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SD1730

器件型号:SD1730
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厂商名称:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
厂商官网:http://www.st.com/
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SD1730器件文档内容

                                                           SD1730 (TH560)

         RF & MICROWAVE TRANSISTORS

                                                   HF SSB APPLICATIONS

........OPTIMIZED FOR SSB                                  .500 4 LFL (M174)
   30 MHz                                                       epoxy sealed
   28 VOLTS
   IMD -30dB
   EFFICIENCY 40%
   COMMON EMITTER
   GOLD METALLIZATION
  POUT = 220 W PEP WITH 12 dB GAIN

                                                   ORDER CODE                B RA ND IN G

                                                   SD1730                     TH560

                                                   PIN CONNECTION

DESCRIPTION                                        1. Collector         3. Base
                                                   2. Emitter           4. Emitter
The SD1730 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar
transistor designed primarily for SSB and VHF
communications. The devices utlizes emitter bal-
lasting for improved ruggedness and reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C)

Symb ol  Parameter                                               Value              Unit

VCBO     Collector-Base Voltage                                  70                 V
VCEO     Collector-Emitter Voltage
VEBO     Emitter-Base Voltage                                    35                 V
         Device Current
  IC     Power Dissipation                                       4.0                V
PDISS    Junction Temperature
         Storage Temperature                                     16                 A
  TJ
TSTG                                                             320                W

                                                                 +200               C

                                                               - 65 to +150         C

THERMAL DATA                                                     0.6                C/W
      RTH(j-c) Junction-Case Thermal Resistance
                                                                                           1/6
September 7, 1994
SD1730 (TH560)

ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25C)
STATIC

S ymb o l                    Test Conditions                          Value  Unit
                                                            Min. Typ. Max.

BVCES      IC = 100 mA       VBE = 0 V                      70 -- --         V
BVCEO      IC = 200 mA       IB = 0 mA
BVEBO      IE = 20 mA        IC = 0 mA                      35 -- --         V
           VCE = 30 V        IE = 0 mA
ICEO      VCE = 35 V        IE = 0 mA                      4.0 -- --        V
ICES      VCE = 5 V         IC = 7 A
  hFE                                                       -- -- 5 mA

                                                            -- -- 5 mA

                                                            15 -- 60 --

DYNAMIC

S ymb o l                    Test Conditions                         V al u e
                                                                                             Unit
     POUT  f = 30 MHz        VCE = 28 V       ICQ = 750 mA
     PG*   POUT = 220 W PEP  VCE = 28 V       ICQ = 750 mA  Min . Typ. Max.
     IMD*  POUT = 220 W PEP  VCE = 28 V       ICQ = 750 mA
      c*   POUT = 220 W PEP  VCE = 28 V       ICQ = 750 mA  220 -- -- W
     COB   f = 1 MHz         VCB = 28 V                      12 -- -- dB
                                              ICQ = 750 mA   -- -- -30 dBc
   Load POUT = 220 W PEP VCE = 28 V                          40 -- -- %
Mismatch                                                     -- 450 -- pF
                                                             -- :1 -- VSWR

Note: * f1 = 30.00 MHz, f2 = 30.001 MHz

TYPICAL PERFORMANCE                           COLLECTOR EFFICIENCY vs POWER OUTPUT
       POWER OUTPUT PEP vs POWER INPUT                                  PEP

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                                                                SD1730 (TH560)

TYPICAL PERFORMANCE (cont'd)

                INTERMODULATION DISTORTION vs POWER OUTPUT PEP

                        POWER GAIN vs POWER OUTPUT

IMPEDANCE DATA

FREQ.           ZIN ()        ZCL ()
30 MHz
                1.15 + j 0.41 1.25 + j 1.92

                                                                3/6
SD1730 (TH560)

TEST CIRCUIT

     C1         : 180pF     L1 : 3 Turns, Diameter 10mm, 1.3mm Wire, Length 10mm
                            L2, L5 : Hair Pin Copper foil 40 x 5mm, 0.2mm Thick
     C2, C4, C6,            L3, L4 : Hair Pin Copper Foil 10 x 5mm, 0.2mm Thick
     C8, C10, C12           L6 : 5 Turns, Diameter 10mm, 1.3mm Wire, Length 15mm
     C14, C16 : Arco 428    L7 : 3 Turns, Diameter 10mm, 1.3mm Wire, Length 25mm
                            L8 : Choke
     C3         : 820pF     L9 : Choke
                            L10 : Choke
     C5, C13 : 680pF

     C7, C11 : 1.2nF

     C9         : 1.5nF
     C17, C22 : 470F, 40V

     C18        : 10nF

     C19, C21

     C23        : 1nF

     C20, C24 : 100nF, 63V

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              SD1730 (TH560)

BIAS CIRCUIT

              5/6
SD1730 (TH560)

PACKAGE MECHANICAL DATA
  Ref.: Dwg. No.12-0174 rev. A

Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsibili ty
for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result
from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of SGS-THOMSON Microelectron-
ics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all
information previously supplied. SGS-THOMSON Microelectronics products are not authorized for use as critical components in life
support devices or systems without express written approval of SGS-THOMSON Microelectronics.

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