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RA07M1317M_06

器件型号:RA07M1317M_06
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:Mitsubishi Electric
厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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器件描述

135 MHz - 175 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER

135 MHz - 175 MHz 射频/微波窄带高功率放大器

参数
RA07M1317M_06最大工作温度 90 Cel
RA07M1317M_06最小工作温度 -30 Cel
RA07M1317M_06最大输入功率 14.77 dBm
RA07M1317M_06最大工作频率 175 MHz
RA07M1317M_06最小工作频率 135 MHz
RA07M1317M_06加工封装描述 ROHS COMPLIANT, H46S, 4 PIN
RA07M1317M_06无铅 Yes
RA07M1317M_06欧盟RoHS规范 Yes
RA07M1317M_06状态 ACTIVE
RA07M1317M_06最大电压驻波比 4
RA07M1317M_06结构 MODULE
RA07M1317M_06端子涂层 NOT SPECIFIED
RA07M1317M_06阻抗特性 50 ohm
RA07M1317M_06微波射频类型 NARROW BAND HIGH POWER

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RA07M1317M_06器件文档内容

            ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE                                 MITSUBISHI RF MOSFET MODULE

                   OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS                     RA07M1317M

            RoHS Compliance , 135-175MHz 6.5W 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO

DESCRIPTION                                                               BLOCK DIAGRAM

     The RA07M1317M is a 6.5-watt RF MOSFET Amplifier                        2           3
Module for 7.2-volt portable radios that operate in the 135- to
175-MHz range.                                                            1                 4

     The battery can be connected directly to the drain of the                              5
enhancement-mode MOSFET transistors. Without the gate
voltage (VGG=0V), only a small leakage current flows into the             1 RF Input (Pin)
drain and the RF input signal attenuates up to 60 dB. The output          2 Gate Voltage (VGG), Power Control
power and drain current increase as the gate voltage increases.           3 Drain Voltage (VDD), Battery
With a gate voltage around 2.5V (minimum), output power and               4 RF Output (Pout)
drain current increases substantially. The nominal output power           5 RF Ground (Case)
becomes available at 3V (typical) and 3.5V (maximum). At
VGG=3.5V, the typical gate current is 1 mA.                                               PACKAGE CODE: H46S

     This module is designed for non-linear FM modulation, but
may also be used for linear modulation by setting the drain
quiescent current with the gate voltage and controlling the output
power with the input power.

FEATURES

Enhancement-Mode MOSFET Transistors
(IDD0 @ VDD=7.2V, VGG=0V)

Pout>6.5W @ VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=20mW

T>45% @ Pout=6W (VGG control), VDD=7.2V, Pin=20mW
Broadband Frequency Range: 135-175MHz

Low-Power Control Current IGG=1mA (typ) at VGG=3.5V
Module Size: 30 x 10 x 5.4 mm

Linear operation is possible by setting the quiescent drain
current with the gate voltage and controlling the output power
with the input power

RoHS COMPLIANCE

RA07M1317M-101 is a RoHS compliant products.
RoHS compliance is indicate by the letter "G" after the Lot Marking.
This product include the lead in the Glass of electronic parts and the

  lead in electronic Ceramic parts.
  How ever,it applicable to the following exceptions of RoHS Directions.
  1.Lead in the Glass of a cathode-ray tube, electronic parts, and

     fluorescent tubes.
   2.Lead in electronic Ceramic parts.

ORDERING INFORMATION:   SUPPLY FORM
        ORDER NUMBER
        RA07M1317M-101   Antistatic tray,
                        25 modules/tray

RA07M1317M              MITSUBISHI ELECTRIC                                                 24 Jan 2006
                                      1/8
                                               ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE                                         MITSUBISHI RF POWER MODULE
                                                          OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
                                                                                        RoHS COMPLIANCE RA07M1317M
MAXIMUM RATINGS (Tcase=+25C, unless otherwise specified)

SYMBOL PARAMETER                                    CONDITIONS                               RATING               UNIT

VDD Drain Voltage                                   VGG<3.5V                                 9.2                  V

VGG Gate Voltage                                    VDD<7.2V, Pin=0mW                        4                    V

Pin Input Power                                     f=135-175MHz,                            30                   mW
Pout Output Power                                   ZG=ZL=50
                                                                                             10                   W

