电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

Q68000-A4444

器件型号:Q68000-A4444
厂商名称:SIEMENS
厂商官网:http://www.infineon.com/
下载文档

器件描述

GaAs MMIC (Single-stage monolithic microwave IC MMICamplifier Application range: 100 MHz to 3 GHz)

文档预览

Q68000-A4444器件文档内容

                            GaAs MMIC                                         CGY 40

________________________________________________________________________________________________________

Datasheet

* Single-stage monolithic microwave IC ( MMIC-
   amplifier )

* Application range: 100 MHz to 3 GHz
* Gain: 9 dB typ. @ 1.6 GHz
* Low noise figure: 2.7 dB typ. @ 1.6 GHz
* Bandwidth: 3 GHz typ. @ -3 dB, VSWR < 2 : 1
* Operating voltage range: 3 to 5.5 V
* Individual current control with neg. gate bias
* Hermetically sealed ceramic stripline package

   Cerec-X

ESD: Electrostatic discharge sensitive device,
    observe handling precautions!

Type  Marking               Ordering code                  Circuit Diagram    Package 1)
                            (tape and reel)              (Pin Configuration)
                                                                              Cerec-X
CGY 40 40                   Q68000-A4444

Maximum ratings                                 Symbol     Value              Unit
Drain-voltage                                                5.5                V
Current control gate voltage                       VD                           V
                                                   VG      -3 ... 0
Drain-gate voltage                                                              V
Input power                                       VDG        8.5              dBm
Channel temperature                               PIN         16               C
Storage temperature range                         TCh        150               C
Total power dissipation (TS < 82C) 2)            Tstg   -55...+150           mW
                                                  Ptot       440

Thermal resistance                              RthChS   155                  K/W
Channel-soldering point 2)

Note: Exceeding any of the max. ratings may cause permanent damage to the device. Appropriate handling is
required to protect the electrostatic sensitive MMIC against degradation due to excess voltage or current spikes.
Proper ground connection of leads 2 and 4 ( with min. inductance ) is required to achieve the guaranteed RF
performance, stable operating conditions and adequate cooling.

1) Dimensions see chapter Package Outlines
2) Ts is measured on the source lead at the soldering point to the PCB.

Siemens Aktiengesellschaft                      pg. 1/5                          11.01.1996
                                                                              HL EH PD 21
                                         GaAs MMIC                 CGY 40

________________________________________________________________________________________________________

Electrical Characteristics
TA = 25 C, VG = 0 V, VD = 4.5 V, RS = RL = 50 , unless otherwise specified
( for application circuit see next page )

Characteristics                          Symbol min          typ   max Unit
Drain current                                                 60
                                         I  D        -             80  mA
                                                             10.5
Power gain                                 G                   9                dB
                                                        9.5  0.4    12
f = 200 MHz                                              8   1.1   10.5
f = 1800 MHz
                                          G                  2.5                dB
Gain flatness                                            -   2.8     -
                                                         -           2
f = 200 to 1000 MHz                                           13
f = 800 to 1800 MHz                        F                  12                dB
                                                         -           -
Noise figure                                             -    12   4.0
                                                              12
f = 200 to 1000 MHz                      RL                                     dB
f = 800 to 1800 MHz                               IN          32
                                                         -           -
Input return loss                                        -         9.5

f = 200 to 1000 MHz                      RL                                     dB
f = 800 to 1800 MHz                             OUT                  -
                                                         -         9.5
Output return loss                                       -
                                                                               dBm
f = 200 to 1000 MHz                       IP3
f = 800 to 1800 MHz                                                  -

Third order intercept point

Two tone intermodulation test

f1 = 806 MHz, f2 = 810 MHz                           31

P      =  10  dBm  (  both  carriers  )
    0

1dB gain compression                     P1 dB                         dBm

f = 200 to 1800 MHz                                  -       18    -

Gain control dynamic range               G                             dB

f = 200 to 1000 MHz                                  -       30    -
f = 800 to 1800 MHz
                                                     -       20    -

Siemens Aktiengesellschaft                  pg. 2/5                       11.01.1996
                                                                       HL EH PD 21
                            GaAs MMIC                              CGY 40

________________________________________________________________________________________________________

         Application Circuit ( f = 800 to 1800 MHz )

                                                                   VD

  VG     C3                               D                    C4
                  L2                         L3
Input                              2
50Ohm       C1                                   C2
                                3                                      Output
                                                                       50Ohm
                                   CGY40

                            L1            1

                                   4

         50 Ohm Microstripline

Legend of components

C1 , C2  Chip capacitors 100 pF
C3 , C4  Chip capacitors 1 nF
L1
         For optimized input matching
L2, L3   - discrete inductor: approx. 3nH, or
         - printed microstripline inductor: Z approx. 100 ,
D
           le approx. 5 mm
         - discrete inductor: approx. 40 nH, as e.g. 5 turns 0.25 mm copper

           wire on nylon rod with M3-thread, or
         - printed microstripline inductor

         Z diode 5.6 V ( type BZW 22 C5 V 6 )

Siemens Aktiengesellschaft         pg. 3/5                            11.01.1996
                                                                   HL EH PD 21
                            GaAs MMIC                   CGY 40

________________________________________________________________________________________________________

      Total Power Dissipation Ptot = f (TS;TA)

         500

P [ mW ]

  tot

         400
                                                    TS

         300

                                            TA
         200

100

0                           50         100
      0
                                       TA ; TS [ C ]
     150

Siemens Aktiengesellschaft  pg. 4/5                        11.01.1996
                                                        HL EH PD 21
                            GaAs MMIC                          CGY 40

________________________________________________________________________________________________________

     Typical Common Source S-Parameters

                            VG = 0V VD = 4.5 V Z0 = 50

  f           S11                 S21                 S12            S22
GHz  Mag Ang
0.2                         Mag Ang        Mag Ang             Mag Ang
0.4    0.20 -47
0.6    0.16 -49             3.32 165            0.14       2   0.09 -150
0.8    0.15 -60
1.0    0.16 -72             3.24 158            0.14       -2  0.09 148
1.2    0.15 -87
1.4    0.14 -105            3.17 149            0.14       -6  0.11 117
1.6    0.15 -124
1.8    0.15 -139            3.09 141            0.14       -8  0.13       97
2.0    0.16 -151
2.2    0.17 -166            3.02 132            0.13 -10       0.16       84
2.4    0.18 -176
2.6    0.21 173             2.95 124            0.13 -12       0.19       76
2.8    0.21 163
3.0    0.23 154             2.88 116            0.13 -13       0.21       68
3.2    0.24 146
3.4    0.26 140             2.82 107            0.12 -14       0.22       60
3.6    0.29 136
3.8    0.31 127             2.75 100            0.12 -15       0.24       54
4.0    0.32 123
4.2    0.34 118             2.69       93       0.11 -15       0.25       48
       0.36 115
                            2.62       86       0.11 -15       0.26       41

                            2.56       80       0.11 -14       0.27       37

                            2.48       73       0.11 -14       0.27       32

                            2.40       67       0.11 -14       0.27       28

                            2.32       61       0.11 -13       0.27       24

                            2.24       55       0.11 -12       0.27       20

                            2.15       51       0.11 -14       0.26       18

                            2.05       44       0.11 -12       0.25       17

                            1.94       39       0.11 -11       0.24       14

                            1.83       34       0.11 -11       0.23       10

                            1.80       29       0.11 -11       0.22       6

Siemens Aktiengesellschaft             pg. 5/5                          11.01.1996
                                                                     HL EH PD 21
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved