电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

R10DS0206EJ0100

器件型号:R10DS0206EJ0100
文件大小:3590.17KB,共0页
厂商名称:RENESAS [Renesas Technology Corp]
厂商官网:http://www.renesas.com
下载文档

器件描述

R10DS0206EJ0100器件文档内容

RMLV0408E Series

4Mb Advanced LPSRAM (512-kword 8-bit)

                                                                         R10DS0206EJ0100
                                                                                       Rev.1.00
                                                                                      2014.2.27

Description

The RMLV0408E Series is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word 8-bit, fabricated by Renesas's
high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0408E Series has realized higher density, higher
performance and low power consumption. The RMLV0408E Series offers low power standby power dissipation;
therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 32-pin SOP, 32-pin TSOP (II) or 32-pin sTSOP.

Features

Single 3V supply: 2.7V to 3.6V
Access time: 45ns (max.)
Current consumption:

     Standby: 0.4A (typ.)
Equal access and cycle times
Common data input and output

     Three state output
Directly TTL compatible

     All inputs and outputs
Battery backup operation

Part Name Information            Access  Temperature          Package          Shipping container
                                   time      range
              Part name                               8mm13.4mm 32-pin  Tray
                                         -40 ~ +85C      plastic sTSOP     Max. 234pcs/Tray
RMLV0408EGSA-4S2#AA0                                                        Max. 1872pcs/Inner box

RMLV0408EGSA-4S2#KA0                                                     Embossed tape
                                                                            1000pcs/Reel

RMLV0408EGSB-4S2#AA0             45 ns                  400-mil 32pin    Tray
RMLV0408EGSB-4S2#HA0                                  plastic TSOP (II)     Max. 117pcs/Tray
                                                                            Max. 936pcs/Inner box

                                                                         Embossed tape
                                                                            1000pcs/Reel

RMLV0408EGSP-4S2#CA0                                                     Tube
                                                                            Max. 25pcs/Tube
                                                      525-mil 32-pin        Max. 900pcs/Inner box
                                                       plastic SOP
                                                                         Embossed tape
RMLV0408EGSP-4S2#HA0                                                        1000pcs/Reel

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                 Page 1 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series

Pin Arrangement

         32-pin SOP                                     32-pin sTSOP
         32-pin TSOP (II)

A18   1                          32     Vcc   A11  1                  32  OE#

A16   2                          31     A15   A9   2                  31  A10

A14   3                          30     A17   A8   3                  30  CS#

A12   4                          29     WE#   A13  4                  29  I/O7

A7    5                          28     A13   WE#  5                  28  I/O6

A6    6                          27     A8    A18  6                  27  I/O5

A5    7                          26     A9    A15  7                  26  I/O4

A4    8                          25     A11   Vcc  8                  25  I/O3

A3    9                          24     OE#   A17  9                  24  Vss

A2    10                         23     A10   A16  10                 23  I/O2

A1    11                         22     CS#   A14  11                 22  I/O1

A0    12                         21     I/O7  A12  12                 21  I/O0

I/O0  13                         20     I/O6  A7   13                 20  A0

I/O1  14                         19     I/O5  A6   14                 19  A1

I/O2  15                         18     I/O4  A5   15                 18  A2

Vss   16                         17     I/O3  A4   16                 17  A3

                     (Top view)                         (Top view)

Pin Description                               Function

           Pin name  Power supply
VCC                  Ground
VSS                  Address input
A0 to A18            Data input/output
I/O0 to I/O7         Chip select
CS#                  Write enable
WE#                  Output enable
OE#

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                              Page 2 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series                                                                                          VCC
                                                                                                          VSS
Block Diagram
                                               Row                         Memory Matrix
                 A0                          Decoder                       2,048 x 2,048
                 A4
                 A5
                 A6
                 A7
                A8
                A9
               A10
               A11
               A12
               A13

     I/O0                                                                  Column I/O                  

                                              Input                        Column Decoder
                                              Data
                                              Control

     I/O7
                                                                          A1 A2 A3 A14 A15 A16 A17 A18

                                                                                 

     CS#                              Timing Pulse Generator
     WE#                                 Read/Write Control

     OE#

Operation Table

CS#  WE#               OE#            I/O0 to I/O7            Operation
                                                               Standby
H    X                 X              High-Z
                                                                 Read
L    H                 L              Dout                       Write
                                                           Output disable
L    L                 X              Din

L    H                 H              High-Z

Note 1. H: VIH L:VIL X: VIH or VIL

Absolute Maximum Ratings

                   Parameter                        Symbol                 Value                               unit

Power supply voltage relative to VSS                  VCC                  -0.5 to +4.6                        V

Terminal voltage on any pin relative to VSS            VT                  -0.5*2 to VCC+0.3*3                 V

Power dissipation                                      PT                  0.7                                 W

Operation temperature                               Topr                   -40 to +85                          C

Storage temperature range                           Tstg                   -65 to +150                         C

Storage temperature range under bias                Tbias                  -40 to +85                          C

Note 2. -3.0V for pulse  30ns (full width at half maximum)

     3. Maximum voltage is +4.6V.

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                                                  Page 3 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series

DC Operating Conditions

                   Parameter                      Symbol      Min.        Typ.     Max.           Unit  Note

Supply voltage                                    VCC         2.7         3.0      3.6            V

                                                  VSS         0           0          0            V

Input high voltage                                VIH         2.2                  VCC+0.3        V

Input low voltage                                 VIL         -0.3                 0.6            V     4

Ambient temperature range                         Ta          -40                  +85            C

Note 4. -3.0V for pulse  30ns (full width at half maximum)

DC Characteristics

            Parameter         Symbol     Min.     Typ.      Max.    Unit              Test conditions
Input leakage current           | ILI |                       1
                                                              1     A Vin = VSS to VCC
Output leakage current         | ILO |                       10
                                                             20     A     CS# = VIH or OE# =VIH or WE#= VIL,
                                                             25           VI/O = VSS to VCC
                                                             2.5
Operating current             ICC                            0.3    mA    CS# =VIL,
                                                  0.1*5       2           Others = VIH/VIL, II/O = 0mA
                                                  0.4*5
Average operating current                                           mA    Cycle = 55ns, duty = 100%, II/O = 0mA,
                                                                          CS# = VIL, Others = VIH/VIL
                              ICC1
                                                                    mA    Cycle = 45ns, duty = 100%, II/O = 0mA,
                                                                          CS# = VIL, Others = VIH/VIL

                              ICC2                                  mA    Cycle = 1s, duty = 100%, II/O = 0mA,
                                                                          CS#  0.2V, VIH  Vcc-0.2V, VIL  0.2V

Standby current               ISB                                   mA    CS# =VIH,
Standby current                                                           Others = VSS to VCC

                                                                    A ~+25C

                                                              3     A ~+40C         Vin = VSS to VCC,

                              ISB1                            5     A ~+70C CS#  VCC-0.2V
                                             

                                                              7     A ~+85C

Output high voltage           VOH        2.4                           V IOH = -1mA

                              VOH2       VCC-0.2                       V IOH = -0.1mA

Output low voltage            VOL                           0.4        V IOL = 2.1mA

                              VOL2                          0.2        V IOL = 0.1mA

Note 5. Typical parameter indicates the value for the center of distribution at 3.0V (Ta=25C), and not 100% tested.

Capacitance

                                                          (Vcc = 2.7V ~ 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 ~ +85C)

Parameter                                Symbol Min. Typ. Max. Unit Test conditions                     Note

Input capacitance                        C in                       8          pF       Vin =0V         6

Input / output capacitance               C I/O                      10         pF       VI/O =0V        6

Note 6. This parameter is sampled and not 100% tested.

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                                                Page 4 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series                                                                              1.4V
                                                                                                     RL = 500 ohm
AC Characteristics
                                                                                              CL = 30 pF
Test Conditions (Vcc = 2.7V ~ 3.6V, Ta = -40 ~ +85C)
Input pulse levels: VIL = 0.4V, VIH = 2.4V
Input rise and fall time: 5ns
Input and output timing reference level: 1.4V
Output load: See figures (Including scope and jig)

                                                                                     I/O

Read Cycle

                          Parameter  Symbol                   Min.                            Max.  Unit           Note

Read cycle time                         tRC                    45                                   ns
Address access time                     tAA                                                    45
Chip select access time                tACS                                                    45   ns
Output enable to output valid           tOE                                                    22
Output hold from address change         tOH                    10                                   ns
Chip select to output in low-Z         tCLZ                    10                              
Output enable to output in low-Z       tOLZ                     5                                   ns
Chip deselect to output in high-Z      tCHZ                     0                              18
Output disable to output in high-Z     tOHZ                     0                              18   ns

Write Cycle                                                                                         ns             7,8

                                                                                                    ns             7,8

                                                                                                    ns             7,8,9

                                                                                                    ns             7,8,9

                   Parameter         Symbol                   Min.                            Max.  Unit           Note

