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PTF10133

器件型号:PTF10133
文件大小:1813.27KB,共6页
厂商名称:Ericsson
厂商官网:http://www.ericsson.com
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器件描述

85 watts, 860-960 mhz goldmos field effect transistor

PTF10133器件文档内容

PTF 10133

85 Watts, 860–960 MHz

GOLDMOS™ Field Effect Transistor

Description

The PTF 10133 is an internally matched 85 watt LDMOS FET                                               •  INTERNALLY MATCHED

intended for cellular, GSM and D-AMPS applications. This device                                        •  Performance at 894 MHz, 28 Volts

operates at 50% efficiency with 13.5 dB of gain. Full gold metallization                                  - Output Power = 85 Watts

ensures excellent device lifetime and reliability.                                                        - Power Gain = 13.5 dB Typ

                                                                                                          - Efficiency = 50% Typ

                                                                                                       •  Full Gold Metallization

                                                                                                       •  Silicon Nitride Passivated

                                                                                                       •  Excellent Thermal Stability

                                                                                                       •  100% Lot Traceability

                            Typical  Output Power vs. Input Power

                            120                                          60

                                                    Ef f ic iency

      Output Power (Watts)  100                                          50

                            80                                           40  Efficiency (%)

                            60                         VDD = 28.0 V      30                                     A-121304516939347

                                                       IDQ = 1.0 A

                            40                         f = 894 MHz       20

                            20                                           10

                                     Output Pow er

                            0                                            0

                                 0   1  2           3  4           5  6

                                        Input Power (Watts)                                                     Package 20248

RF Specifications (100% Tested)

Characteristic                                                                                  Symbol    Min   Typ                Max      Units

Gain

(VDD = 28 V, POUT = 85 W, IDQ = 1.0 A, f = 894 MHz)                                             Gps       12.5  13.5                   —    dB

Power Output at 1 dB Compression

(VDD = 28 V, IDQ = 1.0 A, f = 894 MHz)                                                          P-1dB     85    90                     —    Watts

Drain Efficiency

(VDD = 28 V, POUT = 85 W, IDQ = 1.0 A, f = 894 MHz)                                             h         45    50                     —    %

Load Mismatch Tolerance

(VDD = 28 V, POUT = 85 W, IDQ = 1.0 A, f = 894 MHz                                              Y         —     —                     10:1  —

—all phase angles at frequency of test)

All published data at TCASE = 25°C unless otherwise indicated.

                                                                                                                                   e

                                                                                             1
PTF 10133                                                                                                                   e

Electrical Characteristics (100% Tested)

Characteristic                      Conditions                                                Symbol         Min          Typ       Max       Units

Drain-Source Breakdown Voltage      VGS = 0 V, ID = 25 mA                                     V(BR)DSS       65           —         —               Volts

Drain-Source Leakage Current        VDS = 28 V, VGS = 0 V                                         IDSS       —            —         1.0             mA

Gate Threshold Voltage              VDS = 10 V, ID = 75 mA                                    VGS(th)        3.0          —         5.0             Volts

Forward Transconductance            VDS = 10 V, ID = 3 A                                          gfs        —            3.0       —         Siemens

Maximum Ratings

Parameter                                                                                         Symbol                  Value               Unit

Drain-Source Voltage                                                                               VDSS                     65                Vdc

Gate-Source Voltage                                                                                    VGS                ±20                 Vdc

Operating Junction Temperature                                                                          TJ                200                 °C

Total Device Dissipation                                                                                PD                205                 Watts

Above 25°C derate by                                                                                                      1.18                W/°C

Storage Temperature Range                                                                          TSTG                –40 to +150            °C

Thermal Resistance (TCASE = 70°C)                                                                      RqJC               0.85                °C/W

Typical Performance

      Typical POUT, Gain & Efficiency (at P-1dB)                                                  Broadband Test Fixture Performance

                        vs. Frequency                                                         20                                                    60

      18                                               120  Power & Efficiency                                                      Efficiency (%)         Efficiency

      17                                               110                                                                                          50

                                    Output Pow er (W)                                         16

      16                                               100                         Gain (dB)      Gain (dB)                                         40

Gain  15                                               90

      14   Gain                                        80                                     12             VDD = 28 V                             30

