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S9014

器件型号:S9014
文件大小:1883.63KB,共4页
厂商名称:Galaxy ( Bel )
厂商官网:http://www.galaxypwr.com
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器件描述

silicon epitaxial planar transistor

S9014器件文档内容

BL Galaxy Electrical                                                           Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor                                                         S9014

FEATURES                                          Pb

z     Complementary To S9015.

z                                                 Lead-free

      Excellent HFE Linearity.

z     Power dissipation.(PC=0.2W)

APPLICATIONS

z     Per-Amplifier low level & low noise.

                                                                                     SOT-23

ORDERING INFORMATION

         Type No.                             Marking                      Package Code

         S9014                                J6                             SOT-23

MAXIMUM         RATING @ Ta=25℃ unless otherwise             specified

Symbol             Parameter                                            Value            Units

VCBO               Collector-Base Voltage                               50               V

VCEO               Collector-Emitter Voltage                            45               V

VEBO               Emitter-Base Voltage                                 5                V

IC                 Collector Current -Continuous                        100              mA

PC                 Collector Dissipation                                200              mW

Tj,Tstg            Junction and Storage Temperature                     -55~150          ℃

Document number: BL/SSSTC083                                                         www.galaxycn.com

Rev.A                                                                                                    1
BL Galaxy Electrical                                                       Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor                                                             S9014

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless                                 otherwise specified

Parameter                                 Symbol       Test conditions     MIN  TYP             MAX   UNIT

Collector-base breakdown voltage          V(BR)CBO     IC=100μA,IE=0       50                          V

Collector-emitter breakdown voltage       V(BR)CEO     IC=0.1mA,IB=B 0     45                          V

Emitter-base breakdown voltage            V(BR)EBO     IE=-100μA,IC=0      5                           V

Collector cut-off current                 ICBO         VCB=50V,IE=0                             0.1    μA

Collector cut-off current                 ICEO         VCE=35V,IB=B 0                           0.1    μA

Emitter cut-off current                   IEBO         VEB=3V,IC=0                              0.1    μA

DC current gain                           hFE          VCE=5V,IC=1mA       200                  1000

Collector-emitter saturation voltage      VCE(sat)     IC=100mA, IB=B 5mA                       0.3    V

Base-emitter saturation voltage           VBE(sat)     IC=100mA, IB=B 5mA                       1      V

Transition frequency                                   VCE=6V, IC= 20mA

                                          fT           f=30MHz                  150                    MHz

CLASSIFICATION             OF     hFE(1)

           Rank                                 L                               H

Range                                         200-450                           450-1000

Document number: BL/SSSTC083                                                    www.galaxycn.com

Rev.A                                                                                                  2
BL Galaxy Electrical                                    Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor                                S9014

TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃     unless  otherwise  specified

Document number: BL/SSSTC083                                       www.galaxycn.com

Rev.A                                                                             3
BL Galaxy Electrical                                    Production specification

Silicon Epitaxial Planar               Transistor                         S9014

PACKAGE OUTLINE

Plastic surface mounted package                                           SOT-23

           A                                            SOT-23

                                          E        Dim  Min     Max

                                                   A    2.85    2.95

K                                B                 B    1.25    1.35

                                                   C    1.0Typical

                                                   D    0.37    0.43

        D                                 J

                                                   E    0.35    0.48

              G                                    G    1.85    1.95

                                                   H    0.02    0.1

                                       H

                                    C              J    0.1Typical

                                                   K    2.35    2.45

                                                   All  Dimensions in mm

SOLDERING FOOTPRINT

                                       Unit : mm

PACKAGE    INFORMATION

Device     Package                  Shipping

S9014      SOT-23                3000/Tape&Reel

Document number: BL/SSSTC083                                    www.galaxycn.com

Rev.A                                                                             4
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