Write cycle time                     tWC                                                  45        ns

Address valid to write end           tAW                                                  35        ns

Chip select to write end             tCW                                                  35        ns

Write pulse width                    tWP                                                  35        ns             10

Address setup time to write start    tAS                                                  0         ns

Write recovery time from write end   tWR                                                  0         ns

Data to write time overlap           tDW                                                  25        ns

Data hold from write end             tDH                                                  0         ns

Output enable from write end         tOW                                                  5         ns             7

Output disable to output in high-Z   tOHZ                                                 0   18    ns             7,9

Write to output in high-Z            tWHZ                                                 0   18    ns             7,9

Note 7. This parameter is sampled and not 100% tested.

8. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max is less than tCLZ min, and tOHZ max is less than tOLZ
    min, for any device.

9. tCHZ, tOHZ and tWHZ are defined as the time when the I/O pins enter a high-impedance state and are not
      referred to the I/O levels.

10. tWP is the interval between write start and write end.
       A write starts when both of CS# and WE# become active

A write is performed during the overlap of a low CS#, a low WE#

A write ends when any of CS#, WE# becomes inactive.

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                                                  Page 5 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series

Timing Waveforms

Read Cycle

      A0~18                             tRC
                                Valid address
      CS#                   tAA
                               tACS
                                                                     t *11,12,13
                          t *12,13                                    CHZ
                           CLZ

      WE#     VIH

      WE# = "H" level

      OE#                                                tOE                         t *11,12,13
                                                        tOLZ *12,13                            OHZ
      I/O0~7              High impedance
                                                                                    tOH
                                                                     Valid Data

Note  11. tCHZ and tOHZ are defined as the time when the I/O pins enter a high-impedance state and are not referred to
            the I/O levels.

      12. This parameter is sampled and not 100% tested.

      13. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max is less than tCLZ min, and tOHZ max is less than tOLZ
            min, for any device.

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                                            Page 6 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series
Write Cycle (1) (WE# CLOCK, OE#="H" while writing)

      A0~18                         tWC
                                 Valid address

                                                                         tCW
      CS#

                            tAW                                                           tWR
                          tAS
                                                                              tWP *14

      WE#

      OE#                               tWHZ *15,16                           tDW      tDH
      I/O0~7                       tOHZ *15,16
                                                                              Valid Data
                                 *17

Note  14. tWP is the interval between write start and write end.
            A write starts when both of CS# and WE# become active.
            A write is performed during the overlap of a low CS# and a low WE#.
            A write ends when any of CS# or WE# becomes inactive.

      15. tOHZ and tWHZ are defined as the time when the I/O pins enter a high-impedance state and are not referred to
            the I/O levels.

      16. This parameter is sampled and not 100% tested.
      17. During this period, I/O pins are in the output state so input signals must not be applied to the I/O pins.

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                                       Page 7 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series
Write Cycle (2) (WE# CLOCK, OE# Low Fixed)

      A0~18                                    tWC
                                            Valid address

                                            tCW

      CS#                    tAW                         tWP *18       tWR
                           tAS
      WE#
      OE#                                   tWHZ *19,20                tOW

      OE# = "L" level VIL         *21                      Valid Data       *21

      I/O0~7

                                                         tDW      tDH

Note  18. tWP is the interval between write start and write end.
            A write starts when both of CS# and WE# become active.
            A write is performed during the overlap of a low CS# and a low WE#.
            A write ends when any of CS# or WE# becomes inactive.

      19. tWHZ is defined as the time when the I/O pins enter a high-impedance state and are not referred to the I/O
            levels.

      20. This parameter is sampled and not 100% tested.
      21. During this period, I/O pins are in the output state so input signals must not be applied to the I/O pins.

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                    Page 8 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series
Write Cycle (3) (CS# CLOCK)

                                  tWC

      A0~18                       Valid address
      CS#
                             tAW

                             tAS  tCW                                            tWR

                                       tWP *22

      WE#

      OE#              VIH

      OE# = "H" level

                                       tDW                                       tDH

      I/O0~7                                     Valid Data

Note  22. tWP is the interval between write start and write end.
            A write starts when both of CS# and WE# become active.
            A write is performed during the overlap of a low CS# and a low WE#.
            A write ends when any of CS# or WE# becomes inactive.

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                              Page 9 of 10
2014.2.27
RMLV0408E Series

Low VCC Data Retention Characteristics

     Parameter                        Symbol Min. Typ. Max. Unit                Test conditions*24

VCC for data retention                VDR       1.5             V               Vin  0V,
                                                                                CS#  VCC-0.2V

                                                     0.4*23  2  A ~+25C

                                                             3  A ~+40C        VCC=3.0V, Vin  0V,
                                                                                CS#  Vcc-0.2V
Data retention current                ICCDR

                                                             5  A ~+70C

                                                             7  A ~+85C

Chip deselect time to data retention  tCDR      0               ns              See retention waveform.
                                                5               ms
Operation recovery time                     tR

Note 23. Typical parameter indicates the value for the center of distribution at 3.0V (Ta=25C), and not 100% tested.

24. CS# controls address buffer, WE# buffer, OE# buffer, and I/O buffer. If CS# controls data retention mode, Vin

     levels (address, WE#, OE#, I/O) can be in the high-impedance state.

Low Vcc Data Retention Timing Waveforms (CS# controlled)

CS# Controlled
     VCC

                                      tCDR       2.7V 2.7V
                                                                            tR
                  2.2V                                                          2.2V
                                                        VDR

                                                CS#  VCC - 0.2V

CS#

R10DS0206EJ0100 Rev.1.00                                                                       Page 10 of 10
2014.2.27
      Revision History                              RMLV0408E Series Data Sheet

Rev.     Date           Page                        Description
1.00  2014.2.27                                               Summary

                              First edition issued

All trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
                                                        Notice

1. Descriptions of circuits, software and other related information in this document are provided only to illustrate the operation of semiconductor products and application examples. You are fully responsible for
      the incorporation of these circuits, software, and information in the design of your equipment. Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties arising from the
      use of these circuits, software, or information.

2. Renesas Electronics has used reasonable care in preparing the information included in this document, but Renesas Electronics does not warrant that such information is error free. Renesas Electronics
      assumes no liability whatsoever for any damages incurred by you resulting from errors in or omissions from the information included herein.

3. Renesas Electronics does not assume any liability for infringement of patents, copyrights, or other intellectual property rights of third parties by or arising from the use of Renesas Electronics products or
      technical information described in this document. No license, express, implied or otherwise, is granted hereby under any patents, copyrights or other intellectual property rights of Renesas Electronics or
      others.

4. You should not alter, modify, copy, or otherwise misappropriate any Renesas Electronics product, whether in whole or in part. Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or
      third parties arising from such alteration, modification, copy or otherwise misappropriation of Renesas Electronics product.

5. Renesas Electronics products are classified according to the following two quality grades: "Standard" and "High Quality". The recommended applications for each Renesas Electronics product depends on
      the product's quality grade, as indicated below.
      "Standard": Computers; office equipment; communications equipment; test and measurement equipment; audio and visual equipment; home electronic appliances; machine tools; personal electronic
      equipment; and industrial robots etc.
      "High Quality": Transportation equipment (automobiles, trains, ships, etc.); traffic control systems; anti-disaster systems; anti-crime systems; and safety equipment etc.
      Renesas Electronics products are neither intended nor authorized for use in products or systems that may pose a direct threat to human life or bodily injury (artificial life support devices or systems, surgical
      implantations etc.), or may cause serious property damages (nuclear reactor control systems, military equipment etc.). You must check the quality grade of each Renesas Electronics product before using it
      in a particular application. You may not use any Renesas Electronics product for any application for which it is not intended. Renesas Electronics shall not be in any way liable for any damages or losses
      incurred by you or third parties arising from the use of any Renesas Electronics product for which the product is not intended by Renesas Electronics.

6. You should use the Renesas Electronics products described in this document within the range specified by Renesas Electronics, especially with respect to the maximum rating, operating supply voltage
      range, movement power voltage range, heat radiation characteristics, installation and other product characteristics. Renesas Electronics shall have no liability for malfunctions or damages arising out of the
      use of Renesas Electronics products beyond such specified ranges.

7. Although Renesas Electronics endeavors to improve the quality and reliability of its products, semiconductor products have specific characteristics such as the occurrence of failure at a certain rate and
      malfunctions under certain use conditions. Further, Renesas Electronics products are not subject to radiation resistance design. Please be sure to implement safety measures to guard them against the
      possibility of physical injury, and injury or damage caused by fire in the event of the failure of a Renesas Electronics product, such as safety design for hardware and software including but not limited to
      redundancy, fire control and malfunction prevention, appropriate treatment for aging degradation or any other appropriate measures. Because the evaluation of microcomputer software alone is very difficult,
      please evaluate the safety of the final products or systems manufactured by you.