      13                            VDD = 28 V         70                                                    IDQ = 1.0 A                            20    Return Loss

      12                            IDQ = 1.0 A        60   Output                            8              POUT = 85 W

      11                                 Ef f iciency  50                                                                       Return Loss (dB) -1100

      10                                               40                                     4                                                     -020

      860  865  870       875  880  885  890  895      900                                    860       865  870  875  880   885    890  895  900

                      Frequency (MHz)                                                                             Frequency (MHz)

                                                                                2
e                                                                                                                                                        PTF 10133

                              Output Power vs. Supply Voltage                                                                 Capacitance vs. Supply Volta          ge  *

                      110                                                                                             300                                                   48

Output Power (Watts)  100                                                                                             250                                VGS = 0 V          40

                                                                                                     Cds & Cgs (pF)               Cgs                    f = 1 MHz

                      90                                                                                              200                                                   32

                      80                                                                                                                                                        Crss (pF)

                                                                                                                      150                                                   24

                      70                                                                                                                      Cds

                      60                                                                                              100                                                   16

                                                                      IDQ = 1.0 A                                                 Crss

                      50                                              f = 894 MHz                                         50                                                8

                      40                                                                                                  0                                                 0

                           24  26  28               30                32             34       36                               0        10         20    30             40

                                   Supply Voltage (Volts)                                                                               Supply Voltage (Volts)

                      Intermodulation Distortion vs. Output Power                                                                 Power Gain vs. Output Power

                               (as measured in a broadband circuit)                                                   16

                      -10                                                                                                         IDQ = 1.0

                      -20      VDD = 28 V, IDQ =1A                                                                    15

                               f1 = 894 MHz, f2 = 894.1 MHz                      3rd Order           Power Gain (dB)

IMD (dBc)             -30                                                                                             14

                      -40                                                                                                         IDQ = 500

                                                                                         5th                          13

                      -50                                                                7th                                                             VDD = 28 V

                      -60                                                                                             12          IDQ = 250              f = 894 MHz

                      -70                                                                                             11

                           0   20      40               60                       80      100                              0.1                      10.0                        1000.0

                               Output Power (Watts-PEP)                                                                                 Output Power (Watts)

                                                                                                     * This part is internally matched. Measurements of the

                                                                                                     finished product will not yield these figures.

                                                                                 Bias    Voltage vs. Temperature

                                                                      1.03                        Voltage normalized to 1.0 V

                                                                      1.02                        Series show current (A)

                                                    Bias Voltage (V)  1.01

                                                                      1.00

                                                                                                                                        0.86

                                                                      0.99                                                              2.5

                                                                      0.98                                                              4.16

                                                                      0.97                                                              5.8

                                                                      0.96                                                              7.42

                                                                                                                                        9.06

                                                                      0.95

                                                                            -20               30                      80                130

                                                                                                  Temp. (°C)

                                                                                                  3
PTF 10133                                                                                                       e

Impedance Data

(VDD = 28 V, POUT = 85 W, IDQ = 1.0 A)                                D             WARD GE  Z0 = 50       W

                                               Z  Source                    Z Load

                                                                                                           0.1

                                                          G

                                                                                                                Z Load

                                                                      S                                              860 MHz      960 MHz

Frequency                    Z  Source   W                     Z  Load   W                                0.0           0.1             0.2

                                                                                             -

MHz                       R              jX               R                 jX               LOAD          960 MHz

860                3.2                   -3.2             1.3               1.2              TOWARD

870                3.6                   -3.2             1.3               1.1                            860 MHz

880                4.1                   -3.2             1.3               0.9              WAVELENGTHS             Z  Source

890                4.7                   -3.1             1.3               0.8                            0.1

900                5.3                   -2.9             1.2               0.8

925                7.0                   -2.0             1.2               0.7

942                8.1                   -0.6             1.2               0.7                      <---

960                7.7                   1.1              1.2               0.6                                 0.2

Typical Scattering Parameters

(VDS = 28  V,  ID  = 2 A per side)

f                            S11                      S21                           S12                                      S22

(MHz)              Mag            Ang          Mag             Ang          Mag              Ang                     Mag          Ang

300                0.980          -178         0.996           15.6         0.010            -85.2                   0.994        -177

350                0.982          -179         0.773           12.8         0.008            -85.3                   0.993        -177

