            RG
                                                                                    VDD                                                             VDS (t)
                                                                                                        ID (t)
                                                      C            VDD

                                            DUT

-10V                                                                                    IAS
                                                                                    BVDSS
                              tp

1999 Fairchild Semiconductor Corporation
SFR/U9210                                                                                                   P-CHANNEL
                                                                                                          POWER MOSFET

            Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms

                                               DUT          +
                                                    IS     VDS
                                                            --
            VGS                                Driver
                                                                            L
                                           RG                                                             VDD
                                                        Compliment of DUT
VGS                                                          (N-Channel)
                                                            dv/dt controlled by "RG"
                                                            IS controlled by Duty Factor "D"

   VGS                                         D = --G--a-t-e--P--u-l-s-e---W--i-d--t-h----
( Driver )                                              Gate Pulse Period                                 10V

    IS                                                                Body Diode Reverse Current
( DUT )                                                                     IRM
                                                                                                   di/dt
   VDS
( DUT )                                       IFM , Body Diode Forward Current
                                                                Vf

                                                        Body Diode                                        VDD

                                                        Forward Voltage Drop

                                                        Body Diode Recovery dv/dt

1999 Fairchild Semiconductor Corporation
TRADEMARKS

The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.

       ACExTM                                      ISOPLANARTM              UHCTM
       CoolFETTM                                   MICROWIRETM              VCXTM
       CROSSVOLTTM                                 POPTM
       E2CMOSTM                                    PowerTrenchTM
       FACTTM                                      QSTM
       FACT Quiet SeriesTM                         Quiet SeriesTM
       FAST                                       SuperSOTTM-3
       FASTrTM                                     SuperSOTTM-6
       GTOTM                                       SuperSOTTM-8
       HiSeCTM                                     TinyLogicTM

DISCLAIMER

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER
NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD
DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT
OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT
RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.

LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILD'S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT

DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.

As used herein:

1. Life support devices or systems are devices or           2. A critical component is any component of a life

systems which, (a) are intended for surgical implant into   support device or system whose failure to perform can

the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose      be reasonably expected to cause the failure of the life

failure to perform when properly used in accordance         support device or system, or to affect its safety or

with instructions for use provided in the labeling, can be  effectiveness.
reasonably expected to result in significant injury to the

user.

PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms

Datasheet Identification    Product Status                                                  Definition
Advance Information         Formative or
                            In Design                       This datasheet contains the design specifications for
Preliminary                                                 product development. Specifications may change in
                            First Production                any manner without notice.

No Identification Needed    Full Production                 This datasheet contains preliminary data, and
                                                            supplementary data will be published at a later date.
                                                            Fairchild Semiconductor reserves the right to make
                                                            changes at any time without notice in order to improve
                                                            design.

                                                            This datasheet contains final specifications. Fairchild
                                                            Semiconductor reserves the right to make changes at
                                                            any time without notice in order to improve design.

Obsolete                    Not In Production               This datasheet contains specifications on a product
                                                            that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
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