8. Please contact a Renesas Electronics sales office for details as to environmental matters such as the environmental compatibility of each Renesas Electronics product. Please use Renesas Electronics
      products in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances, including without limitation, the EU RoHS Directive. Renesas Electronics assumes
      no liability for damages or losses occurring as a result of your noncompliance with applicable laws and regulations.

9. Renesas Electronics products and technology may not be used for or incorporated into any products or systems whose manufacture, use, or sale is prohibited under any applicable domestic or foreign laws or
      regulations. You should not use Renesas Electronics products or technology described in this document for any purpose relating to military applications or use by the military, including but not limited to the
      development of weapons of mass destruction. When exporting the Renesas Electronics products or technology described in this document, you should comply with the applicable export control laws and
      regulations and follow the procedures required by such laws and regulations.

10. It is the responsibility of the buyer or distributor of Renesas Electronics products, who distributes, disposes of, or otherwise places the product with a third party, to notify such third party in advance of the
      contents and conditions set forth in this document, Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties as a result of unauthorized use of Renesas Electronics
      products.

11. This document may not be reproduced or duplicated in any form, in whole or in part, without prior written consent of Renesas Electronics.
12. Please contact a Renesas Electronics sales office if you have any questions regarding the information contained in this document or Renesas Electronics products, or if you have any other inquiries.
(Note 1) "Renesas Electronics" as used in this document means Renesas Electronics Corporation and also includes its majority-owned subsidiaries.
(Note 2) "Renesas Electronics product(s)" means any product developed or manufactured by or for Renesas Electronics.

SALES OFFICES                                                                                                                            http://www.renesas.com

Refer to "http://www.renesas.com/" for the latest and detailed information.

Renesas Electronics America Inc.
2801 Scott Boulevard Santa Clara, CA 95050-2549, U.S.A.
Tel: +1-408-588-6000, Fax: +1-408-588-6130

Renesas Electronics Canada Limited
1101 Nicholson Road, Newmarket, Ontario L3Y 9C3, Canada
Tel: +1-905-898-5441, Fax: +1-905-898-3220

Renesas Electronics Europe Limited
Dukes Meadow, Millboard Road, Bourne End, Buckinghamshire, SL8 5FH, U.K
Tel: +44-1628-585-100, Fax: +44-1628-585-900

Renesas Electronics Europe GmbH
Arcadiastrasse 10, 40472 Dsseldorf, Germany
Tel: +49-211-6503-0, Fax: +49-211-6503-1327

Renesas Electronics (China) Co., Ltd.
Room 1709, Quantum Plaza, No.27 ZhiChunLu Haidian District, Beijing 100191, P.R.China
Tel: +86-10-8235-1155, Fax: +86-10-8235-7679

Renesas Electronics (Shanghai) Co., Ltd.
Unit 301, Tower A, Central Towers, 555 Langao Road, Putuo District, Shanghai, P. R. China 200333
Tel: +86-21-2226-0888, Fax: +86-21-2226-0999

Renesas Electronics Hong Kong Limited
Unit 1601-1613, 16/F., Tower 2, Grand Century Place, 193 Prince Edward Road West, Mongkok, Kowloon, Hong Kong
Tel: +852-2265-6688, Fax: +852 2886-9022/9044

Renesas Electronics Taiwan Co., Ltd.
13F, No. 363, Fu Shing North Road, Taipei 10543, Taiwan
Tel: +886-2-8175-9600, Fax: +886 2-8175-9670

Renesas Electronics Singapore Pte. Ltd.
80 Bendemeer Road, Unit #06-02 Hyflux Innovation Centre, Singapore 339949
Tel: +65-6213-0200, Fax: +65-6213-0300

Renesas Electronics Malaysia Sdn.Bhd.
Unit 906, Block B, Menara Amcorp, Amcorp Trade Centre, No. 18, Jln Persiaran Barat, 46050 Petaling Jaya, Selangor Darul Ehsan, Malaysia
Tel: +60-3-7955-9390, Fax: +60-3-7955-9510

Renesas Electronics Korea Co., Ltd.
12F., 234 Teheran-ro, Gangnam-Ku, Seoul, 135-920, Korea
Tel: +82-2-558-3737, Fax: +82-2-558-5141

2014 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.
                                                               Colophon 4.0
This datasheet has been downloaded from:
            datasheet.eeworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

R10DS0206EJ0100器件购买:

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved