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PN2222A

器件型号:PN2222A
器件类别:分立半导体    晶体管   
厂商名称:TAITRON Components
厂商官网:http://www.taitroncomponents.com/
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器件描述

1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

1000 mA, 40 V, NPN, 硅, 小信号晶体管, TO-92

参数
是否Rohs认证符合
厂商名称TAITRON Components
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)285 ns
最大开启时间(吨)35 ns

PN2222A器件文档内容

                                             NPN General Purpose Transistor
                                                                             PN2222A

NPN General Purpose Transistor

   Features

       This device is for use as a medium power amplifier
         and switch requiring collector currents up to 500mA

Absolute Maximum Ratings (Tamb=25C unless otherwise noted)

Parameter                  Symbol                          Value    Units

Collector-Emitter Voltage  VCEO                            40       V

Collector-Base Voltage     VCBO                            75       V

Emitter-Base Voltage       VEBO                            6        V

Collector Current          IC                              1.0      A

Storage Temperature        TSTG                            -55 150  C

Caution:

1.These ratings are based on a maximum junction temperature of 150C
2.These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle

  operations

TAITRON COMPONENTS INCORPORATED www.taitroncomponents.com                  Rev. A/WW
                                                                           Page 1 of 6
Tel: (800)-247-2232 (800)-TAITRON (661)-257-6060
Fax: (800)-TAITFAX (800)-824-8329 (661)-257-6415
                                                   NPN General Purpose Transistor
                                                                                 PN2222A

Electrical Characteristics (Tamb=25C unless otherwise noted)

            Parameter              Test Condition           Symbol    Min.  Max.  Unit
                                                                       75
Off Characteristics                IC=10uA, IE=0            BVCBO      40         V
Collector-Base Breakdown Voltage   IC=10mA, IB=0            BVCEO       6
Collector-Emitter Breakdown        IE=10uA,IC=0             BVEBO                 V
Voltage *                          VCB=60V,IE=0                        35
Emitter-Base Breakdown Voltage      VEB=3V,IC=0               ICBO     50         V
Collector Cut-off Current                                     IEBO     75
Emitter Cut-off Current                                               100   0.01  uA
On Characteristics                                             hFE     40
                                                                            10    nA
                                                            VCE(sat)  0.6
DC Current Gain                     VCE=10V, IC =0.1mA      VBE(sat)
                                     VCE =10V, IC =1mA                300
                                   VCE =10V *, IC =10mA         fT          300
                                                             Cobo
                                         (Tamb=-55C)         Cibo          0.3
                                   VCE =10V *, IC =150mA      rb'Cc                           V
                                   VCE =10V *, IC =500mA
                                                               NF            1
Collector- Emitter Saturation      IC =150mA,IB=15mA        Re(hie)         1.2
Voltage *                          IC =500mA,IB=50mA
                                                                td                            V
Base-Emitter Saturation Voltage *  IC =150mA, IB =15mA          tr           2
                                   IC =500mA, IB =50mA          ts
                                                                tf
* Pulse Test: Pulse Width300us, Duty Cycle2.0%

Small Signal Characteristics

Current Gain Bandwidth Product     IC=20mA, VCE=20V,                              MHz
                                          f=100MHz

Output Capacitance                 VCB=10V, IE=0, f=1MHz                    8.0   pF

Input Capacitance                  VEB=0.5V, IC =0, f=1MHz                  25    pF

Collector Base Time Constant       IC =20mA, VCB=20V,                       150   pS
                                          f=31.8MHz

Noise Figure                       IC =100uA, VCE=10V                       4.0   dB
                                   Rs=1.0k, f=1.0KHz

Real Part of Common-Emitter        IC =20mA, VCE=20V,                       60   
High Frequency Input Impedance            f=300MHz

Switching Characteristics

Delay Time                         VCC=30V, VEB(off)=0.5V                   10    ns
Rise Time                            IC=150mA, IB1=15mA
                                                                            25    ns

Storage Time                       VCC=30V, IC=150mA                        225   ns
Fall Time                              IB1=IB2=15mA
                                                                            60    ns

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                                             NPN General Purpose Transistor
                                                                           PN2222A

    Thermal Characteristics                   PD  625   mW
    Total Device Dissipation
    Derate above 25C                        RJC  5.0   mW/C
    Thermal Resistance, Junction to case     RJA
    Thermal Resistance, Junction to Ambient       83.3  C/W

Dimensions (Unit:mm)                              200   C/W

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                                NPN General Purpose Transistor
                                                              PN2222A

Typical Characteristics Curves

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                           NPN General Purpose Transistor
                                                         PN2222A

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                           NPN General Purpose Transistor
                                                         PN2222A

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                                                  US HEADQUARTERS
                               28040 WEST HARRISON PARKWAY, VALENCIA, CA 91355

                                     Tel: (800) TAITRON (800) 247-2232 (661) 257-6060
                                     Fax: (800) TAITFAX (800) 824-8329 (661) 257-6415

                                              Email: taitron@taitroncomponents.com
                                                 Http://www.taitroncomponents.com

                                  TAITRON COMPONENTS MEXICO, S.A .DE C.V.
            BOULEVARD CENTRAL 5000 INTERIOR 5 PARQUE INDUSTRIAL ATITALAQUIA, HIDALGO

                                                             C.P. 42970 MEXICO
                                                            Tel: +52-55-5560-1519
                                                           Fax: +52-55-5560-2190

         TAITRON COMPONETS INCORPORATED E REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
         RUA DOMINGOS DE MORAIS, 2777, 2.ANDAR, SALA 24 SADE - SO PAULO-SP 04035-001

                                                                     BRAZIL
                                                           Tel: +55-11-5574-7949
                                                           Fax: +55-11-5572-0052

         TAITRON COMPONETS INCORPORATED, SHANGHAI REPRESENTATIVE OFFICE
             CROSS REGION PLAZA, 899 LINGLING ROAD, SUITE 18C, SHANGHAI, 200030, CHINA
                                                           Tel: +86-21-54249942
                                                          Fax: +86-21-5424-9931

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