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PD27025F

器件型号:PD27025F
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)
厂商官网:http://www.triquint.com
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PD27025F器件文档内容

PD27025F
25 W, 2.5GHz - 2.7GHz , N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

Introduction                                          Table 1. Thermal Characteristics

The PD27025F is a high-voltage, gold-metalized,               Parameter          Sym    Value  Unit
laterally diffused metal oxide semiconductor                                     R JC    2.1   C/W
(LDMOS) RF power transistor suitable for              Thermal Resistance,
2.5GHz - 2.7GHz Class AB wireless base station          Junction to Case:
amplifier applications.
                                                      Table 2. Absolute Maximum Ratings*
This device is manufactured on an advanced LDMOS
technology, offering state-of-the-art performance,                 Parameter     Sym Value Unit
reliability, and thermal resistance. Packaged in an   Drain-source Voltage       VDSS 65 Vdc
industry-standard CuW package capable of deliver      Gate-source Voltage        VGS 0.5, +15 Vdc
ing a minimum output power of 25 W, it is ideally     Drain Current--Continuous
suited for today's RF power amplifier applications.-                               ID 4.25 Adc

                                                      Total Dissipation at TC = 70 C: PD 83.5 W

                                                      Derate Above 70 C:        -- 0.48 W/C

                                                      Operating Junction Tempera- TJ      200 C
                                                        ture

                                                      Storage Temperature Range TSTG 65, +150 C

                           PD27025F (flanged)         * Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause
                                                        permanent damage to the device. These are absolute stress rat-
              Figure 1. Available Packages              ings only. Functional operation of the device is not implied at
                                                        these or any other conditions in excess of those given in the
Features                                                operational sections of the data sheet. Exposure to absolute
                                                        maximum ratings for extended periods can adversely affect
Application Specific Performance, 2.7 GHz             device reliability.

    Typical 2-Tone Performance                       Table 3. ESD Rating*

     Average Load Power 12.5 W                      HBM                  Minimum (V)    Class
     D 30%                                          MM                         500        1B
     Power Gain 11.5 dB                             CDM                         50         A
     IMD3: -30dBc @ -100kHz/ +100KHz                                            1500         4

    Typical CW Performance                           * Although electrostatic discharge (ESD) protection circuitry has
                                                        been designed into this device, proper precautions must be
     Average Load Power 25 W                          taken to avoid exposure to ESD and electrical overstress (EOS)
     D 38%                                            during all handling, assembly, and test operations. PAEgeArKe Devices
     Power Gain 11.0 dB                               employs a human-body model (HBM), a machine model (MM),
                                                        and a charged-device model (CDM) qualification requirement in
                                                        order to determine ESD-susceptibility limits and protection
                                                        design evaluation. ESD voltage thresholds are dependent on the
                                                        circuit parameters used in each of the models, as defined by
                                                        JEDEC's JESD22-A114B (HBM), JESD22-A115A (MM), and
                                                        JESD22-C101A (CDM) standards.

                                                      Caution: MOS devices are susceptible to damage from elec-
                                                                   trostatic charge. Reasonable precautions in han-
                                                                   dling and packaging MOS devices should be
                                                                   observed.
PD27025F
25 W, 2.5GHz - 2.7GHz , N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

Electrical Characteristics

Recommended operating conditions apply unless otherwise specified: TC = 30 C.

Table 4. dc Characteristics

                             Parameter                              Symbol Min Typ Max Unit

                                        Off Characteristics

Drain-source Breakdown Voltage (VGS = 0, ID = 115000 u A )          V(BR)DSS 65      -- -- Vdc
                                                                                     -- 1.0 Adc
Gate-source Leakage Current (VGS =15V, VDS = 0 V)                   IGSS        --   -- 110.00 mAdc

Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (VDS = 28 V, VGS = 0 V)     IDSS        --

                                        On Characteristics

Forward Transconductance (VDS = 10 V, ID = 1.0 A)                   Gm          1    3--      S
Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 1 mA )
Gate Quiescent Voltage (VDS = 28 V, IDQ = 330 mA)                   VGS(TH)     --   3.5  --  Vdc
Drain-source On-voltage (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)
                                                                    VGS(Q)      3.0 4.0 5.0   Vdc

                                                                    VDS(ON)     --   -- 0.33 Vdc

Table 5. RF Characteristics

                               Rating                       Symbol  Min         Typ    Max      Unit
                                                              CISS                        -      pF
Input capacitance * (including matching capacitor)           COSS  -           74        -      pF
   (VDS=28V, VGS=0V, f = 1MHz)                                CRSS                        -      pF
Output capacitance * (including matching capacitor)                -           352
   (VDS= 28V, VGS=0V, f = 1MHz)                                                         Max   Unit
Feedback capacitance *                                             -           1.6       -    dB
   (VDS=28V, VGS=0V, f = 1MHz)                                                            -    dB
* Part is internally matched on input and output.                                         -    %
                                                                                          -    dB
RF and Functional Tests (InBroadband Fixture, Tc=25 C unless otherwise specified)            dBc
                                                                                     - 28      %
Rating                                                      Symbol  Min         Typ       -
                                                                                               dB
CW Low Power Gain, Pout=8W                                    GL    12.5        -        -9
VDD=28V, IDQ=330mA, f=2700MHz                                 GP                          -   
                                                              D     12          -
CW Power Gain, Pout = 25 W                                    GTT
VDD=28V, IDQ=330mA, f=2700MHz                                IMD   35          40
                                                             D2
CW Drain Efficiency, Pout = 25 W,                                   12.5        -
VDD=28V, IDQ=330mA, f=2700MHz                                 IRL
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain                 VSWR    -           -30
VDD=28V, IDQ=330mA, Pout = 25 W PEP
f1 =2700 MHz and f2=2700.1 MHz                                     26          30
Two-Tone Intermodulation Distortion
VDD=28V, IDQ=330mA, Pout = 25 W PEP                                 -           -
f1 =2700 MHz and f2=2700.1 MHz
Two-Tone Drain Efficiency                                           10:1        -
VDD=28V, IDQ=330mA, Pout = 25 W PEP
f1 =2700 MHz and f2=7500.1 MHz
Input Return Loss
VDD =28V, Pout = 25 W PEP, IDQ=330mA
f1 =2500 MHz and 2700 MHz, Tone Spacing =
100kHz
Load Mismatch Tolerance
VDS=28V, IDQ= 330 mA, Pout=25W, f=2500 MHz
                                                                                                                      PD27025F
                                                                                 N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

Package Dimensions

All dimensions are in inches. Tolerances are 0.005 in. unless specified.

                                 1         1
                           PEAK DEVICES 3                   3

                               PD27025F    2

                                  XXXX

                                 2

PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE

XXXX - 4 Digit Trace Code
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