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PI80N06S4-05

器件型号:PI80N06S4-05
厂商名称:Infineon
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

OptiMOS-T2 Power-Transistor

PI80N06S4-05器件文档内容

                                                                                        IPB80N06S4-05
                                                                   IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05

OptiMOS-T2 Power-Transistor                               Product Summary             60 V
                                                           V DS                        5.4 m
Features                                                   R DS(on),max (SMD version)  80 A
N-channel - Enhancement mode                             ID
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260C peak reflow                  PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1
175C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

Type                    Package             Marking
IPB80N06S4-05           PG-TO263-3-2        4N0605
IPI80N06S4-05           PG-TO262-3-1        4N0605
IPP80N06S4-05           PG-TO220-3-1        4N0605

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol          Conditions        Value           Unit
                                                                         80            A
Continuous drain current             ID      T C=25C, V GS=10V1)
                                                                         75            mJ
                                             T C=100C, V GS=10V2)                     A
                                                                         320           V
Pulsed drain current2)               I D,pulse T C=25C                  152           W
                                                                         80            C
Avalanche energy, single pulse2)     E AS    I D=40A                     20
                                                                         107
Avalanche current, single pulse      I AS    -                      -55 ... +175
                                                                    55/175/56
Gate source voltage                  V GS    -

Power dissipation                    P tot   T C=25C

Operating and storage temperature T j, T stg -

IEC climatic category; DIN IEC 68-1          -

Rev. 1.0                                        page 1                                 2009-03-24
                                                                                           IPB80N06S4-05
                                                                      IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05

Parameter                         Symbol      Conditions                    Values            Unit
                                                                              typ.  max.
                                                                      min.

Thermal characteristics2)

Thermal resistance, junction - case R thJC -                          -     -       1.4 K/W

Thermal resistance, junction -    R thJA  -                           -     -       62
ambient, leaded

SMD version, device on PCB        R thJA minimal footprint            -     -       62

                                          6 cm2 cooling area3)        -     -       40

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics            V (BR)DSS V GS=0V, I D= 1mA         60    -       -V
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage            V GS(th) V DS=V GS, I D=60A        2.0   3.0     4.0
Zero gate voltage drain current
                                  I DSS   V DS=60V, V GS=0V           -     0.01    1 A
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance          V DS=60V, V GS=0V,          -     5       100
                                          T j=125C2)

                                  I GSS   V GS=20V, V DS=0V           -     -       100 nA

                                  R DS(on) V GS=10V, I D=80A          -     4.7     5.7 m

                                          V GS=10V, I D=80A,          -     4.4     5.4
                                          SMD version

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                                                                                        IPB80N06S4-05
                                                                   IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05

Parameter                          Symbol     Conditions                 Values            Unit
                                                                           typ.  max.
Dynamic characteristics2)                                          min.
Input capacitance
Output capacitance                 C iss                           -     5000 6500 pF
Reverse transfer capacitance       C oss
Turn-on delay time                 Crss       V GS=0V, V DS=25V,   -     1230 1600
Rise time                                     f =1MHz
Turn-off delay time
Fall time                                                          -     50      100
Gate Charge Characteristics2)
Gate to source charge              t d(on)                         -     20      - ns
Gate to drain charge
Gate charge total                  tr         V DD=30V, V GS=10V,  -     5       -
Gate plateau voltage
                                   t d(off)   I D=80A, R G=3.5     -     35      -
Reverse Diode
Diode continous forward current2)  tf                              -     8       -
Diode pulse current2)
                                   Q gs                            -     28      36 nC
Diode forward voltage
                                   Q gd       V DD=48V, I D=80A,   -     7       14
Reverse recovery time2)
                                   Qg         V GS=0 to 10V        -     62      81

                                   V plateau                       -     5.6     -V

                                   IS                              -     -       80 A
                                   I S,pulse
                                              T C=25C

                                                                   -     -       320

                                   V SD       V GS=0V, I F=80A,    0.6   0.95    1.3 V
                                              T j=25C

                                   t rr       V R=30V, I F=80A,    -     36      - ns
                                              di F/dt =100A/s

Reverse recovery charge2)          Q rr                            -     41      - nC

1) Current is limited by bondwire; with an R thJC = 1.4K/W the chip is able to carry 106A at 25C.

2) Specified by design. Not subject to production test.
3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.

Rev. 1.0                                      page 3                                  2009-03-24
1 Power dissipation                                                                                     IPB80N06S4-05
P tot = f(T C); V GS  6 V                                                         IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05

                                                              2 Drain current
                                                              I D = f(T C); V GS  6 V; SMD

120                                                                                           100

100
                                                                                           80

80
                                                                                           60

60

                                                                                           40
40

                                                                                           20
20
P tot [W]
                                                                                I D [A]

0                                                                                             0

     0             50         100           150          200                                        0                50        100             150        200

                              T C [C]                                                                                         T C [C]

3 Safe operating area                                         4 Max. transient thermal impedance
I D = f(V DS); T C = 25 C; D = 0; SMD                        Z thJC = f(t p)
parameter: t p                                                parameter: D =t p/T

      1000                                                             101

                                                   1 s                                       100 0.5
                                             10 s
100I D [A]                                  100 s                                                       0.1
10                                                                             Z thJC [K/W]
                                            1 ms                                              10-1       0.05

                                                                                                       0.01

                                                                                              10-2

                                                                                                       single pulse

             1                                                                                10-3
              0.1
                           1            10               100                                       10-6        10-5      10-4  10-3      10-2       10-1  100
Rev. 1.0
                              V DS [V]                                                                                         t p [s]

                                                         page 4                                                                                     2009-03-24
                                                                                                                                  IPB80N06S4-05
                                                                                                             IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05

5 Typ. output characteristics                             6 Typ. drain-source on-state resistance
I D = f(V DS); T j = 25 C; SMD                           R DS(on) = f(I D); T j = 25 C; SMD
parameter: V GS                                           parameter: V GS

320                                                                                               15

             10 V     8V                                                                                 5V      6V            7V

280

                                               7V                                                 13

240

                                                                                                  11

200

I D [A]160                                                                                        9
                                                                                    R DS(on) [m]
                                                                                              6V

120

                                                                                            7

80                                                                                                                                  8V

40                                                                                                5

                                               5V                                                                                   10 V

0                                                                                                 3

          0  1     2      3         4       5          6                                              0      80      160       240        320

                          V DS [V]                                                                                   I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                           8 Typ. drain-source on-state resistance
I D = f(V GS); V DS = 6V                                  R DS(on) = f(T j); I D = 80 A; V GS = 10 V; SMD
parameter: T j

320                                                                                               8

                                    -55 C     25 C

280                                                                                               7.5

                                                                                                  7

240                                            175 C

                                                                                                  6.5

200
                                                                                              6
I D [A]
                                                                              R DS(on) [m]160     5.5

120                                                                                               5

80                                                                                                4.5

                                                                                                  4

40

                                                                                                  3.5

0                                                                                                 3

          2  3     4      5         6       7          8                                               -60 -20 20    60 100 140 180

                          V GS [V]                                                                                   T j [C]

Rev. 1.0                                              page 5                                                                        2009-03-24
9 Typ. gate threshold voltage                                                                                            IPB80N06S4-05
V GS(th) = f(T j); V GS = V DS                                                                     IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05
parameter: I D
                                                                               10 Typ. capacitances
           4                                                                   C = f(V DS); V GS = 0 V; f = 1 MHz

        3.5                                                                            104

                                                                       600 A                                                                                                      Ciss

           3                                                                                  103

                                                        60 A

        2.5

           2

        1.5
V GS(th) [V]                                                                                                                                                                                                       Coss
                                                                                    C [pF]

                                                                                              102

                                                                                                                                                                                     Crss

1                                                                                             101
                                                                                                   0
          -60 -20  20  60 100 140 180                                                                 5     10  15                                                                               20       25             30

                       T j [C]                                                                                 V DS [V]

11 Typical forward diode characteristicis                                      12 Avalanche characteristics
IF = f(VSD)                                                                    I A S= f(t AV)
parameter: T j                                                                 parameter: Tj(start)

        103                                                                           100

                                                                                                                                                                                                            25 C
                                                                                                                                                                                                 100 C

102

                                                                                                                                                                                         150 C

I F [A]
                                                                                    I AV [A]
                                                                                         10

                                          175 C 25 C

101

100                                                                                           1          1      10                                                                                   100                 1000
      0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4                                                              0.1

                               V SD [V]                                                                         t AV [s]

Rev. 1.0                                                                       page 6                                                                                                                     2009-03-24
13 Avalanche energy                                                                                                                   IPB80N06S4-05
E AS = f(T j); I D = 40 A                                                                                       IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05

                                                                                            14 Drain-source breakdown voltage
                                                                                            V BR(DSS) = f(T j); I D = 1 mA

          180                                                                                  66

          160
                                                                                                     64

          140

          120
                                                                                                     62

          100
E AS [mJ]
                                                                                V BR(DSS) [V]
          80
                                                                                                    60

          60

          40                                                                                   58

          20

          0                                                                                    56

               25      75               125                                            175               -55 -15  25                             65 105 145

                           T j [C]                                                                                   T j [C]

15 Typ. gate charge                                                                                 16 Gate charge waveforms
V GS = f(Q gate); I D = 80 A pulsed
parameter: V DD                                                                                              V GS

         10                                                                            48 V

                                                                             12 V                                                            Qg

           9

           8

          7

          6

V GS [V]  5

          4                                                                                    V g s(th)

          3

          2                                                                                                           Q sw                       Q gate
                                                                                                                          Q gd
                                                                                          Q g (th)
          1

          0                                                                                               Q gs

               0   20      40                                                      60  80

                           Q gate [nC]

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                                                                                                           IPB80N06S4-05

                                                                                     IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05

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Revision History  Date                                             IPB80N06S4-05
Version                                      IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05
Revision 1.0
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