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PSHI50/12

器件型号:PSHI50/12
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厂商名称:POWERSEM [Powersem GmbH]
厂商官网:http://www.powersem.com/
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PSHI50/12器件文档内容

                                                                                         ECO-PACTM 2

IGBT Module                         PSHI 50/12*                                    IC25      = 49 A

Preliminary Data Sheet                                                             VCES = 1200 V

                                                                                   V = CE(sat)typ. 3.1 V

                        F10

                                A1                  K10

                                                    K13
                                                    H13

                        S18

                                      N9        NTC   P18                 PSHI 50/12*

                                                                                                    *NTC optional

IGBTs     Conditions                                            Maximum Ratings    Features

Symbol    TVJ = 25C to 150C                                   1200      V             Package with DCB ceramic base plate
VCES
VGES                                                                                    Isolation voltage 3000 V
IC25                                                                              
IC80                                                             20      V              Planar glass passivated chips
ICM
VCEK      TC = 25C                                                   49  A             Low forward voltage drop
tSC       TC = 80C
(SCSOA)                                                               33  A         Leads suitable for PC board
Ptot                                                                                     soldering

Symbol    VGE = 15 V; RG = 47 ; TVJ = 125C                          50  A             UL registered, E 148688

VCE(sat)  RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 H             VCES

VGE(th)   VCE = VCES; VGE = 15 V; RG = 47 ; TVJ = 125C              10  s       Applications
ICES      non-repetitive
                                                                                        AC motor control
IGES
td(on)                                                                                  AC servo and robot drives
tr
td(off)   TC = 25C                                             208       W             power supplies
tf
Eon       Conditions                                        Characteristic Values  Advantages
Eoff                                  (TVJ = 25C, unless otherwise specified)
Cies                                                                                    Easy to mount with two screws
RthJC                                                    min. typ. max.
RthJH                                                                                   Space and weight savings

          IC = 50 A; VGE = 15 V; TVJ = 25C                     3.1 3.7 V               Improved temperature and power
                                       TVJ = 125C
                                                                3.5       V              cycling capability

                                                                                        High power density

          IC = 1 mA; VGE = VCE                             4.5            6.5 V         Small and light weight

          VCE = VCES;   VGE = 0 V; TVJ = 25C                             1.1 mA
                                        TVJ = 125C                       4.2 mA

          VCE = 0 V; VGE = 20 V                                         180 nA

          Inductive load, TVJ = 125C                           100       ns
          VCE = 600 V; IC = 30 A
          VGE = 15/0 V; RG = 47                                 70        ns

                                                                500       ns

                                                                70        ns

                                                                4.6       mJ

                                                                3.4       mJ

          VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz                      1.65      nF       Caution: These Devices are sensitive
                                                                                   to electrostatic discharge. Users
          (per IGBT)                                                      0.6 K/W  should observe proper ESD handling
          with heatsink compound (0.42 K/m.K; 50 m)                               precautions.
                                                                1.2       K/W

POWERSEM GmbH, Walpersdorfer Str. 53       2002 POWERSEM reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

D - 91126 Schwabach

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                                                                                       PSHI 50/12

Reverse diodes (FRED)                                                                  Package style and outline
                                                                                       Dimensions in mm (1mm = 0.0394")
Symbol  Conditions                                            Maximum Ratings

IF25    TC = 25C                                                      49      A

IF80    TC = 80C                                                      31      A

Symbol  Conditions                                         Characteristic Values
                                                        min. typ. max.

VF      IF = 30 A; TVJ = 25C                                 2.4 2.7 V

                          TVJ = 125C                         1.77             V

IRM     IF = 30 A; diF/dt = 500 A/s; TVJ = 125C             27               A

trr     VR = 600 V; VGE = 0 V                                 150              ns

RthJC                                                                      1.3 K/W
RthJH
        with heatsink compound (0.42 K/m.K; 50 m)            2.6          K/W

Temperature Sensor NTC

Symbol  Conditions                                      Characteristic Values
                                                        min. typ. max.