Tcase(OP) Operation Case Temperature Range                                                   -30 to +90           C

Tstg Storage Temperature Range                                                               -40 to +110          C

The above parameters are independently guaranteed.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase=+25C, ZG=ZL=50, unless otherwise specified)

SYMBOL PARAMETER          CONDITIONS                                                    MIN TYP MAX UNIT

f    Frequency Range                                                                    135               175 MHz

Pout Output Power         VDD=7.2V,VGG=3.5V, Pin=20mW                                   6.5                       W

T    Total Efficiency     Pout=6W (VGG control),                                        45                        %
                          VDD=7.2V,
2fo  2nd Harmonic         Pin=20mW                                                                        -25 dBc

in   Input VSWR                                                                                           4:1     --

IGG Gate Current                                                                             1                    mA

-- Stability              VDD=4.0-9.2V, Pin=10-30mW, Pout<8W (VGG control),             No parasitic oscillation  --
                          Load VSWR=4:1

--   Load VSWR Tolerance  VDD=9.2V, Pin=20mW, Pout=7W (VGG control),                    No degradation or destroy --
                          Load VSWR=20:1

All parameters, conditions, ratings, and limits are subject to change without notice.

RA07M1317M                                  MITSUBISHI ELECTRIC                                                24 Jan 2006
                                                          2/8
                                                      ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE                                                                                  MITSUBISHI RF POWER MODULE
                                                         OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
                                                                                                                                        RoHS COMPLIANCE RA07M1317M

TYPICAL PERFORMANCE (Tcase=+25C, ZG=ZL=50, unless otherwise specified)

                        OUTPUT POWER, TOTAL EFFICIENCY,                                                                         2nd, 3rd HARMONICS versus FREQUENCY

                        and INPUT VSWR versus FREQUENCY

                        10                                                 100                                               -20

                        9                       Pout @VGG=3.5V                                                                                                      VDD=7.2V

OUTPUT POWER Pout(W)    8                                                  80                                                -30                                    Pin=20mW

    INPUT VSWR in (-)   7                                                                TOTAL EFFICIENCYT(%)

                        6                                                  60                            HARMONICS (dBc)     -40        2nd @Pout=6W

                        5                  T @Pout=6W

                        4                                   VDD=7.2V       40                                                -50
                                                            Pin=20mW
                        3

                        2           in @Pout=6W                            20                                                -60                      3rd @Pout=6W

                        1

                        0                                                  0                                                 -70
                                                                                                                                 125 135 145 155 165 175 185
                        125 135 145 155 165 175 185                                                                                                  FREQUENCY f(MHz)

                                           FREQUENCY f(MHz)

                        OUTPUT POWER, POWER GAIN and                                                                            OUTPUT POWER, POWER GAIN and

                        DRAIN CURRENT versus INPUT POWER                                                                        DRAIN CURRENT versus INPUT POWER

                        50                                                    5                                                 50                                             5

OUTPUT POWER Pout(dBm)  40      Gp                              Pout                  DRAIN CURRENT IDD(A)                      40      Gp                          Pout              DRAIN CURRENTIDD(A)
    POWER GAIN Gp(dB)                                                                                OUTPUT POWER Pout(dBm)
                                                                                   4                                                                                               4
                                                                                                          POWER GAIN Gp(dB)
                        30                                                    3                                                 30                                             3

                        20                                                    2                                                 20                                                2

                                           IDD               f=135MHz,                                                          10                    IDD                         1

                        10                                   VDD=7.2V,        1                                                  0                                  f=165MHz,     0
                                                                                                                                   -15                                         20
                                                             VGG=3.5V                                                                                               VDD=7.2V,
                                                                                                                                                                    VGG=3.5V

                        0                                                     0

                            -15 -10 -5 0 5 10 15 20                                                                                     -10 -5 0 5 10 15
                                                                                                                                               INPUT POWER Pin(dBm)
                                    INPUT POWER Pin(dBm)

                        OUTPUT POWER, POWER GAIN and

                        DRAIN CURRENT versus INPUT POWER

                        50                                                    5

OUTPUT POWER Pout(dBm)  40      Gp                              Pout                     DRAIN CURRENT IDD(A)
    POWER GAIN Gp(dB)
                                                                                4

                        30                                                    3

                        20                                                    2

                        10                       IDD            f=175MHz,     1

                         0                                      VDD=7.2V,
                           -15
                                                                VGG=3.5V

                                                                              0

                                -10 -5 0 5 10 15 20

                                    INPUT POWER Pin(dBm)

                        OUTPUT POWER and DRAIN CURRENT                                                                          OUTPUT POWER and DRAIN CURRENT

                                    versus DRAIN VOLTAGE                                                                                    versus DRAIN VOLTAGE

                        14                                                            7                                         14                                                    7

                        12      f=135MHz,                                             6                                         12      f=165MHz,                                               6

OUTPUT POWER Pout(W)            VGG=3.5V,                                                DRAIN CURRENT IDD(A)                           VGG=3.5V,                                               5
                                                                                                          OUTPUT POWER Pout(W)
                        10      Pin=20mW                                              5                                         10      Pin=20mW                    Pout                                   DRAIN CURRENT IDD(A)

                                                      Pout                                                                                                                                      4

                        8                                                             4                                         8

                        6                                       IDD                   3                                         6                                   IDD               3

                        4                                                             2                                         4                                                     2

                        2                                                             1                                         2                                                     1

                        0                                                             0                                         0                                                     0

                            2 3 4 5 6 7 8 9 10                                                                                      2 3 4 5 6 7 8 9 10
                                           DRAIN VOLTAGE VDD (V)                                                                                   DRAIN VOLTAGE VDD (V)

RA07M1317M                                                                 MITSUBISHI ELECTRIC                                                                                                                                   24 Jan 2006
                                                                                         3/8
                                           ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE                                                                                  MITSUBISHI RF POWER MODULE
                                              OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
                                                                                                                             RoHS COMPLIANCE RA07M1317M

TYPICAL PERFORMANCE (Tcase=+25C, ZG=ZL=50, unless otherwise specified)

                      OUTPUT POWER and DRAIN CURRENT

                                  versus DRAIN VOLTAGE

                      14                                                   7

                      12     f=175MHz,                                     6

OUTPUT POWER Pout(W)         VGG=3.5V,

                      10     Pin=20mW                 Pout                 5  DRAIN CURRENT IDD(A)

                      8                                                    4

                      6                                      IDD           3

                      4                                                    2

                      2                                                    1

                      0                                                    0

                          2 3 4 5 6 7 8 9 10
                                         DRAIN VOLTAGE VDD (V)

                      OUTPUT POWER and DRAIN CURRENT                                                                  OUTPUT POWER and DRAIN CURRENT

                                  versus GATE VOLTAGE                                                                        versus GATE VOLTAGE

                      10                                                   5                                          10                                         5

                      9      f=135MHz,                                                                                9      f=165MHz,

OUTPUT POWER Pout(W)  8      VDD=7.2V,          Pout                       4  DRAIN CURRENT IDD(A)                    8      VDD=7.2V,             Pout          4
                             Pin=20mW                                                           OUTPUT POWER Pout(W)         Pin=20mW
                                                                                                                                                                    DRAIN CURRENT IDD(A)
                      7                                                                                               7

                      6                                                    3                                          6                                          3

                      5                                            IDD                                                5

                                                                                                                                                         IDD

                      4                                                    2                                          4                                          2

                      3                                                                                               3

                      2                                                    1                                          2                                          1

                      1                                                                                               1

                      0                                                    0                                          0                                          0

                          1  1.5        2  2.5        3      3.5        4                                                 1  1.5        2  2.5  3        3.5  4

                                        GATE VOLTAGE VGG(V)                                                                       GATE VOLTAGE VGG(V)

                      OUTPUT POWER and DRAIN CURRENT

                                  versus GATE VOLTAGE

                      10                                                   5

                      9      f=175MHz,

OUTPUT POWER Pout(W)  8      VDD=7.2V,                       Pout          4
                             Pin=20mW
                                                                              DRAIN CURRENT IDD(A)
                      7

                      6                                                    3

                      5                                            IDD

                      4                                                    2

                      3

                      2                                                    1

                      1

                      0                                                    0

                          1  1.5        2  2.5        3      3.5        4

                                        GATE VOLTAGE VGG(V)

