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R1LP5256ESA-7SI#B0

器件型号:R1LP5256ESA-7SI#B0
器件类别:存储   
厂商名称:Renesas Electronics
标准:
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器件描述

SRAM 256kb 5V Adv. SRAM x8 TSOP 70NS WTR Tube

参数

产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Renesas Electronics
产品种类:
Product Category:
SRAM
RoHS:YES
封装:
Packaging:
Tube
商标:
Brand:
Renesas Electronics
Moisture Sensitive:Yes
产品类型:
Product Type:
SRAM
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
1
子类别:
Subcategory:
Memory & Data Storage

R1LP5256ESA-7SI#B0器件文档内容

R1LP5256E Series

256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit)

                                                                                       R10DS0070EJ0100

                                                                                                                   Rev.1.00

                                                                                                                   2011.04.13

Description

   The R1LP5256E Series is a family of low voltage 256-Kbit static RAMs organized as 32,768-word by 8-bit, fabricated

by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies. The R1LP5256E Series has realized higher

density, higher performance and low power consumption. The R1LP5256E Series is suitable for memory applications

where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives. It has been

packaged in 28-pin SOP and 28-pin TSOP.

Features

•  Single 4.5V~5.5V power supply

•  Small stand-by current: 1µA (5.0V, typical)

•  No clocks, No refresh

•  All inputs and outputs are TTL compatible.

•  Easy memory expansion by CS#

•  Common Data I/O

•  Three-state outputs: OR-tie Capability

•  OE# prevents data contention on the I/O bus

Ordering Information

   Orderable Part Name    Access           Temperature  Package             Shipping   Quantity

                              time         Range                            Container

   R1LP5256ESP-5SR#B0                      0 ~ +70°C

                              55 ns                                                    Max. 30pcs/Tube

   R1LP5256ESP-5SI#B0                      -40 ~ +85°C

                                                                            Tube       Max. 300pcs/Inner Bag

   R1LP5256ESP-7SR#B0                      0 ~ +70°C    450-mil 28-pin                 Max. 1200pcs/Inner Box

                              70 ns                     plastic SOP

   R1LP5256ESP-7SI#B0                      -40 ~ +85°C

   R1LP5256ESP-5SR#S0                      0 ~ +70°C    PRSP0028DB-B

                              55 ns

   R1LP5256ESP-5SI#S0                      -40 ~ +85°C  (28P2W-C)           Embossed

                                                                            tape       1000pcs/Reel

   R1LP5256ESP-7SR#S0                      0 ~ +70°C

                              70 ns

   R1LP5256ESP-7SI#S0                      -40 ~ +85°C

   R1LP5256ESA-5SR#B0                      0 ~ +70°C

                              55 ns

   R1LP5256ESA-5SI#B0                      -40 ~ +85°C                                 Max. 234pcs/Tray

                                                        8mm×13.4mm 28-pin   Tray       Max. 1872pcs/Inner Box

   R1LP5256ESA-7SR#B0                      0 ~ +70°C    plastic TSOP

                              70 ns

   R1LP5256ESA-7SI#B0                      -40 ~ +85°C  (normal-bend type)

   R1LP5256ESA-5SR#S0                      0 ~ +70°C

                              55 ns                     PTSA0028ZA-A

   R1LP5256ESA-5SI#S0                      -40 ~ +85°C  (28P2C-A)           Embossed

                                                                            tape       1000pcs/Reel

   R1LP5256ESA-7SR#S0                      0 ~ +70°C

                              70 ns

   R1LP5256ESA-7SI#S0                      -40 ~ +85°C

R10DS0070EJ0100     Rev.1.00                                                                                       Page 1 of 13

2011.04.13
R1LP5256E Series

Pin Arrangement

                                 A14  1                28       Vcc

                                 A12  2                27       WE#

                                 A7   3                26       A13

                                 A6   4                25       A8

                                 A5   5                24       A9

                                 A4   6                23       A11

                                 A3   7                22       OE#

                                 A2   8   28-pin SOP   21       A10

                                 A1   9                20       CS#

                                 A0   10               19       DQ7

                                 DQ0  11               18       DQ6

                                 DQ1  12               17       DQ5

                                 DQ2  13               16       DQ4

                                 GND  14               15       DQ3

                            OE#  22                             21   A10

                            A11  23                             20   CS#

                            A9   24                             19   DQ7

                            A8   25                             18   DQ6

                            A13  26                             17   DQ5

                            WE#  27                             16   DQ4

                            Vcc  28                             15   DQ3

                            A14  1        28-pin TSOP           14   GND

                            A12  2                              13   DQ2

                            A7   3                              12   DQ1

                            A6   4                              11   DQ0

                            A5   5                              10   A0

                            A4   6                              9    A1

                            A3   7                              8    A2

Pin Description

     Pin name                                         Function

Vcc               Power supply

Vss               Ground

A0 to A14         Address input

DQ0 to DQ7        Data input/output

CS#               Chip select

WE#               Write enable

OE#               Output enable

R10DS0070EJ0100   Rev.1.00                                                Page 2 of 13

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R1LP5256E Series

Block Diagram

A0

A1

            ADDRESS         ROW      MEMORY ARRAY

            BUFFER          DECODER  32k-word x8-bit

A14

                                                                      DQ0

                                                              DQ      DQ1

                                                              BUFFER

                                     SENSE / WRITE AMPLIFIER

                                                                      DQ7

                                     COLUMN DECODER

                                     CLOCK

                                     GENERATOR

WE#                                                                   Vcc

                                                                      Vss

CS#

OE#

R10DS0070EJ0100   Rev.1.00                                            Page 3 of 13

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R1LP5256E Series

Operation Table

CS#          WE#          OE#           DQ0~7                     Operation

H            X            X                  High-Z               Stand-by

L            L            X                  Din                  Write

L            H             L                 Dout                 Read

L            H            H                  High-Z           Output disable

Note 1.  H: VIH    L:VIL  X: VIH    or  VIL

Absolute Maximum

                   Parameter                         Symbol                         Value                   unit

Power supply voltage relative to Vss                 Vcc                            -0.3 to +7              V

Terminal voltage on any pin relative to Vss          VT                       -0.3*1 to Vcc+0.3*2           V

Power dissipation                                    PT                             0.7                     W

Operation temperature                                Topr*3              R Ver.                 0 to +70    °C

                                                                            I Ver.              -40 to +85

Storage temperature range                            Tstg                           -65 to 150              °C

Storage temperature range under bias                 Tbias*3             R Ver.                 0 to +70    °C

                                                                            I Ver.              -40 to +85

Note     1.  –3.0V for pulse ≤ 30ns (full width at half maximum)

         2.  Maximum voltage is +7V.

         3.  Ambient temperature range depends on R/I-version.    Please see table on page 1.

R10DS0070EJ0100           Rev.1.00                                                                          Page 4  of  13

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R1LP5256E Series

DC Operating Conditions

                    Parameter                      Symbol               Min.             Typ.            Max.       Unit         Note

Supply voltage                                             Vcc          4.5              5.0              5.5       V

                                                           Vss          0                    0             0        V

Input high voltage                                         VIH          2.2                  -          Vcc+0.3     V

Input low voltage                                          VIL          -0.3                 -            0.8       V            1

Ambient temperature range         R Ver.                   Ta           0                    -           +70        °C           2

                                  I Ver.                                -40                  -           +85        °C           2

Note  1.    –3.0V for pulse ≤ 30ns (full width at half maximum)

      2.    Ambient temperature range depends on R/I-version.           Please  see  table on   page 1.

DC Characteristics

      Parameter                   Symbol        Min.            Typ.    Max.    Unit                       Test conditions

Input leakage current             | ILI |       -               -       1       μA           Vin = Vss to Vcc

Output leakage current            | ILO |       -               -       1       μA           CS# =VIH or OE# =VIH,

                                                                                             VI/O =Vss to Vcc

Average operating current         ICC1          -               25      35      mA           Min. cycle, duty =100%, II/O = 0mA

                                                                                             CS# =VIL, Others = VIH/VIL

                                                                                             Cycle =1μs, duty =100%, II/O = 0mA

                                  ICC2          -               2       4       mA           CS# ≤ 0.2V,

                                                                                             VIH ≥ Vcc-0.2V, VIL ≤ 0.2V

Standby current                   ISB           -               -       3       mA           CS# =VIH,

                                                                                             Others = Vss to Vcc

Standby current                                 -               1*1     2       μA              ~+25°C     Vin = Vss to Vcc

                                                -               -       3       μA              ~+40°C     CS# ≥ Vcc-0.2V

                                  ISB1

                                                -               -       8       μA              ~+70°C

                                                -               -       10      μA              ~+85°C

Output high voltage               VOH           2.4             -       -       V            IOH = -1mA

                                  VOH2          Vcc             -       -       V            IOH = -0.1mA

                                                - 0.5

Output low voltage                VOL           -               -       0.4     V            IOL = 2mA

Note  1.    Typical parameter  indicates   the  value for  the  center  of distribution  at  5.0V (Ta= 25ºC), and not 100% tested.

R10DS0070EJ0100         Rev.1.00                                                                                            Page 5 of 13

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R1LP5256E Series

Capacitance

                                      (Vcc = 4.5V ~ 5.5V, f = 1MHz,             Ta =       0  ~ +70°C / -40    ~  +85°C*2)

            Parameter                 Symbol           Min.  Typ.       Max.    Unit          Test conditions     Note

Input capacitance                     C in             -     -           6      pF                Vin =0V         1

Input / output capacitance            C I/O            -     -           8      pF                VI/O =0V        1

Note  1.    This parameter is sampled and not 100% tested.

      2.    Ambient temperature range depends on R/I-version. Please see table  on page       1.

AC Characteristics

   Test Conditions (Vcc = 4.5V ~ 5.5V, Ta = 0 ~ +70°C / -40 ~ +85°C*1)

•  Input pulse levels: VIL = 0.6V, VIH = 2.4V

•  Input rise and fall time: 5ns

•  Input and output timing reference level: 1.5V

•  Output load: See figures (Including scope and jig)

                                                                        1.5V

                                                                                RL = 500 ohm

                                  DQ

                                                             CL = 30 pF         ( -5SI, -5SR)

                                                             CL = 100 pF        ( -7SI, -7SR)

Note  1.    Ambient temperature range depends on R/I-version. Please see table on page 1.

R10DS0070EJ0100    Rev.1.00                                                                                    Page 6 of 13

2011.04.13
R1LP5256E Series

Read Cycle

            Parameter               Symbol  R1LP5256E**-5S*  R1LP5256E**-7S*  Unit  Note

                                            Min.  Max.       Min.  Max.

Read cycle time                     tRC     55    -          70    -          ns

Address access time                 tAA     -     55         -     70         ns

Chip select access time             tACS    -     55         -     70         ns

Output enable to output valid       tOE     -     30         -     35         ns

Output hold from address change     tOH     10    -          10    -          ns

Chip select to output in low-Z      tCLZ    5     -          5     -          ns    2,3

Output enable to output in low-Z    tOLZ    5     -          5     -          ns    2,3

Chip deselect to output in high-Z   tCHZ    0     20         0     25         ns    1,2,3

Output disable to output in high-Z  tOHZ    0     20         0     25         ns    1,2,3

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2011.04.13
R1LP5256E Series

Write Cycle

                  Parameter                     Symbol      R1LP5256E**-5S*           R1LP5256E**-7S*        Unit  Note

                                                            Min.          Max.        Min.             Max.

Write cycle time                                tWC         55                -       70               -     ns

Address valid to end of write                   tAW         50                -       65               -     ns

Chip select to end of write                     tCW         50                -       65               -     ns    5

Write pulse width                               tWP         40                -       50               -     ns    4

Address setup time                              tAS         0                 -       0                -     ns    6

Write recovery time                             tWR         0                 -       0                -     ns    7

Data to write time overlap                      tDW         25                -       30               -     ns

Data hold from write time                       tDH         0                 -       0                -     ns

Output enable from end of write                 tOW         5                 -       5                -     ns    2

Output disable to output in high-Z              tOHZ        0                 20      0                25    ns    1,2

Write to output in high-Z                       tWHZ        0                 20      0                25    ns    1,2

Note  1.    tCHZ, tOHZ and tWHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit        conditions and are not

            referred to output voltage levels.

      2.    This parameter is sampled and not 100% tested.

      3.    At any given temperature and voltage condition, tHZ max is less than tLZ min both for a          given device and from

            device to device.

      4.    A write occurs during the overlap of a low CS#, a low WE#.

            A write begins at the latest transition among CS# going low and WE# going low.

            A write ends at the earliest transition among CS# going high and WE# going high.

            tWP is measured from the beginning of write to the end of write.

      5.    tCW is measured from the later of CS# going low to end of write.

      6.    tAS is measured the address valid to the beginning of write.

      7.    tWR is measured from the earliest of CS# or WE# going high to the end of write cycle.

      8.    Don’t apply inverted phase signal externally when DQ pin is output mode.

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2011.04.13
R1LP5256E Series

Timing Waveforms

Read Cycle

                                                       tRC

     A0~14

                                                            tAA                tOH

                                                            tACS

     CS#

                                                 tCLZ                    tCHZ

     WE#          VIH

WE#  = “H” level

                                                            tOE

     OE#

                                                 tOLZ                    tOHZ

                                 High impedance

     DQ0~7                                                        Valid  Data

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2011.04.13
R1LP5256E    Series

Write Cycle  (1) (WE#  CLOCK)

                                          tWC

A0~14

                                          tCW

CS#

                                          tAW

                               tAS        tWP                tWR

WE#

OE#

                                          tWHZ                    tOLZ

                                    tOHZ                     tOW

DQ0~7                                           Valid  Data

                                                tDW    tDH

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2011.04.13
R1LP5256E         Series

Write Cycle       (2) (CS#  CLOCK)

                                              tWC

     A0~14

                                         tAW

                                    tAS       tCW               tWR

     CS#

                                              tWP

     WE#

     OE#          VIH

OE#  = “H” level

                                                   tDW    tDH

     DQ0~7                                         Valid  Data

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2011.04.13
R1LP5256E Series

Low Vcc Data Retention Characteristics

            Parameter                 Symbol  Min.  Typ.  Max.  Unit                      Test conditions*2

      VCC for data retention          VDR     2.0   -     5.5   V               Vin ≥ 0V

                                                                                CS# ≥ Vcc-0.2V

                                              -     1*1   2     μA              ~+25°C

                                              -     -     3     μA              ~+40°C    Vcc=3.0V, Vin ≥ 0V,

      Data retention current          ICCDR                                               CS# ≥ Vcc-0.2V

                                              -     -     8     μA              ~+70°C

                                              -     -     10    μA              ~+85°C

Chip deselect to data retention time  tCDR    0     -     -     ns              See retention waveform.

      Operation recovery time         tR      5     -     -     ms

Note  1.    Typical parameter indicates the value for the center of distribution at 3.0V (Ta= 25ºC), and not 100% tested.

      2.    CS# controls address buffer, WE# buffer, OE# buffer and Din buffer. If CS# controls data retention mode, Vin

            levels (address, WE#, OE#, DQ) can be in the high impedance state.

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2011.04.13
R1LP5256E Series

Low Vcc Data Retention Timing Waveforms

CS# Controlled

Vcc

                            tCDR         4.5V       4.5V   tR

                  2.2V                         VDR             2.2V

                                         CS# ≥ Vcc - 0.2V

CS#

R10DS0070EJ0100   Rev.1.00                                           Page 13 of 13

2011.04.13
      Revision History                                     R1LP5256E Series Data        Sheet

                                                           Description

Rev.  Date              Page                               Summary

1.00  2011.04.13        -     First Edition issued

All trademarks and registered trademarks are the property  of their respective owners.
                                                                                                       Notice

1.    All information included in this document is current as of the date this document is issued. Such information, however, is subject to change without any prior notice. Before purchasing or using any Renesas

      Electronics products listed herein, please confirm the latest product information with a Renesas Electronics sales office. Also, please pay regular and careful attention to additional and different information to

      be disclosed by Renesas Electronics such as that disclosed through our website.

2.    Renesas Electronics does not assume any liability for infringement of patents, copyrights, or other intellectual property rights of third parties by or arising from the use of Renesas Electronics products or

      technical information described in this document.  No license, express, implied or otherwise, is granted hereby under any patents, copyrights or other intellectual property rights of Renesas Electronics or

      others.

3.    You should not alter, modify, copy, or otherwise misappropriate any Renesas Electronics product, whether in whole or in part.

4.    Descriptions of circuits, software and other related information in this document are provided only to illustrate the operation of semiconductor products and application examples.  You are fully responsible for

      the incorporation of these circuits, software, and information in the design of your equipment.  Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties arising from the

      use of these circuits, software, or information.

5.    When exporting the products or technology described in this document, you should comply with the applicable export control laws and regulations and follow the procedures required by such laws and

      regulations.  You should not use Renesas Electronics products or the technology described in this document for any purpose relating to military applications or use by the military, including but not limited to

      the development of weapons of mass destruction.    Renesas Electronics products and technology may not be used for or incorporated into any products or systems whose manufacture, use, or sale is

      prohibited under any applicable domestic or foreign laws or regulations.

6.    Renesas Electronics has used reasonable care in preparing the information included in this document, but Renesas Electronics does not warrant that such information is error free.   Renesas Electronics

      assumes no liability whatsoever for any damages incurred by you resulting from errors in or omissions from the information included herein.

7.    Renesas Electronics products are classified according to the following three quality grades:     "Standard", "High Quality", and "Specific".  The recommended applications for each Renesas Electronics product

      depends on the product's quality grade, as indicated below.  You must check the quality grade of each Renesas Electronics product before using it in a particular application.       You may not use any Renesas

      Electronics product for any application categorized as "Specific" without the prior written consent of Renesas Electronics.       Further, you may not use any Renesas Electronics product for any application for

      which it is not intended without the prior written consent of Renesas Electronics.  Renesas Electronics shall not be in any way liable for any damages or losses incurred by you or third parties arising from the

      use of any Renesas Electronics product for an application categorized as "Specific" or for which the product is not intended where you have failed to obtain the prior written consent of Renesas Electronics.

      The quality grade of each Renesas Electronics product is "Standard" unless otherwise expressly specified in a Renesas Electronics data sheets or data books, etc.

      "Standard":   Computers; office equipment; communications equipment; test and measurement equipment; audio and visual equipment; home electronic appliances; machine tools;

                    personal electronic equipment; and industrial robots.

      "High Quality": Transportation equipment (automobiles, trains, ships, etc.); traffic control systems; anti-disaster systems; anti-crime systems; safety equipment; and medical equipment not specifically

                    designed for life support.

      "Specific":   Aircraft; aerospace equipment; submersible repeaters; nuclear reactor control systems; medical equipment or systems for life support (e.g. artificial life support devices or systems), surgical

                    implantations, or healthcare intervention (e.g. excision, etc.), and any other applications or purposes that pose a direct threat to human life.

8.    You should use the Renesas Electronics products described in this document within the range specified by Renesas Electronics, especially with respect to the maximum rating, operating supply voltage

      range, movement power voltage range, heat radiation characteristics, installation and other product characteristics. Renesas Electronics shall have no liability for malfunctions or damages arising out of the

      use of Renesas Electronics products beyond such specified ranges.

9.    Although Renesas Electronics endeavors to improve the quality and reliability of its products, semiconductor products have specific characteristics such as the occurrence of failure at a certain rate and

      malfunctions under certain use conditions. Further, Renesas Electronics products are not subject to radiation resistance design.     Please be sure to implement safety measures to guard them against the

      possibility of physical injury, and injury or damage caused by fire in the event of the failure of a Renesas Electronics product, such as safety design for hardware and software including but not limited to

      redundancy, fire control and malfunction prevention, appropriate treatment for aging degradation or any other appropriate measures.           Because the evaluation of microcomputer software alone is very difficult,

      please evaluate the safety of the final products or system manufactured by you.

10.   Please contact a Renesas Electronics sales office for details as to environmental matters such as the environmental compatibility of each Renesas Electronics product.               Please use Renesas Electronics

      products in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances, including without limitation, the EU RoHS Directive.    Renesas Electronics assumes

      no liability for damages or losses occurring as a result of your noncompliance with applicable laws and regulations.

11. This document may not be reproduced or duplicated, in any form, in whole or in part, without prior written consent of Renesas Electronics.

12. Please contact a Renesas Electronics sales office if you have any questions regarding the information contained in this document or Renesas Electronics products, or if you have any other inquiries.

(Note 1)  "Renesas Electronics" as used in this document means Renesas Electronics Corporation and also includes its majority-owned subsidiaries.

(Note 2)  "Renesas Electronics product(s)" means any product developed or manufactured by or for Renesas Electronics.

SALES OFFICES                                                                                                                                                                            http://www.renesas.com

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Renesas Electronics Taiwan Co., Ltd.

13F, No. 363, Fu Shing North Road, Taipei, Taiwan

Tel: +886-2-8175-9600, Fax: +886 2-8175-9670

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