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RFHA1000SQ

器件型号:RFHA1000SQ
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:Qorvo
厂商官网:https://www.qorvo.com/
标准:
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器件描述

RF Amplifier 0.05 - 1GHz, 41dBm 41dBm, 17dB, 28 V

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Qorvo
产品种类:
Product Category:
RF Amplifier
RoHS:YES
类型:
Type:
Power Amplifier
技术:
Technology:
GaN
Operating Frequency:50 MHz to 1 GHz
Gain:14.5 dB
工作电源电压:
Operating Supply Voltage:
28 V
NF - Noise Figure:-
测试频率:
Test Frequency:
50 MHz to 1 GHz
OIP3 - Third Order Intercept:41.5 dBm
工作电源电流:
Operating Supply Current:
88 mA
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 40 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 85 C
封装:
Packaging:
Bulk
商标:
Brand:
Qorvo
Number of Channels:1 Channel
Development Kit:RFHA1000PCBA-410
Input Return Loss:- 10 dB
产品类型:
Product Type:
RF Amplifier
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
25
子类别:
Subcategory:
Wireless & RF Integrated Circuits

RFHA1000SQ器件文档内容

RFHA1000                                                                                                                                              RFHA1000

15W GaN Wide-Band Power Amplifier

The RFHA1000 is a wideband Power Amplifier designed for CW and pulsed                                                 Package: AIN Leadless Chip

applications such as wireless infrastructure, RADAR, two way radios and                                               Carrier, SO8

general purpose amplification. Using an advanced high power density                                                   Features

Gallium Nitride (GaN) semiconductor process, these high-performance                                                   ■                               Advanced GaN HEMT Technology

amplifiers achieve high efficiency, flat gain, and large instantaneous

bandwidth in a single amplifier design. The RFHA1000 is an input matched                                              ■                               Output Power of 15W

GaN transistor packaged in an air cavity ceramic package which provides                                               ■                               Advanced Heat-Sink Technology

excellent thermal stability through the use of advanced heat sink and power                                           ■                               50MHz to 1000MHz Instantaneous

dissipation technologies. Ease of integration is accomplished through the                                                                             Bandwidth

incorporation of optimized input matching network within the package that                                             ■                               Input Internally Matched to 50Ω

provides wideband gain and power performance in a single amplifier. An                                                ■                               28V Operation Typical

external output match offers the flexibility of further optimizing power and                                                                          Performance

efficiency for any sub-band within the overall bandwidth.                                                                                               Output Power 41.5dBm

                                                                                                                                                        Gain 17dB

                                                                                                                                                        Power Added Efficiency 60%

                                                                                                                      ■                               -40°C to 85°C Operating

                                                                                                                                                      Temperature

                                                                                                                      ■                               Large Signal Models Available

                                                                                                                      Applications

                                                                                                                      ■                               Class AB Operation for Public

                                                                                                                                                      Mobile Radio

                       Functional Block Diagram                                                                       ■                               Power Amplifier Stage for

                                                                                                                                                      Commercial Wireless Infrastructure

Ordering Information                                                                                                  ■                               General Purpose Tx Amplification

RFHA1000S2             Sample bag with 2 pieces                                                                       ■                               Test Instrumentation

RFHA1000SB             Bag with 5 pieces                                                                              ■                               Civilian and Military Radar

RFHA1000SQ             Bag with 25 pieces

RFHA1000SR             Short reel with 100 pieces

RFHA1000TR7            7” Reel with 500 pieces

RFHA1000TR13           13” Reel with 2500 pieces

RFHA1000PCBA-410       Fully assembled evaluation           board       50MHz                                     to

                       1000MHz; 28V operation

RF Micro Devices Inc.  7628 Thorndike Road, Greensboro, NC  27409-9421                                                                                              DS131017

For sales or technical support, contact RFMD at +1.336.678.5570 or customerservice@rfmd.com.

RF MICRO DEVICES® and RFMD® are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trademark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD.     All other trade names,      1 of 11

trademarks, and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2013, RF Micro Devices, Inc.
RFHA1000

Absolute Maximum Ratings

Parameter                                                                                           Rating        Unit              Caution! ESD sensitive device.

Drain Voltage (VD)                                                                                  150           V

Gate Voltage (VG)                                                                                   -8 to +2      V

Gate Current (IG)                                                                                   10            mA                RFMD Green: RoHS compliant per EU

                                                                                                                                    Directive 2011/65/EU, halogen free per

Operational Voltage                                                                                 32            V                 IEC 61249-2-21, <1000ppm each of

RF- Input Power                                                                                     31            dBm               antimony trioxide in polymeric materials

                                                                                                                                    and red phosphorus as a flame retardant,

Ruggedness (VSWR)                                                                                   12:1                            and <2% antimony solder.

Storage Temperature Range                                                                       -55 to +125       °C            Exceeding any one or a combination of the Absolute

                                                                                                                                Maximum Rating conditions may cause permanent

Operating Temperature Range (TL)                                                                -40 to +85        °C            damage to the device. Extended application of Absolute

                                                                                                                                Maximum Rating conditions to the device may reduce

Operating Junction Temperature (TJ)                                                                 250           °C            device reliability. Specified typical performance or

Human Body Model                                                                                    Class 1C                    functional operation of the device under Absolute

                                                                                                                                Maximum Rating conditions is not implied.

MTTF (TJ < 200°C, 95% Confidence Limits)*                                                           1.8E + 07

                                                                                                                  Hours

MTTF (TJ < 250°C, 95% Confidence Limits)*                                                           1.1E + 05

Thermal Resistance, RTH (Junction to Case)                                                          6             °C/W

measured at TC = 85°C, DC bias only

* MTTF – median time to failure as determined by the process technology wear-out failure mode. Refer to product qualification report for FIT (random)

failure rate.

Operation of this device beyond any one of these limits may cause permanent damage. For reliable continuous operation, the device voltage and current

must not exceed the maximum operating values specified in the table above.

Bias Conditions should also satisfy the following expression: PDISS < (TJ – TC) / RTH J-C and TC = TCASE

Nominal Operating Parameters

                                         Specification

Parameter                                                                                Unit                                   Condition

                                     Min                                    Typ    Max

Recommended Operating

Conditions

Drain Voltage (VDSQ)                                                        28     32    V

Gate Voltage (VGSQ)                  -5                                     -3     -2    V

Drain Bias Current                                                          88           mA

RF Input Power (PIN)                                                               30    dbm

Input Source VSWR                                                                  10:1

RF Performance

Characteristics

Frequency Range                      50                                            1000  MHz        Small signal 3dB bandwidth

Linear Gain                                                                 17.5         dB         POUT = 30dBm, 100MHz

Power Gain                                                                  14.5         dB         P3DB, 100MHz

Gain Flatness                                                               3            dB         POUT = 30dBm, 50MHz to 1000MHz

Gain Variation with Temperature                                             -0.02        dB/°C

Input Return Loss (S11)                                                            -10   dB

Output Power (P3dB)                                                         41.5         dBm        50MHz to 1000MHz

Power Added Efficiency (PAE)                                                60           %          50MHz to 1000MHz

RF Micro Devices Inc.  7628 Thorndike Road, Greensboro, NC                              27409-9421                                         DS131017

For sales or technical support, contact RFMD at +1.336.678.5570 or customerservice@rfmd.com.

The information in this publication is believed to be accurate. However, no responsibility is assumed by RF Micro Devices, Inc. ("RFMD") for its use, nor for any infringement of patents or other rights of

third parties resulting from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of RFMD. RFMD reserves the right to change component circuitry, recommended         2 of 11

application circuitry and specifications at any time without prior notice.
RFHA1000

                               Specification

Parameter                                                                              Unit                     Condition

                               Min                                          Typ   Max

RF Functional Test                                                                                 Test Conditions: VDSQ = 28V, IDQ = 88mA, CW, f = 500MHz,                                                   T  =

                                                                                                   25ºC, Performance in a standard tuned test fixture

VGS(Q)                                                                      -3         V

Gain                           14.8                                         16         dB          PIN = 10dBm

Power Gain                     13.2                                         14.3       dB

Input Return Loss                                                           -12   -10  dB

                                                                                                   PIN = 27dBm

Output Power                   40.2                                         41.3       dBm

Power Added Efficiency  (PAE)  46                                           53         %

RF Micro Devices Inc.  7628 Thorndike Road, Greensboro, NC                             27409-9421                          DS131017

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RFHA1000

Typical Performance in Standard Fixed Tuned Test Fixture Matched for 50MHz to 1000MHz:

(T = 25°C unless noted)

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application circuitry and specifications at any time without prior notice.
RFHA1000

Typical Performance in Standard Fixed Tuned Test Fixture Matched for 50MHz to 1000MHz:

(T = 25°C unless noted) (continued)

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RFHA1000

Typical Performance in Standard Fixed Tuned Test Fixture Matched for 50MHz to 1000MHz:

(T = 25°C unless noted) (continued)

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RFHA1000

Package Drawing (Dimensions in millimeters)

Notes:

     1.  A123: Trace Code

     2.  1234: Serial Number

     3.  Package Style: Ceramic SO8

Pin  Names     and     Descriptions

         Pin           Name                                                                   Description

         1             VGS                                                                    Gate DC Bias Pin

         2-3           RFIN                                                                   RF Input

         4-5           N/C                                                                    No Connect

         6-7           RFOUT/VDS                                                        RF    Output/Drain DC Bias  Pin

         8             N/C                                                                    No Connect

     Pkg Base          GND                                                                    Ground

RF Micro Devices Inc.  7628 Thorndike Road, Greensboro, NC                  27409-9421                                   DS131017

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The information in this publication is believed to be accurate. However, no responsibility is assumed by RF Micro Devices, Inc. ("RFMD") for its use, nor for any infringement of patents or other rights of

third parties resulting from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of RFMD. RFMD reserves the right to change component circuitry, recommended         7 of 11

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RFHA1000

Bias Instruction for RFHA1000 Evaluation Board

ESD Sensitive Material. Please use proper ESD precautions when handling devices of evaluation board.

Evaluation board requires additional external fan cooling.

Connect all supplies before powering evaluation board.

1.  Connect RF cables at RFIN and RFOUT.

2.  Connect ground to the ground supply terminal, and ensure that both the VG and VD grounds are also connected to this

    ground terminal.

3.  Apply -5V to VG.

4.  Apply 28V to VD.

5.  Increase VG until drain current reaches 88mA or desired bias point.

6.  Turn on the RF input.

Typical test data provided is measured to SMA connector reference plane, and include evaluation board/broadband bias network

mismatch and losses.

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Evaluation Board Schematic

Evaluation Board       Bill  of  Materials (BOM)

Component                                                                   Value              Manufacturer                                                                                                   Part Number

C1, C2                                                                      2400pF             Dielectric Labs Inc                                                                                            C08BL242X-5UN-X0

C11                                                                         10000pF            Murata Electronics   GRM188R71H103KA01D

C15                                                                         10µF               Murata Electronics   GRM21BF51C106ZE15L

C20                                                                         3.3pF              ATC                                                                                                            100A3R3BW150XC

C25                                                                         4.7µF              Murata Electronics   GRM55ER72A475KA01L

R11                                                                         470Ω               Panasonic                                                                                                      ERJ-3GEYJ471

L20                                                                         5.4nH              Coilcraft                                                                                                      0906-5_LB

L21                                                                         0.9µH              Coilcraft                                                                                                      1008AF-901XJLC

C21, R21                                                                    NOT USED           -                                                                                                              -

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Evaluation Board Layout

Device Impedances

Frequency (MHz)                                                                         RFHA1000PCBA-410 (50MHz to 1000MHz)

                                                                            Z Source (Ω)             Z Load (Ω)

                       50                                                               49.9 - j1.3  48.2 + j7.0

                       100                                                              50.0 - j1.4  49.1 + j1.3

                       200                                                              49.6 - j2.2  46.8 - j3.3

                       300                                                              49.2 - j3.1  43.0 - j5.2

                       400                                                              48.4 - j4.0  38.4 - j5.2

                       500                                                              47.6 - j4.5  34.1 - j3.7

                       600                                                              46.8 - j5.1  30.1 - j0.9

                       700                                                              45.5 - j5.4  26.5 + j2.8

                       800                                                              44.8 - j5.4  23.8 + j7.0

                       900                                                              43.7 - j5.3  21.2 + j11.6

                       1000                                                             43.0 - j5.0  19.3 + j16.6

NOTE: Device impedances reported are the measured evaluation board impedances chosen for a tradeoff of efficiency                                                                                             and peak

power performance across the entire frequency bandwidth.

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Device Handling/Environmental Conditions

RFMD does not recommend operating this device with typical drain voltage applied and the gate pinched off in a high humidity,

high temperature environment.

GaN HEMT devices are ESD sensitive materials. Please use proper ESD precautions when handling devices or evaluation

boards.

DC Bias

The GaN HEMT device is a depletion mode high electron mobility transistor (HEMT). At zero volts VGS the drain of the device is

saturated and uncontrolled drain current will destroy the transistor. The gate voltage must be taken to a potential lower than

the source voltage to pinch off the device prior to applying the drain voltage, taking care not to exceed the gate voltage maximum

limits. RFMD recommends applying VGS = -5V before applying any VDS.

RF Power transistor performance capabilities are determined by the applied quiescent drain current. This drain current can be

adjusted to trade off power, linearity, and efficiency characteristics of the device. The recommended quiescent drain current (IDQ)

shown in the RF typical performance table is chosen to best represent the operational characteristics for this device, considering

manufacturing variations and expected performance. The user may choose alternate conditions for biasing this device based on

performance tradeoffs.

Mounting and Thermal Considerations

The thermal resistance provided as RTH (junction to case) represents only the packaged device thermal characteristics. This is

measured using IR microscopy capturing the device under test temperature at the hottest spot of the die. At the same time, the

package temperature is measured using a thermocouple touching the backside of the die embedded in the device heatsink but

sized to prevent the measurement system from impacting the results. Knowing the dissipated power at the time of the

measurement, the thermal resistance is calculated.

In order to achieve the advertised MTTF, proper heat removal must be considered to maintain the junction at or below the

maximum of 200°C. Proper thermal design includes consideration of ambient temperature and the thermal resistance from

ambient to the back of the package including heatsinking systems and air flow mechanisms. Incorporating the dissipated DC

power, it is possible to calculate the junction temperature of the device.

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