400                0.983          -180         0.641           9.48         0.006            -85.7                   0.992        -178

450                0.989            179        0.545           7.19         0.005            -85.3                   0.996        -179

500                0.989            179        0.489           5.48         0.003            -93.7                   0.999        -179

550                0.987            179        0.449           2.11         0.002            -74.5                   0.995        -179

600                0.983            178        0.425           -0.90        0.002            -64.9                   0.996        -179

650                0.982            177        0.414           -4.52        0.001            -68.5                   0.998        -180

700                0.980            176        0.405           -10.2        0.001            -55.1                   0.997        -180

750                0.972            175        0.419           -14.3        0.001            -88.5                   0.997        180

800                0.958            174        0.442           -19.9        0.001            -87.2                   0.993        180

850                0.929            171        0.509           -27.5        0.005            -105                    0.991        179

900                0.858            168        0.662           -42.4        0.013            -133                    0.989        179

950                0.693            173        0.882           -75.9        0.030            174                     0.987        179

1000               0.783          -170         0.714           -125         0.028            120                     0.993        179

1050               0.918          -172         0.423           -153         0.022            101                     0.989        179

1100               0.951          -175         0.261           -167         0.020            89.2                    0.982        179

1150               0.974          -177         0.184           -179         0.019            81.8                    0.982        178

1200               0.988          -178         0.124           165          0.018            77.9                    0.990        178

1250               0.984          -179         0.060           158          0.017            76.7                    0.990        178

1300               0.979          -180         0.048           -154         0.018            77.4                    0.986        178

1350               0.980            180        0.070           179          0.018            73.9                    0.983        178

1400               0.992            180        0.058           166          0.018            74.5                    0.990        177

1450               0.991            179        0.049           156          0.019            78.7                    0.992        178

1500               0.986            178        0.042           149          0.021            79.7                    0.984        178

                                                                  4
e                                                                                              PTF 10133

Test Circuit

Test Circuit Schematic for f = 894 MHz

DUT  PTF 10133        LDMOS Field Effect Transistor  C1, C3, C5, C10  Capacitor, 36 pF         ATC 100 B

l1   0.040 l 894 GHz  Microstrip 50 W                C2               Capacitor, 4.3 pF        ATC 100 B

l2   0.096 l 894 GHz  Microstrip 50 W                C4               Capacitor, 6.2 pF        ATC 100 B

l3   0.098 l 894 GHz  Microstrip 50 W                C6               Capacitor, 0.1 mF, 50 V  Digi-Key P4525-ND

l4   0.073 l 894 GHz  Microstrip 9.29 W              C7               Capacitor, 100 mF, 50 V  Digi-Key P5182-ND

l5   0.107 l 894 GHz  Microstrip 9.29 W              C8               Capacitor, 2.0 pF        ATC 100 B

l6   0.110 l 894 GHz  Microstrip 6.98 W              C9               Capacitor, 0.6-6 pF      ATC 100 B

l7   0.250 l 894 GHz  Microstrip 77.9 W              R1, R2, R3       Resistor, 220 W          Digi-Key 1KQBK
                                                                      er = 4.0, .028 Dielectric Thickness, 1 Oz.
l8   0.081 l 894 GHz  Microstrip 6.98 W              Circuit Board    e .028" Dielectric Thickness,

l9   0.178 l 894 GHz  Microstrip 50 W                Circuit Board                                   r = 4.0,

l10  0.040 l 894 GHz  Microstrip 50 W                                 AlliedSignal, G200, 2 oz. copper

Components Layout (not to scale)

                                                     5
PTF 10133                                                                                e

Artwork (1 inch             )

Package Mechanical          Specifications

                                                   Package 20248

                       Unless otherwise specified  Pins: 1.Drain 2.Source 3.Gate

                            all tolerance ±0.005”  Lead Thickness: 0.004 +0.002/-0.001”

Ericsson Microelectronics   1-877-GOLDMOS (465-3667) United States  Specifications subject to change without notice.

RF Power Products           +46 8 757 4700 International            L3

Morgan Hill, CA 95037  USA  e-mail: rfpower@ericsson.com            © 1998 Ericsson Inc.

                            www.ericsson.com/rfpower                EUS/KR 1301-PTF 10133 Uen Rev. A 12-01-99

                                                          6
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