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S9S08SC4E0MTG

器件型号:S9S08SC4E0MTG
器件类别:半导体    嵌入式处理器和控制器   
厂商名称:NXP
厂商官网:https://www.nxp.com
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器件描述

Schottky Diodes u0026 Rectifiers 60V 1A

参数

产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
8-bit Microcontrollers - MCU
制造商:
Manufacturer:
NXP
RoHS:YES
安装风格:
Mounting Style:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Package / Case:
TSSOP-16
系列:
Series:
S08SC4
Core:HCS08
Data Bus Width:8 bit
Maximum Clock Frequency:40 MHz
Program Memory Size:4 kB
Data RAM Size:256 B
Number of I/Os:12 I/O
工作电源电压:
Operating Supply Voltage:
4.5 V to 5.5 V
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 125 C
接口类型:
Interface Type:
SCI
封装:
Packaging:
Tube
商标:
Brand:
NXP / Freescale
Data RAM Type:RAM
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 40 C
Moisture Sensitive:Yes
Processor Series:S9S08SC4
Program Memory Type:Flash
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
96
单位重量:
Unit Weight:
0.002194 oz

S9S08SC4E0MTG器件文档内容

Freescale Semiconductor                                                            Document Number: MC9S08SC4

Data Sheet: Technical Data                                                                                      Rev. 4, 6/2010

MC9S08SC4 8-Bit                                                         MC9S08SC4

Microcontroller Data Sheet

                                                                                                                948F-01

8-Bit HCS08 Central Processor Unit (CPU)                          •  Breakpoint capability to allow single breakpoint setting

•  Up to 40 MHz HCS08 CPU (central processor unit); up               during in-circuit debugging

   to 20 MHz bus frequency                                        Peripherals

•  HC08 instruction set with added BGND instruction               •  SCI — Serial Communication Interface

On-Chip Memory                                                       —  Full-duplex non-return to zero (NRZ)

•  4 KB of FLASH with read/program/erase over full                   —  LIN master extended break generation

   operating voltage and temperature                                 —  LIN slave extended break detection

•  256 bytes of Random-access memory (RAM)                           —  Wake-up on active edge

Power-Saving Modes                                                •  TPMx — Two 2-channel Timer/PWM modules (TPM1

•  Two very low power stop modes                                     and TPM2)

•  Reduced power wait mode                                           —  16-bit modulus or up/down counters

Clock Source Options                                                 —  Input capture, output compare, buffered

•  Oscillator (XOSC) — Loop-control Pierce oscillator;                  edge-aligned or center-aligned PWM

   Crystal or ceramic resonator range of 32 kHz to 38.4 kHz       •  ADC — Analog to Digital Converter

   or 1 MHz to 16 MHz                                                —  8-channel, 10-bit resolution

•  Internal Clock Source (ICS) — Internal clock source               —  2.5 μs conversion time

   module containing a frequency-locked loop (FLL)                   —  Automatic compare function

   controlled by internal or external reference; precision           —  Temperature sensor

   trimming of internal reference allows 0.2 % resolution            —  Internal bandgap reference channel

   and 2.0 % deviation over temperature and voltage;              Input/Output

   supports bus frequencies from 2 MHz to 20 MHz.

System Protection                                                 •  12 general purpose I/O pins (GPIOs)

•  Watchdog computer operating properly (COP) reset with          •  8 interrupt pins with selectable polarity

   option to run from dedicated 1 kHz internal clock source       •  Hysteresis and configurable pull-up device on all input

   or bus clock                                                      pins; Configurable slew rate and drive strength on all

•  Low-voltage detection with reset or interrupt; selectable         output pins.

   trip points                                                    Package Options

•  Illegal opcode detection with reset                            •  16-TSSOP

•  Illegal address detection with reset                           Operating Parameters

•  FLASH block protect                                            •  4.5-5.5 V operation

•  Reset on loss of clock                                         •  C,V, M temperature ranges available, covering -40 -

Development Support                                                  125 °C operation

•  Single-wire background debug interface

Freescale reserves the right to change the detail specifications as may be required to permit

improvements in the design of its products.

© Freescale Semiconductor, Inc., 2009-2010. All rights reserved.
           Table of                                                                                      Contents

Chapter 1                                                                                                3.9        Internal Clock Source (ICS) Characteristics                 .  .  .  .  .  .  .  .  18

   Device Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .     .  .  .  .  .  .  .  .  . .3  3.10       ADC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . .     .  .  .  .  .  .  .  .  19

   1.1     MCU Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . .           .  .  .  .  .  .  .  .  . .3  3.11       AC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  .  .  .  .  .  .  .  .  21

Chapter 2                                                                                                           3.11.1 Control Timing . . . . . . . . . . . . . . . . .     .  .  .  .  .  .  .  .  21

   Pins and Connections. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .         .  .  .  .  .  .  .  .  . .5             3.11.2 TPM Module Timing . . . . . . . . . . . . .          .  .  .  .  .  .  .  .  22

   2.1     Device Pin Assignment . . . . . . . . . . . . . . . .           .  .  .  .  .  .  .  .  . .5  3.12       Flash Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . .   .  .  .  .  .  .  .  .  23

Chapter 3                                                                                                3.13       EMC Performance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .     .  .  .  .  .  .  .  .  24

   Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . .        .  .  .  .  .  .  .  .  . .7             3.13.1 Radiated Emissions . . . . . . . . . . . . .         .  .  .  .  .  .  .  .  24

   3.1     Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  .  .  .  .  .  .  .  .  . .7  Chapter 4

   3.2     Parameter Classification . . . . . . . . . . . . . . .          .  .  .  .  .  .  .  .  . .7  Ordering Information and Mechanical Drawings . .                       .  .  .  .  .  .  .  .  25

   3.3     Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . .                .  .  .  .  .  .  .  .  . .7  4.1        Ordering Information . . . . . . . . . . . . . . . . . .    .  .  .  .  .  .  .  .  25

   3.4     Thermal Characteristics . . . . . . . . . . . . . . .           .  .  .  .  .  .  .  .  . .8             4.1.1  Device Numbering Scheme . . . . . . .                .  .  .  .  .  .  .  .  25

   3.5     ESD Protection and Latch-Up Immunity . . .                      .  .  .  .  .  .  .  .  . .9  4.2        Package Information . . . . . . . . . . . . . . . . . .     .  .  .  .  .  .  .  .  25

   3.6     DC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . .        .  .  .  .  .  .  .  .  .10   4.3        Mechanical Drawings. . . . . . . . . . . . . . . . . .      .  .  .  .  .  .  .  .  25

   3.7     Supply Current Characteristics . . . . . . . . . .              .  .  .  .  .  .  .  .  .13   Chapter 5

   3.8     External Oscillator (XOSC) Characteristics                      .  .  .  .  .  .  .  .  .16   Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .   .  .  .  .  .  .  .  .  29

           MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

2                                                                                                                          Freescale Semiconductor
Chapter 1

Device Overview

The MC9S08SC4 is a member of the low-cost, high-performance HCS08 Family of 8-bit microcontroller units (MCUs). The

MC9S08SC4 uses the enhanced HCS08 core.