R25     T = 25C                                        455 470            485 k
B25/50                                                           3474               K

Module

Symbol  Conditions                                   Maximum Ratings

TVJ     IISOL  1 mA; 50/60 Hz                           -40...+150            C
Tstg    Mounting torque (M4)                            -40...+150            C
VISOL
Md      Max. allowable acceleration                            3000          V~

a                                                         1.5 - 2.0         Nm
                                                            14 - 18        lb.in.
                                                                           m/s2
                                                                  50

Symbol  Conditions                                      Characteristic Values
                                                        min. typ. max.
dS      Creepage distance on surface (Pin to heatsink)
dA      Strike distance in air (Pin to heatsink)        11.2               mm
Weight
                                                        11.2               mm

                                                              24               g

     POWERSEM GmbH, Walpersdorfer Str. 53   2002 POWERSEM reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

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                                                                                                                  PSHI 50/12

     80        VGE = 17 V                                                    80                VGE = 17V
     A
IC 60                 15 V                                                   A                        15V
                      13 V                                             IC 60                          13V
     40
                                                         11V                                                                                  11V
     20                              TVJ = 25C                        40

                                                          9V           20                                             9V

                                                                                                                      TVJ = 125C

0                                               42T120                 0                                              42T120

         0 1 2 3 4 5 6 V7                                                        0 1 2 3 4 5 6 V7

                                     VCE                                                                      VCE

         Fig. 1 Typ. output characteristics                                      Fig. 2 Typ. output characteristics

     80                                                                50
      A
     60                   VCE = 20V                                    IF 4A0
IC                                                                        30
                                                                                               TVJ = 125C        TVJ = 25C
     40                                                                   20

20                          TVJ = 25C                                 10

          TVJ = 125C        10 12
                                       VGE
0                                                              42T120  0                                              42T120

         4  6          8                        14 V 16                          0          1              2       3V4

                                                                                                              VF

         Fig. 3 Typ. transfer characteristics                                    Fig. 4 Typ. forward characteristics of
                                                                                           free wheeling diode

     20                                                                     50                                                                     200
      V
     15                                                                                trr                                                         1n6s0 trr
VGE                                                                                                                                                120
     10                                                                     4A0
                                                                       IRM
      5
                                                                            30

               VCE = 600V                                              20                                          TVJ = 125C                     80
               IC = 25A                                                                                            VR = 600 V

                                                                                                                   IF = 15 A

                                                                       10                                                                          40

                                                                                    IRM

0                                               42T120                 0                                                      0 42T120

         0     40           80              120 nC 160                           0          200 400 600 8A00/s 1000

                                            QG                                                                -di/dt

         Fig. 5 Typ. turn on gate charge                                            Fig. 6 Typ. turn off characteristics of
                                                                                             free wheeling diode

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                                                                                                                  PSHI 50/12

      15     VCE = 600 V                                   150    12                                                                  600
      mJ     VGE = 15 V                                   ns
Eon 10       RG = 47                                       100 t       mJ      VCE = 600V                                              ns
             TVJ = 125C                                          Eoff 8       VGE = 15V                                  td(off)
                                                           50
             td(on)                                                            RG = 47                                                400 t
                                                                               TVJ = 125C                        Eoff

     5        tr                                                  4                                                                   200

             Eon                                                                                                         tf

     0                                             0 42T120       0         0               20                40      A      0 42T120
          0               20          40 A 60                                                                                    60

                                      IC                                                                      IC

          Fig. 7 Typ. turn on energy and switching                           Fig. 8 Typ. turn off energy and switching

                                                                               times versus collector current times

                                                                               versus collector current

     4                                         td(on)      160           8                                                          800
                                                                        mJ                                                   td(off)
     mJ                                                    ns     Eoff 6
                                                                                                                                     ns
Eon  3                                                     120 t                                                             Eoff 600 t
         Eon

     2                                             tr      80     4                                                                  400

                                      VCE = 600 V                                                   VCE = 600 V
                                      VGE = 15 V
                                                                                                    VGE = 15 V

     1                                IC = 25 A            40     2                                 IC = 25 A                        200

                                      TVJ = 125C                                                   TVJ = 125C

                                                                                                                             tf

     0    0       20          40  60               0 42T120       0                                                              0 42T120
                                          80  100                           0  20               40        60          80  100

                                      RG                                                                  RG

          Fig. 9 Typ. turn on energy and switching                           Fig. 10 Typ. turn off energy and switching
                                                                                        times versus gate resistor times
                                                                                        versus gate resistor

      60                          RG = 47                               10                                                   diode
                                  TVJ = 125C                         K/W                                                    IGBT
       A
ICM 40                                                                    1
                                                                  ZthJC

                                                                       0,1

     20                                                            0,01
                                                                  0,001
                                                                                            single pulse

     0                                             42T120         0,0001                                                   MDI...50-12P1
                                                                       0,00001 0,0001 0,001 0,01
          0 200 400 600 800 1000 1200 1400 V                                                                  0,1     1 s 10
                                                                                                                   t
                                          VCE

          Fig. 11 Reverse biased safe operating area                         Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
                                                                                         RBSOA

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