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RF5633TR13

器件型号:RF5633TR13
厂商名称:RF Micro Devices (Qorvo)
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SINGLE 5.0V, 3.3 TO 3.8GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER

RF5633TR13器件文档内容

          RF5633Single                                               RF5633
          5.0V, 3.3 to
          3.8GHz Linear
          Power Ampli-
          fier

                                                         SINGLE 5.0V, 3.3 TO 3.8GHZ
                                                         LINEAR POWER AMPLIFIER

                                                  Package Style: QFN, 24-Pin, 4 mm x 4 mm x 0.9 mm

Features                                                  Functional Block Diagram

High Gain; 34dB            Product Description
Supports Low Gain Mode
2.5% EVM WiMAX             The RF5633 is a linear power amplifier IC designed specifically for WiMAX
                            final or driver stage applications. The device is manufactured on an
  +28 dBm, 5.0 V            advanced InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and is
Integrated Power Detector  provided in a leadless chip carrier with a backside ground. The RF5633 is
Multiple Frequency Ranges  designed to maintain linearity over a wide range of temperatures and
                            power outputs. The external match offers tunability for output power over
Applications                multiple bands. RF5633 features internal input and interstage match,
                            power down mode, and power detector.
WiMAX Customer Premises
  Equipment

WiMAX Access Points
IEEE 802.16 WiMAX Systems

                            Ordering Information

                            RF5633SQ        Standard 25 piece bag
                            RF5633SR        Standard 100 piece reel
                            RF5633TR13      Standard 2500 piece reel
                            RF5633LPCK-410  3.4 GHz to 3.6 GHz WiMAX Evaluation PCBA with 5 loose pcs
                            RF5633HPCK-410  3.6 GHz to 3.8 GHz WiMAX Evaluation PCBA with 5 loose pcs

                                           Optimum Technology Matching Applied

                                GaAs HBT    SiGe BiCMOS  GaAs pHEMT                                                                                                                                                        GaN HEMT
                                            Si BiCMOS    Si CMOS                                                                                                                                                           RF MEMS
                            GaAs MESFET     SiGe HBT     Si BJT                                                                                                                                                            LDMOS
                                InGaP HBT

DS120213  RF MICRO DEVICES, RFMD, Optimum Technology Matching, Enabling Wireless ConnectivityTM, PowerStar, POLARISTM TOTAL RADIOTM and UltimateBlueTM are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-              1 of 11
           mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. 2006, RF Micro Devices, Inc.

                             7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical
                             support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
RF5633

Absolute Maximum Ratings                   Rating        Unit             Caution! ESD sensitive device.
          Parameter
                                         -0.5 to +5.25    VDC  Exceeding any one or a combination of the Absolute Maximum Rating conditions may
Supply Voltage, RF Applied               -0.5 to +6.0 V   VDC  cause permanent damage to the device. Extended application of Absolute Maximum
Supply Voltage, no RF Applied                             mA   Rating conditions to the device may reduce device reliability. Specified typical perfor-
DC Supply Current                            2000        dBm   mance or functional operation of the device under Absolute Maximum Rating condi-
Input RF Power with 50  Load                  +15         C   tions is not implied.
Operating Ambient Temperature             -40 to +85      C
Storage Temperature                      -40 to +150           RoHS status based on EU Directive 2002/95/EC (at time of this document revision).
Moisture Sensitivity                         MSL2
                                                               The information in this publication is believed to be accurate and reliable. However, no
                                                               responsibility is assumed by RF Micro Devices, Inc. ("RFMD") for its use, nor for any
                                                               infringement of patents, or other rights of third parties, resulting from its use. No
                                                               license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of
                                                               RFMD. RFMD reserves the right to change component circuitry, recommended appli-
                                                               cation circuitry and specifications at any time without prior notice.

           Parameter                     Specification         Unit                   Condition

                                   Min.  Typ.            Max.  GHz   Nominal Condition T = 25 C, VCC = 5.0 V,
                                                               dBm   VREG 1, 2, and 3 = 5.0 V, Frequency = 3.4 GHz to
IEEE802.16e, 5.0 V                                                   3.6 GHz, using a standard IEEE802.16e
                                                                 %   16QAM waveform at 37% duty cycle unless oth-
Compliance                         3.4                   3.6         erwise noted.
Frequency                                                      dBm   IEEE802.16e
Output Power                       26.5  28                     dB
                                                                dB   With IEEE802.16e, 16 QAM standard waveform
EVM                                      2.5             3      dB   at <2.5% EVM
                                                                 V   802.16e increase in EVM over EVM floor; RF
Stability                          0                      34    dB   POUT=+28dBm, Over temperature -40C to
                                                         36.5   mA   +85C
Gain                               32.5  34.5                   mA   PA should be stable when POUT is measured
Low Gain Mode - Gain reduction            24               3    mA   from 0 to 34 dBm
                                                          1.8   uA   POUT = 28 dBm
Gain flatness, high gain mode and          5                     V   Drop in gain versus high gain mode, by setting
    low gain mode                        1000            1300    V   VREG2 = 0 V
                                         600             800   nsec  Peak-Peak over any 200 MHz bandwidth.
Power Detect Voltage               0.2                    10    dB
                                           6              30    dB   POUT=10 to 30dBm.
Noise Figure                               5             5.25
Current                                    5             5.15        RF POUT = +28 dBm, Over Temperature -40C to
                                           5             1500        +85C
       Operating                         400              -10        RF = OFF, VCC = +5 V, VREG = 5 V, Over Tempera-
                                          -15              -7        ture -40C to +85C
Quiescent                                 -10             4:1        RF POUT = +28 dBm VCC = +5 V, VREG = 5 V, Over
                                                         10:1        Temperature -40C to +85C
IREG                                                                 RF = OFF, VCC = +5 V, VREG = 0 V, Over Tempera-
Shutdown                                                             ture -40C to +85C

Power Supply                       4.85                              Output stable to within 90% of final gain
VREG1, VREG2, VREG3 Input Voltage
Turn-on time from setting of VREG                                    No spurs above -47 dBm
Input Return Loss                                                    +5 dBm PIN
Output Return Loss
Stable into Output VSWR
No damage into Output VSWR

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                                support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
                                                                                                          RF5633

           Parameter                     Specification        Unit                   Condition

                                   Min.  Typ.           Max.  GHz   Nominal Condition T = 25 C, VCC = 5.0 V,
                                                              dBm   VREG 1, 2, and 3 = 5.0 V, Frequency = 3.6 GHz to
IEEE802.16e, 5.0 V                                                  3.8 GHz, using a standard IEEE802.16e
                                                                %   16QAM 10 MHz BW waveform at 37% duty
Compliance                         3.6    27             3.8  dBm   cycle unless otherwise noted.
Frequency                          25.5   2.5                       IEEE802.16e
Output Power                                              3    dB
                                         34.5            34    dB   With IEEE802.16e, 16 QAM standard waveform
EVM                                       22            36.5   dB   at <2.5% EVM
                                                         2     V   802.16e increase in EVM over EVM floor; RF
Stability                          0       5                   dB   POUT = +27 dBm
                                         1000             3         PA should be stable when POUT is measured
Gain                               32.5  600             1.8        from 0 to 34 dBm
Gain Variation over Temperature                                     POUT = 27 dBm
Low Gain Mode - Gain reduction             6            1350
                                           5            800         Drop in gain versus high gain mode, by setting
Gain flatness, high gain mode and          5             10         VREG2 = 0 V
    low gain mode                          5             30         Peak-Peak over any 200 MHz bandwidth.
                                         400            5.25
Power Detect Voltage               0.2    -15           5.15        POUT=10 to 30dBm.
                                          -10           1500
Noise Figure                                             -10
                                                          -7
Current                                                  4:1  mA    RF POUT = +27 dBm, Over Temperature -40C to
       Operating                                        10:1        +85C
                                                              mA    RF = OFF, VCC = +5 V, VREG = 5 V, Over Tempera-
Quiescent                                                           ture -40C to +85C
                                                              mA    RF POUT = +27 dBm VCC = +5 V, VREG = 5 V, Over
IREG                                                                Temperature -40C to +85C
Shutdown                                                       uA   RF = OFF, VCC = +5 V, VREG = 0 V, Over Tempera-
                                                                    ture -40C to +85C
Power Supply                       4.85                         V
VREG1, VREG2, VREG3 Input Voltage                               V   Output stable to within 90% of final gain
Turn-on time from setting of VREG  500                        nsec
Input Return Loss                  1000                        dB   No spurs above -47 dBm
Output Return Loss                                             dB   +5 dBm PIN
Stable into Output VSWR
No damage into Output VSWR                                    V
                                                              V
ESD
Human Body Model
Charge Device Model

DS120213                         7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical  3 of 11
                                 support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
RF5633

Pin Function Description

3        RFIN   RF input. This pin is matched to 50  and in DC-blocked internally.

6        VREG1  First stage input bias voltage. This pin requires a regulated supply to maintain nominal bias current.

7        VREG2  Second stage input bias voltage. This pin requires a regulated supply to maintain nominal bias current.

9        VREG3  Third stage input bias voltage. This pin requires a regulated supply to maintain nominal bias current.

10       PDET   Power detector provides an output voltage proportional to the RF level VCC3/RF OUT.

11       ACG    AC ground requires capacitor to ground.

13-18 VCC3/RFOUT RF output and bias for third stage. Output is externally matched to 50 and needs a DC-block.

19       VC2    Second stage supply voltage.

21       VC1    First stage supply voltage.

22       VBIAS  Supply voltage for the bias reference and control circuits. May be connected with VCC1, VCC2, VCC3 as long as

                appropriate isolation is provided.

1, 2,    N/C    No internal connection. May be connected to ground.

4, 5,

8, 12,

20,

23, 24

Pkg      GND    Ground connection. The back side of the package should be connected to the ground plane through as short a
Base            connection as possible, e.g., PCB vias under the device.

                          Package Drawing

4 of 11         7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical                                 DS120213
                support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
                                                  RF5633

                                   PCB Design Requirements

PCB Surface Finish
The PCB surface finish used for RFMD's qualification process is electroless nickel, immersion gold. Typical thickness is 3 inch
to 8 inch gold over 180 inch nickel.

PCB Land Pattern Recommendation
PCB land patterns for RFMD components are based on IPC-7351 standards and RFMD empirical data. The pad pattern shown
has been developed and tested for optimized assembly at RFMD. The PCB land pattern has been developed to accommodate
lead and package tolerances. Since surface mount processes vary from company to company, careful process development is
recommended.

PCB Metal Land and Solder Mask Pattern

Note: Themal vias for center slub "E" should be incorporated into the PCB design. The number and size of thermal vias will
depend on the application. Example of the number and size of vias can be found on the RFMD evaluation board layout.

DS120213  7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical  5 of 11
          support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
RF5633

         Evaluation Board Schematic

             3.4 GHz to 3.6 GHz Operation

6 of 11  7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical  DS120213
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                                                                                   RF5633

          Evaluation Board Schematic

              3.6 GHz to 3.8 GHz Operation

DS120213  7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical  7 of 11
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RF5633

                   Evaluation Board Layout

                   3.4 GHz to 3.6 GHz Operation

         Assembly                                Top

         In1                                     In2

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                    Evaluation Board Layout

                    3.6 GHz to 3.8 GHz Operation

          Assembly                                Top

          In1                                     In2

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CC = 5.0 V and VREG1, 2, and 3 = 5.0 V

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