1.1    MCU Block Diagram

The block diagram in Figure 1-1 shows the structure of the MC9S08SC4 MCU.

           HCS08 CORE                                                                               PTA3/PIA3/ADP3

                                                                                  PORT A            PTA2/PIA2/ADP2

BKGD/MS

         CPU                 BDC                                                                    PTA1/PIA1/TPM2CH0/ADP1

RESET                                                                                               PTA0/PIA0/TPM1CH0/TCLK/ADP0

                                                                 TCLK

         HCS08 SYSTEM CONTROL            16-BIT TIMER/PWM        TPM1CH0

         RESETS AND INTERRUPTS                 MODULE (TPM1)     TPM1CH1

         MODES OF OPERATION                                                                         PTB7/EXTAL

         POWER MANAGEMENT                                        TCLK                               PTB6/XTAL

                                         16-BIT TIMER/PWM        TPM2CH0                            PTB5/TPM1CH1

           COP               LVD               MODULE (TPM2)     TPM2CH1          PORT B            PTB4/TPM2CH1

                                                                 RxD                                PTB3/PIB3/ADP7

           USER FLASH                    SERIAL COMMUNICATIONS   TxD                                PTB2/PIB2/ADP6

         (MC9S08SC4 = 4096 BYTES)        INTERFACE MODULE (SCI)                                     PTB1/PIB1/TxD/ADP5

                                                                                                    PTB0/PIB0/RxD/ADP4

           USER RAM

         (MC9S08SC4 = 256 BYTES)                SEE  NOTE 1

                                                VDD

         40-MHz INTERNAL CLOCK                                   VOLTAGE

           SOURCE (ICS)                         VSS             REGULATOR                           10-BIT                    ADP7-ADP0

                                                                                                    ANALOG-TO-DIGITAL

         LOW-POWER OSCILLATOR            EXTAL           VDDA                                       CONVERTER (ADC)

         32 kHz to 38.4 kHz              XTAL            VSSA

         1 MHz to 16 MHz                                 VREFH

                                                         VREFL

                                                     NOTES

                                                     1:          VDDA/VREFH  and  VSSA/VREFL,  are  derived from VDD and VSS  respectively.

                                   Figure 1-1. MC9S08SC4 Block Diagram

                                   MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                                      3
Chapter  1  Device  Overview

                              MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

4                                                                      Freescale Semiconductor
Chapter 2

Pins and Connections

This section describes signals that connect to package pins. It includes pinout diagrams, recommended  system  connections,  and

detailed discussions of signals.

2.1  Device Pin Assignment

The following figure shows the pin assignments for the MC9S08SC4 device.

                                     RESET     1              16    PTA0/PIA0/TPM1CH0/TCLK/ADP0

                                     BKGD/MS   2              15    PTA1/PIA1/TPM2CH0/ADP1

                                     VDD       3              14    PTA2/PIA2/ADP2

                                     VSS       4              13    PTA3/PIA3/ADP3

                         PTB7/EXTAL            5              12    PTB0/PIB0/RxD/ADP4

                                  PTB6/XTAL    6              11    PTB1/PIB1/TxD/ADP5

                         PTB5/TPM1CH1          7              10    PTB2/PIB2/ADP6

                         PTB4/TPM2CH1          8              9     PTB3/PIB3/ADP7

                                              Table 2-1. Pin  Function Priority

                         Pin                                      Priority

                         Number      Lowest                                              Highest

                         16-pin      Port Pin     Alt 1            Alt 2         Alt  3      Alt 4

                                  1                                                      RESET

                                  2                                         BKGD         MS

                                  3                                                      VDD

                                  4                                                      VSS

                                  5  PTB7                     EXTAL

                                  6  PTB6                     XTAL

                                  7  PTB5         TPM1CH1

                                  8  PTB4         TPM2CH1

                                  9  PTB3         PIB3                                   ADP7

                         10          PTB2         PIB2                                   ADP6

                         11          PTB1         PIB1        TxD                        ADP5

                                       MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                      5
Chapter  2  Pins  and  Connections

                                    Table 2-1. Pin Function Priority  (continued)

                       Pin                           Priority

                       Number       Lowest                                         Highest

                       16-pin       Port Pin  Alt 1       Alt 2       Alt 3        Alt 4

                       12           PTB0      PIB0   RxD                           ADP4

                       13           PTA3      PIA3                                 ADP3

                       14           PTA2      PIA2                                 ADP2

                       15           PTA1      PIA1   TPM2CH0                       ADP1

                       16           PTA0      PIA0   TPM1CH0          TCLK         ADP0

                                    MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

6                                                                                           Freescale Semiconductor
Chapter 3

Electrical Characteristics

3.1     Introduction

This section contains electrical and timing specifications for the MC9S08SC4 Series of microcontrollers available at the time

of publication.

3.2     Parameter Classification

The electrical parameters shown in this supplement are guaranteed by various methods. To give the customer a better

understanding the following classification is used and the parameters are tagged accordingly in the tables where appropriate:

                               Table 3-1. Parameter Classifications

     P           Those parameters are guaranteed during production testing on each individual device.

     C           Those parameters are achieved by the design characterization by measuring a statistically relevant

                 sample size across process variations.

                 Those parameters are achieved by design characterization on a small sample size from typical devices

     T           under typical conditions unless otherwise noted. All values shown in the typical column are within this

                 category.

     D           Those parameters are derived mainly from simulations.

                                                            NOTE

                 The classification is shown in the column labeled “C” in the parameter tables where

                 appropriate.

3.3     Absolute Maximum Ratings

Absolute maximum ratings are stress ratings only, and functional operation at the maxima is not guaranteed. Stress beyond the

limits specified in Table 3-2 may affect device reliability or cause permanent damage to the device. For functional operating

conditions, refer to the remaining tables in this section.

This device contains circuitry protecting against damage due to high static voltage or electrical fields; however, it is advised

that normal precautions be taken to avoid application of any voltages higher than maximum-rated voltages to this

high-impedance circuit. Reliability of operation is enhanced if unused inputs are tied to an appropriate logic voltage level (for

instance, either VSS or VDD) or the programmable pull-up resistor associated with the pin is enabled.

                               MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                            7
Chapter 3 Electrical Characteristics

                                      Table 3-2. Absolute Maximum Ratings

                                      Rating                        Symbol           Value                 Unit

             Supply voltage                                               VDD        –0.3 to +5.8             V

             Maximum current into VDD                                     IDD        120                     mA

             Digital input voltage                                        VIn        –0.3 to VDD + 0.3        V

             Instantaneous maximum current                                ID         ± 25                    mA

             Single pin limit (applies to all port pins)1, 2, 3

             Storage temperature range                                    Tstg       –55 to 150               °C

          1  Input must be current limited to the value specified. To determine the value of the required

             current-limiting resistor, calculate resistance values for positive (VDD) and negative (VSS) clamp

             voltages, then use the larger of the two resistance values.

          2  All functional non-supply pins are internally clamped to VSS and VDD.

          3  Power supply must maintain regulation within operating VDD range during instantaneous and

             operating maximum current conditions. If positive injection current (VIn > VDD) is greater than

             IDD, the injection current may flow out of VDD and could result in external power supply going

             out of regulation. Ensure external VDD load will shunt current greater than maximum injection

             current. This will be the greatest risk when the MCU is not consuming power. Examples are: if

             no system clock is present, or if the clock rate is very low (which would reduce overall power

             consumption).

3.4  Thermal Characteristics

This section provides information about operating temperature range, power dissipation, and package thermal resistance. Power

dissipation on I/O pins is usually small compared to the power dissipation in on-chip logic and voltage regulator circuits, and

it is user-determined rather than being controlled by the MCU design. To take PI/O into account in power calculations, determine

the difference between actual pin voltage and VSS or VDD and multiply by the pin current for each I/O pin. Except in cases of

unusually high pin current (heavy loads), the difference between pin voltage and VSS or VDD will be very small.

                                        Table 3-3. Thermal Characteristics

     Num     C                                Rating                      Symbol           Value                  Unit

     1       —  Operating temperature range (packaged)                               TL to TH

                                                                 C              TA   –40 to 85                    °C

                                                                 V                   –40 to 105

                                                                 M                   –40 to 125

                Maximum junction temperature                                                —

     2       D                                                   C             TJM          95                    °C

                                                                 V                          115

                                                                 M                          135

                Thermal resistance 1,2

                             Single-layer board

     3       D                                        16-pin TSSOP              θJA         130                   °C/W

                Thermal resistance1,2

                             Four-layer board

     4       D                                        16-pin TSSOP              θJA         87                    °C/W

                                      MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

8                                                                                                       Freescale Semiconductor
                                                                                         Chapter 3 Electrical Characteristics

        1  Junction temperature is a function of die size, on-chip power dissipation, package thermal resistance, mounting

           site (board) temperature, ambient temperature, air flow, power dissipation of other components on the board,

           and board thermal resistance.

        2  Junction to Ambient Natural Convection

The average chip-junction temperature (TJ) in °C can be obtained from:

                                            TJ = TA + (PD × θJA)                                                            Eqn. 3-1

where:

     TA = Ambient temperature, °C

     θJA = Package thermal resistance, junction-to-ambient, °C/W

     PD = Pint + PI/O

     Pint = IDD × VDD, Watts — chip internal power

     PI/O = Power dissipation on input and output pins — user determined

For most applications, PI/O << Pint and can be neglected. An approximate relationship between PD and TJ (if PI/O is neglected)

is:

                                            PD = K ÷ (TJ + 273°C)                                                           Eqn. 3-2

Solving Equation 3-1 and Equation 3-2 for K gives:

                                 K = PD     × (TA + 273°C) + θJA × (PD)2                                                    Eqn. 3-3

where K is a constant pertaining to the particular part. K can be determined from equation 3 by measuring PD (at equilibrium)

for a known TA. Using this value of K, the values of PD and TJ can be obtained by solving Equation 3-1 and Equation 3-2

iteratively for any value of TA

3.5        ESD Protection and Latch-Up Immunity

Although damage from electrostatic discharge (ESD) is much less common on these devices than on early CMOS circuits,

normal handling precautions should be used to avoid exposure to static discharge. Qualification tests are performed to ensure

that these devices can withstand exposure to reasonable levels of static without suffering any permanent damage.

All ESD testing is in conformity with AEC-Q100 Stress Test Qualification for Automotive Grade Integrated Circuits. During

the device qualification ESD stresses were performed for the human body model (HBM) and the charge device model (CDM).

A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device specification. Complete

DC parametric and functional testing is performed per the applicable device specification at room temperature followed by hot

temperature, unless specified otherwise in the device specification.

                                 Table 3-4. ESD and Latch-up Test Conditions

           Model                 Description                          Symbol       Value  Unit

           Human         Series resistance                              R1         1500   Ω

           Body

                         Storage capacitance                            C          100    pF

                         Number of pulses per pin                       —          3      —

           Latch-up      Minimum input voltage limit                    —          –2.5   V

                         Maximum input voltage limit                    —          7.5    V

                                          MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                         9
Chapter 3 Electrical Characteristics

                           Table 3-5. ESD and Latch-Up Protection Characteristics

                 No.                     Rating1                      Symbol             Min         Max           Unit

                 1         Human body model (HBM)                     VHBM              ± 2000            —        V

                 2         Charge device model (CDM)                  VCDM              ± 500             —        V

                 3         Latch-up current at TA = 125°C             ILAT              ± 100             —        mA

        1  Parameter is achieved by design characterization on a small sample size from typical devices

           under typical conditions unless otherwise noted.

3.6     DC Characteristics

This section includes information about power supply requirements and I/O pin characteristics.

                                                Table 3-6. DC Characteristics

Num  C                Characteristic                      Symbol      Condition                 Min          Typ1        Max   Unit

4    —  Operating voltage                                 VDD               —                   4.5          —           5.5   V

     C                                   All I/O pins,             5  V, ILoad = –4 mA         VDD – 1.5     —           —

5    P  Output high                   low-drive strength  VOH      5  V, ILoad = –2 mA         VDD – 0.8     —           —     V

     C  voltage                          All I/O pins,             5  V, ILoad = –20 mA        VDD – 1.5     —           —

     P                     high-drive strength                     5  V, ILoad = –10 mA        VDD – 0.8     —           —

6    C  Output high                   Max total IOH for   IOHT        VOUT < VDD                0            —         –100    mA

        current                                all ports

     C                                   All I/O pins              5  V, ILoad = 4 mA           —            —           1.5

7    P  Output low                    low-drive strength  VOL      5  V, ILoad = 2 mA           —            —           0.8

     C  voltage                          All I/O pins              5  V, ILoad = 20 mA          —            —           1.5   V

     P                     high-drive strength                     5  V, ILoad = 10 mA          —            —           0.8

8    C  Output low        Max total IOL for all ports     IOLT        VOUT > VSS                0            —           100   mA

        current

9    P  Input high voltage; all digital inputs            VIH               5V                0.65 x VDD     —           —     V

10   P  Input low voltage; all digital inputs             VIL               5V                  —            —     0.35 x VDD  V

11   C  Input hysteresis                                  Vhys              —                 0.06 x VDD     —           —     V

12   P  Input leakage current (per pin)                   |IIn|       VIn = VDD or VSS          —            0.1         1     μA

     P  Hi-Z (off-state) leakage current (per pin)

13                         input/output port pins         |IOZ|       VIn = VDD or VSS,         —            0.1         1     μA

                           PTB6/XTAL,RESET                            VIn = VDD or VSS          —            0.2         2     μA

        Pull-up or Pull-down2 resistors; when

        enabled

14   P                                         I/O pins   RPU,RPD           —                   17           37          52    kΩ

     C                                         RESET3     RPU                                   17           37          52    kΩ

                                         MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

10                                                                                                           Freescale Semiconductor
                                                                                                        Chapter 3 Electrical Characteristics

                                            Table 3-6. DC Characteristics (continued)

Num    C                    Characteristic               Symbol            Condition    Min             Typ1                Max            Unit

       D  DC injection current 4, 5, 6, 7

                                       Single pin limit                     VIN > VDD   0               —                   2              mA

   15                                                    IIC               VIN < VSS,   0               —                   –0.2           mA

                            Total MCU limit, includes                       VIN > VDD   0               —                   25             mA

                            sum of all stressed pins                       VIN < VSS,   0               —                   –5             mA

   16  D  Input Capacitance, all pins                    CIn                —           —               —                   8              pF

   17  D  RAM retention voltage                          VRAM               —           —               0.6                 1.0            V

   18  D  POR re-arm voltage8                            VPOR               —           0.9             1.4                 2.0            V

   19  D  POR re-arm time9                               tPOR               —           10              —                   —              μs

       P  Low-voltage detection threshold —                                 —

   20     high range                                     VLVD1

                                            VDD falling                                 3.85            4.0                 4.15           V

                                            VDD rising                                  3.95            4.1                 4.25

          Low-voltage warning threshold —                                   —

   21  P  high range 1                                   VLVW3

                                            VDD falling                                 4.45            4.6                 4.75           V

                                            VDD rising                                  4.55            4.7                 4.85

          Low-voltage warning threshold —                                   —

   22  P  high range 0                                   VLVW2

                                            VDD falling                                 4.15            4.3                 4.45           V

                                            VDD rising                                  4.25            4.4                 4.55

   23  T  Low-voltage inhibit reset/recover              Vhys

          hysteresis                                                        —           —               100                 —              mV

   24  P  Bandgap Voltage Reference10                    VBG                —           1.17            1.20                1.22           V

1   Typical values are measured at 25°C. Characterized, not tested.

2   When a pin interrupt is configured to detect rising edges, pull-down resistors are used in place of pull-up resistors.

3   The specified resistor value is the actual value internal to the device. The pull-up value may measure higher when measured

    externally on the pin.

4   Power supply must maintain regulation within operating VDD range during instantaneous and operating maximum current

    conditions. If positive injection current (VIn > VDD) is greater than IDD, the injection current may flow out of VDD and could result

    in external power supply going out of regulation. Ensure external VDD load will shunt current greater than maximum injection

    current. This will be the greatest risk when the MCU is not consuming power. Examples are: if no system clock is present, or if

    clock rate is very low (which would reduce overall power consumption).

5   All functional non-supply pins are internally clamped to VSS and VDD.

6   Input must be current limited to the value specified. To determine the value of the required current-limiting resistor, calculate

    resistance values for positive and negative clamp voltages, then use the larger of the two values.

7   The RESET pin does not have a clamp diode to VDD. Do not drive this pin above VDD.

8   Maximum is highest voltage that POR will occur.

9   Simulated, not tested

10  Factory trimmed at VDD = 5.0 V, Temp = 25°C

                                            MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

   Freescale Semiconductor                                                                                                                     11
Chapter  3  Electrical  Characteristics

                                                  2

                                                          125°C         Max 1.5V@20mA

                                                          25°C

                                                          –40°C

                                         1.5

                                         VOL (V)  1

                                         0.5

                                                  0    0         5  10  15                20            25

                                                                    IOL (mA)

                                                                 a) VDD = 5V, High Drive

                                         Figure           3-1. Typical VOL vs IOL, High Drive Strength

                                                  2

                                                          125°C         Max 1.5V@4mA

                                                          25°C

                                                          –40°C

                                                  1.5

                                         VOL (V)  1

                                                  0.5

                                                  0    0         1  2         3           4             5

                                                                    IOL (mA)

                                                                 a) VDD = 5V, Low Drive

                                         Figure 3-2. Typical VOL vs IOL, Low Drive Strength

                                                       MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

12                                                                                                          Freescale Semiconductor
                                                                                          Chapter   3  Electrical  Characteristics

                                        2

                                              125°C      Max 1.5V@ –20mA

                                              25°C

                                              –40°C

                         1.5

                         VDD – VOH (V)  1

                         0.5

                                        0  0  –5         –10  –15             –20         –25

                                                         IOH (mA)

                                                     a) VDD = 5V, High Drive

                         Figure 3-3.          Typical VDD – VOH vs IOH, High Drive        Strength

                                        2

                                              125°C      Max 1.5V@ –4mA

                                              25°C

                                              –40°C

                         1.5

                         VDD – VOH (V)  1

                         0.5

                                        0  0         –1  –2        –3         –4          –5

                                                         IOH (mA)

                                                     a) VDD = 5V, Low Drive

                         Figure 3-4. Typical VDD – VOH vs IOH, Low Drive Strength

3.7  Supply Current Characteristics

This section includes information about power supply current in various operating modes.

                                           MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                            13
Chapter  3  Electrical Characteristics

                                            Table 3-7.  Supply Current Characteristics

               Num  C                       Parameter               Symbol       VDD                   Typ1  Max2               Unit

                                                                                 (V)

               1    C   Run supply current3 measured at             RIDD         5                     1.9   2.4                 mA

                        (CPU clock = 4 MHz, fBus = 2 MHz)

               2    P   Run supply current3 measured at             RIDD         5                     4.6   5.6                 mA

                        (CPU clock = 16 MHz, fBus = 8 MHz)

               3    C   Run supply current4 measured at             RIDD         5                     7.8   8.9                 mA

                        (CPU clock = 32 MHz, fBus = 16 MHz)

                    C                       –40 °C (C & M suffix)                                      0.71  —

                    P   Stop3 mode          25 °C (All parts)                                          0.93  —

               4    C5  supply current      85 °C (C suffix only)   S3I  DD      5                     4     11                  μA

                    C5                      105 °C (V suffix only)                                     9     30

                    P5                      125 °C (M suffix only)                                     28    60

               5    C                       –40 °C (C & M suffix)                                      0.70  —

                    P   Stop2 mode          25 °C (All parts)                                          0.89  —

                    C5  supply current      85 °C (C suffix only)   S2IDD        5                     3     8                   μA

                    C5                      105 °C (V suffix only)                                     6     22

                    P5                      125 °C (M suffix only)                                     17    41

               6    C   LVD adder to stop3 (LVDE = LVDSE = 1)       S3IDDLVD     5                     110   165                 μA

               7    C   Adder to stop3 for oscillator enabled6      S3I  DDOSC   5                     5     8                   μA

                        (EREFSTEN =1)

            1  Typical values are based on characterization data at 25 °C. See Figure 3-5 through Figure 3-7 for typical curves

               across voltage/temperature.

            2  Max values in this column apply for the full operating temperature range of the device unless otherwise noted.

            3  All modules except ADC active, ICS configured for FBE, and does not include any dc loads on port pins.

            4  All modules except ADC active, ICS configured for FEI, and does not include any dc loads on port pins.

            5  Stop currents are tested in production for 25 °C on all parts. Tests at other temperatures depend upon the part

               number suffix and maturity of the product. Freescale may eliminate a test insertion at a particular temperature

               from the production test flow once sufficient data has been collected and is approved.

            6  Values given under the following conditions: low range operation (RANGE = 0) with a 32.768 kHz crystal and low

               power mode (HGO = 0).

                                        MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

14                                                                                                        Freescale Semiconductor
                                                                                            Chapter  3 Electrical  Characteristics

                          10

                                    FEI

                                 FBELP

                          8

           Run IDD (mA)   6

                          4

                          2

                          0   0  1  2         4                8                   16                20

                                                                  fbus (MHz)

                                 Figure 3-5.  Typical  Run  IDD vs. Bus Frequency  (VDD  =  5V)

                          5

                          4

           Run IDD (mA)   3

                          2

                          1

                          0                                                                           125
                          –40                    0          25                     85       105

                                                            Temperature (°C)

                              Note: ICS is configured to FEI.

                         Figure 3-6. Typical Run IDD vs. Temperature (VDD     =    5V;  fbus = 8MHz)

                                         MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale  Semiconductor                                                                                           15
Chapter 3 Electrical Characteristics

                    50

                         STOP2

                         STOP3

                    40

     STOP IDD (µA)  30

                    20

                    10

                    0                                                               125
                    –40               0  25                 85                 105

                                         Temperature (°C)

                         Figure 3-7. Typical Stop IDD vs. Temperature (VDD = 5V)

3.8  External Oscillator (XOSC) Characteristics

                                             NOTE

     The MC9S08SC4 series supports a narrower low frequency external reference range than

     the standard ICS specification. All references to range "31.25 kHz to 39.0625 kHz" in this

     section should be limited to " 32.0 kHz to 38.4 kHz".

                                      MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

16                                                                                  Freescale Semiconductor
                                                                                                 Chapter 3 Electrical Characteristics

         Table 3-8. Oscillator Electrical Specifications (Temperature Range = –40 to 125°C Ambient)

Num   C                               Rating                                         Symbol      Min      Typ1  Max               Unit

         Oscillator crystal or resonator (EREFS = 1, ERCLKEN = 1)

         Low range (RANGE = 0)                                                          flo      32       —     38.4              kHz

   1  C  High range (RANGE = 1) FEE or FBE mode 2                                       fhi      1        —     5                 MHz

         High range (RANGE = 1, HGO = 1) FBELP mode                                     fhi-hgo  1        —     16                MHz

         High range (RANGE = 1, HGO = 0) FBELP mode                                     fhi-lp   1        —     8                 MHz

   2  —  Load capacitors                                                                C1, C2        See crystal or resonator

                                                                                                 manufacturer’s recommendation

         Feedback resistor

   3  —            Low range (32 kHz to 100 kHz)                                        RF       —        10    —                 MΩ

                   High range (1 MHz to 16 MHz)                                                  —        1     —

         Series resistor

                   Low range, low gain (RANGE = 0, HGO = 0)                                      —        0     —

                   Low range, high gain (RANGE = 0, HGO = 1)                                     —        100   —

   4  —            High range, low gain (RANGE = 1, HGO = 0)                            RS       —        0     —                 kΩ

                   High range, high gain (RANGE = 1, HGO = 1)

                   ≥ 8 MHz                                                                       —        0     0

                   4 MHz                                                                         —        0     10

                   1 MHz                                                                         —        0     20

         Crystal start-up time 3

                   Low range, low gain (RANGE = 0, HGO = 0)                          t  CSTL-LP  —        200   —

   5  T            Low range, high gain (RANGE = 0, HGO = 1)                      t  CSTL-HGO    —        400   —                 ms

                   High range, low gain (RANGE = 1, HGO = 0)4                        t  CSTH-LP  —        5     —

                   High range, high gain (RANGE = 1, HGO = 1)4                    t  CSTH-HGO    —        15    —

         Square wave input clock frequency (EREFS = 0, ERCLKEN             =  1)

   6  T            FEE or FBE mode 2                                                    fextal   0.03125  —     5                 MHz

                   FBELP mode                                                                    0        —     40                MHz

1  Typical data was characterized at 5.0 V, 25°C or is recommended value.

2  The input clock source must be divided using RDIV to within the range of 31.25 kHz to 39.0625 kHz.

3  This parameter is characterized and not tested on each device. Proper PC board layout procedures must be followed to achieve

   specifications. This data will vary based upon the crystal manufacturer and board design. The crystal should be characterized

   by the crystal manufacturer.

4  4 MHz crystal.

                                      MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                           17
   Chapter 3 Electrical Characteristics

                                                                   MCU

                                                   EXTAL                                XTAL

                                                                       RF               RS

                                               C1             Crystal or Resonator            C2

   3.9        Internal Clock Source (ICS) Characteristics

              Table 3-9. ICS Frequency Specifications (Temperature Range = –40 to 125°C Ambient)

Num     C                                Rating                            Symbol             Min    Typical  Max                    Unit

   1    P     Internal reference frequency - factory trimmed               fint_ft            —      31.25    —                      kHz

              at VDD = 5 V and temperature = 25°C

   2    T     Internal reference frequency - untrimmed1                    fint_ut            25     36       41.66                  kHz

   3    P     Internal reference frequency - user trimmed                  fint_t             31.25  —        39.0625                kHz

   4    T     Internal reference startup time                              tirefst            —      —        6                      μs

              DCO output frequency range - untrimmed1

   5    —     value provided for reference assumes:                        fdco_ut            25.6   36.86    42.66                  MHz

              fdco_ut = 1024 x fint_ut

   6    D     DCO output frequency range - trimmed                         fdco_t             32     —        40                     MHz

   7    D     Resolution of trimmed DCO output frequency at fixed          Δfdco_res_t        —      ± 0.1    ± 0.2                  %fdco

              voltage and temperature (using FTRIM)

   8    D     Resolution of trimmed DCO output frequency at fixed          Δfdco_res_t        —      ± 0.2    ± 0.4                  %fdco

              voltage and temperature (not using FTRIM)

   9    D     Total deviation from actual trimmed DCO output               Δfdco_t            —      + 0.5    ± 2.0                  %fdco

              frequency over voltage and temperature                                                 – 1.0

   10   D     Total deviation of trimmed DCO output frequency over         Δfdco_t            —      ± 0.5    ±1                     %fdco

              fixed voltage and temperature range of 0°C to 70 °C

   11   D     FLL acquisition time 2                                       tacquire           —      —        1                      ms

   12   D     DCO output clock long term jitter (over 2mS interval) 3      CJitter            —      0.02     0.2                    %fdco

1  TRIM register at default value (0x80) and FTRIM control bit at default value (0x0).

2  This specification applies to any time the FLL reference source or reference divider is changed, trim value changed or changing

   from FLL disabled (FBELP, FBILP) to FLL enabled (FEI, FEE, FBE, FBI). If a crystal/resonator is being used as the reference,

   this specification assumes it is already running.

3  Jitter is the average deviation from the programmed frequency measured over the specified interval at maximum fBUS.

   Measurements are made with the device powered by filtered supplies and clocked by a stable external clock signal. Noise injected

   into the FLL circuitry via VDD and VSS and variation in crystal oscillator frequency increase the CJitter percentage for a given

   interval.

                                               MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

   18                                                                                                      Freescale Semiconductor
                                                                                               Chapter 3 Electrical Characteristics

3.10      ADC Characteristics

                                           Table 3-10. ADC Operating Conditions

   Characteristic          Conditions                      Symb        Min       Typ1   Max         Unit  Comment

   Supply voltage          Absolute                        VDDA2       2.7       —      5.5         V            —

   Input Voltage                   —                       VADIN       VREFL2    —      VREFH2      V            —

   Input                           —                       CADIN            —    4.5    5.5         pF           —

   Capacitance

   Input                           —                       RADIN            —    3      5           kΩ           —

   Resistance

   Analog Source      10 bit mode                          RAS                                            External to MCU

   Resistance              fADCK > 4MHz                                     —    —      5           kΩ

                           fADCK < 4MHz                                     —    —      10

                      8 bit mode (all valid fADCK)                          —    —      10

   ADC                High Speed (ADLPC=0)                 fADCK       0.4       —      8.0         MHz          —

   Conversion

   Clock              Low Power (ADLPC=1)                              0.4       —      4.0

   Frequency

1  Typical values assume VDDA = 5.0 V, Temp = 25°C, fADCK=1.0 MHz unless otherwise stated. Typical        values are for

   reference only and are not tested in production.

2  VDDA/VREFH and VSSA/VREFL, are derived from VDD and VSS respectively.

                                                                  SIMPLIFIED

                                                           INPUT PIN EQUIVALENT

                                                                   CIRCUIT       ZADIN

                                                           Pad                          SIMPLIFIED

                                      ZAS                  leakage                      CHANNEL SELECT

                                                           due to                          CIRCUIT        ADC SAR

                      RAS                                  input                        RADIN             ENGINE

                                                           protection

                                                     +

                                                    VADIN
                                                     –
                                   CAS
          VAS      +
                   –

                                                                                        RADIN

                                                           INPUT PIN                    RADIN

                                                           INPUT PIN                    RADIN

                                                           INPUT PIN                                      CADIN

                           Figure 3-8. ADC Input Impedance Equivalency Diagram

                                           MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                    19
Chapter 3 Electrical  Characteristics

                                            Table 3-11. ADC Characteristics

Characteristic        Conditions            C  Symb           Min            Typ1  Max     Unit    Comment

Supply Current                     —        T  IDDA           —              133   —       μA      —

ADLPC=1

ADLSMP=1

ADCO=1

Supply Current                     —        T  IDDA           —              218   —       μA      —

ADLPC=1

ADLSMP=0

ADCO=1

Supply Current                     —        T  IDDA           —              327   —       μA      —

ADLPC=0

ADLSMP=1

ADCO=1

Supply Current                     —        T  IDDA           —     0.582          1       mA      —

ADLPC=0

ADLSMP=0

ADCO=1

ADC                   High Speed (ADLPC=0)  P  fADACK         2              3.3   5       MHz     tADACK =

Asynchronous                                                                                       1/fADACK

Clock Source          Low Power (ADLPC=1)                     1.25           2     3.3

Conversion            Short Sample          P  tADC           —              20    —       ADCK    See ADC

Time                  (ADLSMP=0)                                                           cycles  chapter in

(Including                                                                                         MC9S08SC4

sample time)          Long Sample                             —              40    —               Reference

                      (ADLSMP=1)                                                                   Manual for

Sample Time           Short Sample          P  tADS           —              3.5   —       ADCK    conversion

                      (ADLSMP=0)                                                           cycles  time