RA07M1317M                                                              MITSUBISHI ELECTRIC                                                                                               24 Jan 2006
                                                                                      4/8
                              ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE                                                                            MITSUBISHI RF POWER MODULE
                                 OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
                                                                                                          RoHS COMPLIANCE RA07M1317M

OUTLINE DRAWING (mm)

(1.7)                         30.0 0.2                                                2-R1.5 0.1
(4.4)                        26.6 0.2
                              21.2 0.2

3.0 0.2                                                                  5            6.0 0.2           6.0 0.2
                                                                                               10.0 0.2          7.4 0.2

                           1  2                                     3  4

6.0 1                                                                       3.0 0.2

                                                                                                          0.45 0.15

                           6.1 1
                                     13.7 1
                                            18.8 1
                                                   23.9 1

2.3 0.4                                                                               3.5 0.2
                                                                                               (5.4)

            0.05 +0.04/-0                                   (19.2)

                                                                             1.5 0.2

                                                                                                          1 RF Input (Pin)
                                                                                                          2 Gate Voltage (VGG)
                                                                                                          3 Drain Voltage (VDD)
                                                                                                          4 RF Output (Pout)
                                                                                                          5 RF Ground (Case)

RA07M1317M                                                             MITSUBISHI ELECTRIC                                  24 Jan 2006
                                                                                     5/8
                    ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE                                               MITSUBISHI RF POWER MODULE
                       OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
                                                                   RoHS COMPLIANCE RA07M1317M

TEST BLOCK DIAGRAM

                                           Power                    DUT                     Spectrum
                                           Meter                                            Analyzer
                                                                                         5

                                                               12       34

Signal      Pre-                           Directional  ZG=50               ZL=50           Directional  Power

Generator Attenuator amplifier Attenuator  Coupler                                          Coupler      Attenuator Meter

                                                           C1       C2

                                                        -      +        +   -

                                                        DC Power        DC Power

   C1, C2: 4700pF, 22uF in parallel                     Supply VGG      Supply VDD

                                                                                            1 RF Input (Pin)
                                                                                            2 Gate Voltage (VGG)
                                                                                            3 Drain Voltage (VDD)
                                                                                            4 RF Output (Pout)
                                                                                            5 RF Ground (Case)

EQUIVALENT CIRCUIT

                                     2                              3

1                                                                                                                  4
                                                                                                                   5
RA07M1317M                                 MITSUBISHI ELECTRIC
                                                         6/8                                             24 Jan 2006
                  ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE                                           MITSUBISHI RF POWER MODULE
                     OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
                                                             RoHS COMPLIANCE RA07M1317M

PRECAUTIONS, RECOMMENDATIONS, and APPLICATION INFORMATION:

Construction:
  This module consists of an alumina substrate soldered onto a copper flange. For mechanical protection, a plastic
  cap is attached with silicone. The MOSFET transistor chips are die bonded onto metal, wire bonded to the
  substrate, and coated with resin. Lines on the substrate (eventually inductors), chip capacitors, and resistors form
  the bias and matching circuits. Wire leads soldered onto the alumina substrate provide the DC and RF connection.
  Following conditions must be avoided:
  a) Bending forces on the alumina substrate (for example, by driving screws or from fast thermal changes)
  b) Mechanical stress on the wire leads (for example, by first soldering then driving screws or by thermal expansion)
  c) Defluxing solvents reacting with the resin coating on the MOSFET chips (for example, Trichlorethylene)
  d) Frequent on/off switching that causes thermal expansion of the resin
  e) ESD, surge, overvoltage in combination with load VSWR, and oscillation

ESD:
  This MOSFET module is sensitive to ESD voltages down to 1000V. Appropriate ESD precautions are required.

Mounting:
  Heat sink flatness must be less than 50 m (a heat sink that is not flat or particles between module and heat sink
  may cause the ceramic substrate in the module to crack by bending forces, either immediately when driving screws
  or later when thermal expansion forces are added).
  A thermal compound between module and heat sink is recommended for low thermal contact resistance and to
  reduce the bending stress on the ceramic substrate caused by the temperature difference to the heat sink.
  The module must first be screwed to the heat sink, then the leads can be soldered to the printed circuit board.
  M3 screws are recommended with a tightening torque of 0.4 to 0.6 Nm.