                                                                                                   variances

                      Long Sample                             —              23.5  —

                      (ADLSMP=1)

Total                 10 bit mode           P  ETUE           —              ±1.5  ±3.5    LSB     Includes

Unadjusted                                                                   ±0.7  ±1.5            quantization

Error                 8 bit mode                              —

Differential          10 bit mode           P  DNL            —              ±0.5  ±1.0    LSB

Non-Linearity                                                                ±0.3  ±0.5

                      8 bit mode                              —

                                            Monotonicity and  No-Missing-Codes guaranteed

Integral              10 bit mode           C  INL            —              ±0.5  ±1.0    LSB

Non-Linearity                                                                ±0.3  ±0.5

                      8 bit mode                              —

Zero-Scale            10 bit mode           P  EZS            —              ±1.5  ±2.5    LSB     VADIN = VSSA

Error                                                                        ±0.5  ±0.7

                      8 bit mode                              —

Full-Scale            10 bit mode           P  EFS            —              ±1    ±1.5    LSB     VADIN = VDDA

Error                                                                        ±0.5  ±0.5

                      8 bit mode                              —

                                       MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

20                                                                                         Freescale Semiconductor
                                                                                                      Chapter  3 Electrical Characteristics

                                                 Table 3-11. ADC Characteristics

   Characteristic        Conditions                     C  Symb             Min           Typ1        Max      Unit    Comment

   Quantization    10 bit mode                          D       EQ          —             —           ±0.5     LSB           —

   Error                                                                                              ±0.5

                   8 bit mode                                               —             —

   Input Leakage   10 bit mode                          D       EIL         —             ±0.2        ±2.5     LSB     Pad leakage2

   Error                                                                                  ±0.1             ±1               * RAS

                   8 bit mode                                               —

   Temp Sensor     −40°C– 25°C                          D        m          —             3.266             —

   Slope

                   25°C– 125°C                                                                                 mV/°C         —

                                                                            —                               —

                                                                                          3.638

   Temp Sensor     25°C                                 D  VTEMP2           —             1.396             —       V        —

   Voltage                                                       5

1  Typical values assume VDDA = 5.0V, Temp = 25C, fADCK=1.0MHz unless otherwise stated. Typical values are for reference only

   and are not tested in production.

2  Based on input pad leakage current. Refer to pad electricals.

3.11        AC Characteristics

This section describes AC timing characteristics for each peripheral system.

3.11.1           Control Timing

                                                     Table 3-12. Control Timing

   Num      C                                Rating                            Symbol            Min           Typ1    Max         Unit

   1        D     Bus frequency (tcyc = 1/fBus)                                  fBus            dc            —       20       MHz

   2        P     Internal low power oscillator period                           tLPO            700           975     1500        μs

   3        D     External reset pulse width2                                    textrst         100           —       —           ns

   4        D     Reset low drive3                                               trstdrv        66 x tcyc      —       —           ns

                  Pin interrupt pulse width

   5        D      Asynchronous path2                                       tILIH, tIHIL         100           —       —           ns

                   Synchronous path4                                                            1.5 x tcyc

                  Port rise and fall time —

                  Low output drive (PTxDS = 0) (load = 50 pF)5              tRise, tFall                                           ns

                   Slew rate control disabled (PTxSE = 0)                                        —             40      —

                   Slew rate control enabled (PTxSE = 1)                                         —             75      —

   6        C

                  Port rise and fall time —

                  High output drive (PTxDS = 1) (load = 50 pF)6             tRise, tFall                                           ns

                   Slew rate control disabled (PTxSE = 0)                                        —             11      —

                   Slew rate control enabled (PTxSE = 1)                                         —             35      —

1  Typical  values are based on characterization data at VDD =       5.0V,  25°C unless otherwise stated.

                                             MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                                21
Chapter 3 Electrical Characteristics

2   This is the shortest pulse that is guaranteed to be recognized as a reset pin request. Shorter pulses are not guaranteed to

    override reset requests from internal sources. Refer to Figure 3-9.

3   When any reset is initiated, internal circuitry drives the reset pin low for about 66 cycles of tcyc. After POR reset the bus clock

    frequency changes to the untrimmed DCO frequency (freset = (fdco_ut)/4) because TRIM is reset to 0x80 and FTRIM is reset

    to 0, and there is an extra divide-by-two because BDIV is reset to 0:1. After other resets trim stays at the pre-reset value.

4   This is the minimum pulse width that is guaranteed to pass through the pin synchronization circuitry. Shorter pulses may or

    may not be recognized. In stop mode, the synchronizer is bypassed so shorter pulses can be recognized in that case.

5   Timing is shown with respect to 20% VDD and 80% VDD levels. Temperature range –40°C to 125°C.

                                              textrst

           RESET PIN

                                              Figure 3-9. Reset Timing

3.11.2     TPM Module Timing

Synchronizer circuits determine the shortest input pulses that can be recognized or the fastest clock that can  be  used as        the

optional external source to the timer counter. These synchronizers operate from the current bus rate clock.

                                      Table 3-13. TPM Input Timing

    Num    C                          Rating                             Symbol  Min               Max              Unit

        1  —  External clock frequency                                   fTEXT   dc                1/4 fop          MHz

        2  —  External clock period                                      tTEXT   4                           —      tCYC

        3  —  External clock high time                                   tTCLKH  1.5                         —      tCYC

        4  —  External clock low time                                    tTCLKL  1.5                         —      tCYC

        5  —  Input capture pulse width                                  fICPW   1.5                         —      tCYC

                                      MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

22                                                                                                           Freescale Semiconductor
                                                                                     Chapter 3 Electrical Characteristics

                                 tCYC

        ipg_clk

                                 tTEXT

   EXTERNAL

        CLOCK

                         tTCLKH         tTCLKL

                         tICPW

        INPUT

   CAPTURE

3.12    Flash Specifications

This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the FLASH memory.

Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply. For more detailed

information about program/erase operations, see the Memory section.

                                           Table 3-14. FLASH Characteristics

   Num  C                        Characteristic        Symbol                Min     Typical  Max                           Unit

   1    —        Supply voltage for program/erase      Vprog/erase           4.5     —        5.5                           V

   2    —        Supply voltage for read operation                   VRead   4.5     —        5.5                           V

   3    —        Internal FCLK frequency1                            fFCLK   150     —        200                           kHz

   4    —        Internal FCLK period (1/fFCLK)                      tFcyc   5       —        6.67                          μs

   5    —        Byte program time (random location)2                tprog           9                                      tFcyc

   6    —        Byte program time (burst mode)2                     tBurst          4                                      tFcyc

   7    —        Page erase time2                                    tPage           4000                                   tFcyc

   8    —        Mass erase time2                                    tMass           20,000                                 tFcyc

                 Program/erase endurance3

   9    C        TL to TH = –40°C to +125°C                          nFLPE   10,000  —        —                             cycles

                 T = 25°C                                                    —       100,000  —

   10   C        Data retention4                                     tD_ret  15      100      —                             years

1  The frequency of this clock is controlled by a software setting.

2  These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information supplied for

   calculating approximate time to program and erase.

3  Typical endurance for FLASH is based on the intrinsic bit cell performance. For additional information on how Freescale

   defines typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619/D, Typical Endurance for Nonvolatile Memory.

4  Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated

   to 25°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale defines typical data retention, please refer

   to Engineering Bulletin EB618/D, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.

                                        MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                             23
Chapter 3 Electrical Characteristics

3.13    EMC Performance

Electromagnetic compatibility (EMC) performance is highly dependant on the environment in which the MCU resides. Board

design and layout, circuit topology choices, location and characteristics of external components as well as MCU software

operation all play a significant role in EMC performance. The system designer should consult Freescale applications notes such

as AN2321, AN1050, AN1263, AN2764, and AN1259 for advice and guidance specifically targeted at optimizing EMC

performance.

3.13.1          Radiated Emissions

Microcontroller radiated RF emissions are measured from 150 kHz to 1 GHz using the TEM/GTEM Cell method in accordance

with the IEC 61967-2 and SAE J1752/3 standards. The measurement is performed with the microcontroller installed on a

custom EMC evaluation board while running specialized EMC test software. The radiated emissions from the microcontroller

are measured in a TEM cell in two package orientations (North and East).

The maximum radiated RF emissions of the tested configuration in all orientations are less than or equal to the reported

emissions levels.

                                      Table 3-15. Radiated Emissions, Electric Field

        Parameter                     Symbol   Conditions    Frequency                 fOSC/fBUS      Level1              Unit

                                                                                                      (Max)

                                      VRE_TEM  VDD = 5 V     0.15 – 50 MHz             4 MHz crystal  –7                  dBμV

                                               TA = +25oC    50 – 150 MHz              8 MHz bus      –11

                                               package type

Radiated emissions,                            16-TSSOP      150 – 500 MHz                            –11

electric field                                               500 – 1000 MHz                           –10

                                                             IEC Level                                N                         —

                                                             SAE Level                                1                         —

1  Data based on qualification test results.

                                              MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

24                                                                                                    Freescale Semiconductor
                                                                     Chapter 4 Ordering Information  and  Mechanical  Drawings

Chapter 4

Ordering Information and Mechanical Drawings

4.1       Ordering Information

This section contains ordering information for MC9S08SC4 device.

                                    Table 4-1. Device Numbering System

                         Device Number1                      Memory                  Available

                                                      FLASH          RAM             Packages2

                         S9S08SC4E0MTG                4K             256             16 TSSOP

                      1  See MC9S08SC4 Reference Manual for a complete description of modules.

                         included on each device.

                      2  See Table 4-2 for package information.

4.1.1     Device Numbering Scheme

                             S   9  S08   SC          4      E0   M  TG   R

Status                                                                               Tape and Reel Suffix             (optional)

- S = Auto Qualified

                                                                                     Package Designator

                                                                                     Two letter descriptor

Main Memory Type                                                                     (refer to Table 4-2).

- 9 = Flash-based

                                                                                     Temperature Option

Core                                                                                 - C = –40 to 85 °C

                                                                                     - V = –40 to 105 °C

S Family                                                                             - M = –40 to 125 °C

                                          Memory Size                                Mask Set Identifier

                                          - 4 Kbytes                                 - Identifies mask.

4.2       Package Information

                                          Table 4-2. Package Information

                      Pin Count     Type           Designator        Case Number     Document No.

                         16      TSSOP                TG             948F-01         98ASH70247A

4.3       Mechanical Drawings

The following pages are mechanical drawings for the package described in Table 4-2.

                                    MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                               25
Chapter  4  Ordering  Information  and  Mechanical Drawings

                                        MC9S08SC4 MCU        Series  Data  Sheet,  Rev.  4

26                                                                                          Freescale Semiconductor
                                                 Chapter      4 Ordering  Information  and  Mechanical  Drawings

                         MC9S08SC4  MCU  Series  Data Sheet,  Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                 27
Chapter  4  Ordering  Information  and  Mechanical Drawings

                                        MC9S08SC4 MCU        Series  Data  Sheet,  Rev.  4

28                                                                                          Freescale Semiconductor
                                                                                                            Chapter 5 Revision History

Chapter 5

Revision History

To provide the most up-to-date information, the version of our documents on the World Wide Web will be the most current.

Your printed copy may be an earlier revision. To verify you have the latest information available, refer to:

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The following  revision history  table  summarizes changes contained in this document.

Revision       Revision                                                    Description of Changes

Number                 Date

1              9/2008                   •  Initial Release.

2              7/2009                   •  Incorporated editing updates.

                                        •  Added C and V temperature ranges at page 1.

                                        •  Updated Section 3.10, “ADC Characteristics”.

                                        •  Updated Table 3-3, Table 3-6, Table 3-7, Table 3-9, Table 3-12, Table 3-15 and  Section

                                           4.1.1, “Device Numbering Scheme”.

                                        •  Added actual package mechanical drawings.

                                        •  Updated Figure 3-5, Figure 3-6.

                                        •  Removed Transient Susceptibilty Section.

                                        •  Updated disclaimer page.

3              3/2010                   •  Updated TSSOP-16 package diagram, clarified ICS deviation, SCI LIN features     at page

                                           1.

                                        •  Updated Table 3-6, Table 3-7, Table 3-9, Table 3-12, Table 4-1.

                                        •  Updated Figure 3-5 and Figure 3-7.

4              6/2010                   •  Document changed from Advance Information to Technical Data

                                        •  Updated footnotes in Table 3-7

                                        •  Updated Figure 3-5

                                           MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                    29
Chapter  5  Revision  History

                               MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4

30                                                                      Freescale Semiconductor
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Japan                                                   may be provided in Freescale Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in

0120 191014 or +81 3 5437 9125                          different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including

support.japan@freescale.com                             “Typicals”, must be validated for each customer application by customer’s technical experts. Freescale

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