Soldering and Defluxing:
  This module is designed for manual soldering.
  The lead (terminal) must be soldered after the module is screwed onto the heat sink.
  The temperature of the lead (terminal) soldering should be lower than 350C and shorter than 3 second.
  Ethyl Alcohol is recommend for removing flux. Trichloroethylene solvents must not be used (they may cause
  bubbles in the coating of the transistor chips which can lift off the bond wires).

Thermal Design of the Heat Sink:

At Pout=6.5W, VDD=7.2V and Pin=20mW each stage transistor operating conditions are:

Stage       Pin   Pout            Rth(ch-case)  IDD @ T=45%  VDD
            (W)
                  (W)             (C/W)        (A)          (V)

1st         0.02  1.5             4.0           0.40
                                                                 7.2
2nd         1.5   6.5             2.4
                                                1.60

The channel temperatures of each stage transistor Tch = Tcase + (VDD x IDD - Pout + Pin) x Rth(ch-case) are:

      Tch1 = Tcase + (7.2V x 0.40A 1.5W + 0.02W) x 4.0C/W = Tcase + 5.6 C
      Tch2 = Tcase + (7.2V x 1.60A 6.5W + 1.5W) x 2.4C/W = Tcase + 15.6 C

      For long-term reliability, it is best to keep the module case temperature (Tcase) below 90C. For an ambient
      temperature Tair=60C and Pout=6.5W, the required thermal resistance Rth (case-air) = ( Tcase - Tair) / ( (Pout / T ) -
      Pout + Pin ) of the heat sink, including the contact resistance, is:
      Rth(case-air) = (90C - 60C) / (6.5W/45% 6.5W + 0.02W) = 3.77 C/W
When mounting the module with the thermal resistance of 3.77 C/W, the channel temperature of each stage
transistor is:
      Tch1 = Tair + 35.6 C
      Tch2 = Tair + 45.6 C

The 175C maximum rating for the channel temperature ensures application under derated conditions.

RA07M1317M                        MITSUBISHI ELECTRIC                                                         24 Jan 2006
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Output Power Control:
  Depending on linearity, the following two methods are recommended to control the output power:
  a) Non-linear FM modulation:
      By the gate voltage (VGG).
      When the gate voltage is close to zero, the RF input signal is attenuated up to 60 dB and only a small leakage
      current flows from the battery into the drain.
      Around VGG=2.5V, the output power and drain current increases substantially.
      Around VGG=3V (typical) to VGG=3.5V (maximum), the nominal output power becomes available.
  b) Linear AM modulation:
      By RF input power Pin.
      The gate voltage is used to set the drain's quiescent current for the required linearity.

Oscillation:
  To test RF characteristics, this module is put on a fixture with two bias decoupling capacitors each on gate and
  drain, a 4.700 pF chip capacitor, located close to the module, and a 22 F (or more) electrolytic capacitor.
  When an amplifier circuit around this module shows oscillation, the following may be checked:
  a) Do the bias decoupling capacitors have a low inductance pass to the case of the module?
  b) Is the load impedance ZL=50?
  c) Is the source impedance ZG=50?

Frequent on/off switching:
  In base stations, frequent on/off switching can cause thermal expansion of the resin that coats the transistor chips
  and can result in reduced or no output power. The bond wires in the resin will break after long-term thermally
  induced mechanical stress.

Quality:
  Mitsubishi Electric is not liable for failures resulting from base station operation time or operating conditions
  exceeding those of mobile radios.
  This module technology results from more than 20 years of experience, field proven in tens of millions of mobile
  radios. Currently, most returned modules show failures such as ESD, substrate crack, and transistor burnout,
  which are caused by improper handling or exceeding recommended operating conditions. Few degradation failures
  are found.

                                             Keep safety first in your circuit designs!

Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there
is always the possibility that trouble may occur. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property
damage. Remember to give due consideration to safety when making your circuit designs, with appropriate measures such as
(i) placement of substitutive, auxiliary circuits, (ii) use of non-flammable material, or (iii) prevention against any malfunction or
mishap.

RA07M1317M  MITSUBISHI ELECTRIC              24 Jan 2006
                          8/8
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